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          Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應用程序優(yōu)化設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應用程序優(yōu)化設計,本文以MP3解碼器為例，介紹了一種在嵌入式Linux系統(tǒng)下配置使用處理器片內(nèi)SRAM的應用方案，有效提高了代碼的解碼效率，降低了執(zhí)行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。1 硬件平臺和軟件架構硬件平臺采
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          • 關鍵字：
                        優(yōu)化  設計  應用程序  SRAM  ColdFire  片內(nèi)  Linux                          
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          使用新SRAM工藝實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 使用新SRAM工藝實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計,基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因為這種存儲器結構非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
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          • 關鍵字：
                        SoC  存儲器  設計  ASIC  嵌入式  SRAM  工藝  實現(xiàn)  使用                          
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          基于FPGA與外部SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲
          
                                                            
            
                    	
          • 1引言我們將針對FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結合來改進設計的方法，并給出...
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          • 關鍵字：
                        FPGA  SRAM                          
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          富士通與SuVolta展示其SRAM可在0.4伏低壓下工作
          
                                                            
            
                    	
          • 　　富士通半導體有限公司和SuVolta公司宣布，通過將SuVolta的PowerShrink 低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術細節(jié)和結果會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。
　　從移動電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務器，以及網(wǎng)絡設備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應電
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          • 關鍵字：
                        富士通  SRAM                          
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          富士通和SuVolta展示低電壓工作的SRAM模塊
          
                                                            
            
                    	
          • 　　富士通半導體和SuVolta宣布，通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術細節(jié)和結果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。
　　從移動電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務器，以及網(wǎng)絡設備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應電壓又是決定功耗的重要因素
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          • 關鍵字：
                        富士通  SRAM                           
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          富士通半導體與SuVolta攜手合作
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 富士通半導體有限公司和SuVolta，Inc今日宣布，通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術細節(jié)和結果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。

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          • 關鍵字：
                        富士通  SuVolta  SRAM                          
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          新型高可靠性低功耗6管SRAM單元設計
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：提出一種新型的6管SRAM單元結構，該結構采用讀／寫分開技術，從而很大程度上解決了噪聲容限的問題，并且該結構在數(shù)據(jù)保持狀態(tài)下，采用漏電流以及正反饋保持數(shù)據(jù)，從而不需要數(shù)據(jù)的刷新來維持數(shù)據(jù)。仿真顯示了正
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          • 關鍵字：
                        單元  設計  SRAM  功耗  可靠性  新型                          
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          非易失性SRAM DS1747
          
                                                            
            
                    	
          • DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的 ...
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          • 關鍵字：
                        SRAM  DS1747                          
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          Altera 選擇賽普拉斯的高容量QDR?II 和 QDRII+ SRAM器件用于28 納米 Stratix V FPGA 開發(fā)套件
          
                                                            
            
                    	
          • 2011年10月24日，北京訊，加州圣何塞訊——SRAM領域的業(yè)界領先者賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼：CY）日...
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          • 關鍵字：
                        SRAM  賽普拉斯  FPGA                          
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          科學家研制出新型鐵電晶體管隨機存取存儲器
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)近日報道，美國科學家們正在研制一種新的計算機存儲設備——鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲設備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。研究發(fā)表在美國化學學會的《納米快報》雜志上。
　 
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          • 關鍵字：
                        FeTRAM  SRAM                          
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          嵌入式MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 嵌入式MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應用, 在微控制器尺寸和成本的限制下，M4K內(nèi)核內(nèi)部不支持指令高速緩存(I-cache)或數(shù)據(jù)高速緩存(D-cache)的標準功能。本文重點討論的一個內(nèi)容--SRAM接口，這是MIPS32 M4K內(nèi)核的一個標準功能?！　4K內(nèi)核SRAM接口基本描述
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          • 關鍵字：
                        SRAM  接口  應用  內(nèi)核  處理器  MIPS32  M4K  嵌入式                          
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          基于SRAM的可重配置電路PLD
          
                                                            
            
                    	
          • 本文介紹了一種基于微控制器的PLD ICR控制電路，該控制電路結構簡單、占用空間小、性價比較高，適用于需要ICR功能的電子裝置中，該ICR控制電路是為配置ALTERR系列PLD器件來設計的，稍加屐也適用于XILINX公司的FPGA器件。這個配置電路的主要弱點在于配置速率較慢，只能適應用于配置速率要求不高的應用。
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          • 關鍵字：
                        SRAM  PLD  可重配置  電路                            
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          賽普拉斯推出32位總線寬度低耗異步SRAM
          
                                                            
            
                    	
          • 　　賽普拉斯半導體公司日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長電池使用壽命)異步 SRAM。這些器件的推出進一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領先的 SRAM 產(chǎn)品系列(包括高性能同步、異步和微功耗器件)。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能，從而充分滿足電信、計算機、外設、消費類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領域的應用需求。
　　
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          • 關鍵字：
                        賽普拉斯  SRAM                          
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          賽普拉斯推出全球首批低功耗異步SRAM
          
                                                            
            
                    	
          • 賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼：CY）日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL （更長電池使用壽命）異步 SRAM。這些器件的推出進一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領先的 SRAM 產(chǎn)品系列（包括高性能同步、異步和微功耗器件）。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能，從而充分滿足電信、計算機、外設、消費類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領域的應用需求。
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                        賽普拉斯  SRAM                          
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          Cortex―M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • Cortex―M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究,引言
            目前，對于存儲單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成，而且這些方法都是運用在生產(chǎn)過程中，但是生產(chǎn)過程并不能完全杜絕SRAM的硬件故障。在其使用過程中，如果SRAM硬件出錯，將導致程序出錯而且很難被發(fā)現(xiàn)
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                        軟件  檢測  研究  故障  單元  M3  SRAM  Cortex                          
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          sram介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	　　SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
  		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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