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Microchip推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件
- Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布，推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件，擴(kuò)展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品，廣泛適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。這些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了產(chǎn)品組合的低功耗和小型8引腳封裝，成本較低，10,000片起批量供應(yīng)。通過(guò)四路SPI或SQI協(xié)議可實(shí)現(xiàn)高達(dá)80 Mbps的速度，為卸載圖形、數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄、顯示、數(shù)學(xué)、音頻、視頻及其他數(shù)據(jù)密集型功能提供所需的近乎瞬時(shí)數(shù)據(jù)傳送及零寫(xiě)入時(shí)間。
- 關(guān)鍵字： Microchip SRAM
采用FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì)
- 采用FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì),1 前言 針對(duì)FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn)，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來(lái)改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法，并給出了部分VHDL程序?！ ? 硬件設(shè)計(jì) 這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61LV
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) 設(shè)計(jì) 數(shù)據(jù) 大容量 FPGA SRAM 采用
基于SRAM的FPGA配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式解析方案
- 1.引言由于FPGA 良好的可編程性和優(yōu)越的性能表現(xiàn)，當(dāng)前采用FPGA 芯片的嵌入式系統(tǒng)數(shù)量呈現(xiàn)迅速增加的趨勢(shì)，特別是在需要進(jìn)行大規(guī)模運(yùn)算的通信領(lǐng)域。目前FPGA 配置數(shù)據(jù)一般使用基于SRAM 的存儲(chǔ)方式，掉電后數(shù)據(jù)消失，
- 關(guān)鍵字： SRAM FPGA 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 方式
SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用分析
- 同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲(chǔ)技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計(jì)數(shù)器、統(tǒng)計(jì)、
- 關(guān)鍵字： 分析 應(yīng)用 網(wǎng)絡(luò) SRAM
一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計(jì)方法
- 摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法，并完成了設(shè)計(jì)和仿真。 ...
- 關(guān)鍵字： 微控制器 在線仿真 開(kāi)發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對(duì)DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]
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