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全球電動(dòng)汽車需求下滑，韓國(guó)電池三巨頭產(chǎn)能利用率暴跌

1 月 2 日消息，韓媒 Business Korea 今天（1 月 2 日）發(fā)布博文，受全球電動(dòng)汽車需求下滑影響，LG Energy Solution、三星 SDI 和 SK On 韓國(guó)三大電池企業(yè)的工廠利用率大幅下降，企業(yè)紛紛采取應(yīng)對(duì)策略以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)挑戰(zhàn)。LG Energy Solution 位于美國(guó)亞利桑那州的工廠透視圖，圖源：LG Energy Solution據(jù) 12 月 30 日行業(yè)報(bào)告，LG Energy Solution 今年第三季度平均工廠利用率為 60%，較去年同期的 73% 顯著下
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消息稱三星和 SK 海力士達(dá)成合作，聯(lián)手推動(dòng) LPDDR6-PIM 內(nèi)存

12 月 3 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 昨日?qǐng)?bào)道，三星電子和 SK 海力士正在合作標(biāo)準(zhǔn)化 LPDDR6-PIM 內(nèi)存產(chǎn)品。該合作伙伴關(guān)系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)化。報(bào)道提到，兩家公司已經(jīng)確定，有必要建立聯(lián)盟，以使下一代存儲(chǔ)器符合這一趨勢(shì)。報(bào)道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進(jìn)行向聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)（JEDEC）注冊(cè)標(biāo)準(zhǔn)化的初步工作。目前正在討論每一個(gè)需要標(biāo)準(zhǔn)化項(xiàng)目的適當(dāng)規(guī)格?！?圖源三星PIM 內(nèi)存技術(shù)是一種將存儲(chǔ)和計(jì)
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消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤(rùn)產(chǎn)品

10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦高利潤(rùn)產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長(zhǎng)點(diǎn)。SK 海力士今年減少了對(duì) CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資，同時(shí)月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場(chǎng)三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場(chǎng)份額，SK 海力士?jī)H以 4% 排在第六位，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。同時(shí)，SK 海力
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SK電信將在首爾開設(shè)AI數(shù)據(jù)中心全部配套英偉達(dá)GPU

韓國(guó)最大電信運(yùn)營(yíng)商SK電信周三（8月21日）稱，將與美國(guó)GPU云服務(wù)公司Lambda合作，于今年12月在首爾江南區(qū)開設(shè)一家人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心，該設(shè)施將以英偉達(dá)先進(jìn)的圖形處理器（GPU）為基礎(chǔ)。目前，雙方已簽署了人工智能云服務(wù)合作協(xié)議，將通過(guò)戰(zhàn)略合作擴(kuò)大GPU即服務(wù)（GPUaaS）業(yè)務(wù)，并奠定Lambda在韓國(guó)的立足點(diǎn)。Lambda成立于2012年，為尋求訓(xùn)練人工智能大模型的公司提供云、本地和咨詢服務(wù)。目前Lambda的平臺(tái)可以訪問英偉達(dá)公司的大型GPU集群。所謂的GPUaaS服務(wù)，就是幫助企業(yè)客戶通
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SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達(dá)定制 HBM 內(nèi)存意向

IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報(bào)道，SK 海力士負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存業(yè)務(wù)的副總裁 Ryu Seong-soo 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日在 SK 集團(tuán) 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達(dá)了希望 SK 海力士為其開發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達(dá)、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進(jìn)行電話溝通，并為滿足這些企業(yè)的需
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AI 驅(qū)動(dòng)企業(yè)級(jí) SSD 價(jià)格及需求暴漲，SK 海力士擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對(duì)

IT之家 8 月 20 日消息，受人工智能（AI）服務(wù)器需求激增影響，企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤（SSD）的價(jià)格飆升了 80% 以上。為滿足市場(chǎng)需求，SK 海力士及其子公司 Solidigm 正加速擴(kuò)產(chǎn) NAND 閃存。AI 熱潮持續(xù)升溫，不僅帶動(dòng)了高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片需求，如今也正在推動(dòng)企業(yè)級(jí) SSD 市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。AI 服務(wù)器存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，企業(yè)紛紛搶購(gòu)大容量 SSD，甚至不惜高價(jià)確保供應(yīng)。面對(duì)企業(yè)級(jí) SSD 的旺盛需求，SK 海力士和 Solidigm 正優(yōu)先擴(kuò)大采用四層單元（QLC）技
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因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價(jià) 15~20%

IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見聞報(bào)道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價(jià) 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價(jià)主要是因?yàn)?HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價(jià)格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價(jià)格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)有所上漲?！?nbsp;SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時(shí)候還有報(bào)道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
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三星工藝輸臺(tái)積電還被海力士超越！芯片主管揭關(guān)鍵硬傷

三星芯片良率不佳，先前爆出三星在試產(chǎn)Exynos 2500處理器時(shí)，最后統(tǒng)計(jì)出的良率竟為0%。新任芯片主管全永鉉（Jun Young-hyun）在執(zhí)掌芯片事業(yè)的幾個(gè)月后，向員工示警需停止隱瞞或回避問題，如果不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。全永鉉發(fā)備忘錄，警告員工必須改變職場(chǎng)文化，強(qiáng)調(diào)應(yīng)停止隱瞞或回避問題，若不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。他直言，三星必須重建半導(dǎo)體特有的激烈辯論的文化，「如果我們依賴市場(chǎng)，沒恢復(fù)根本的競(jìng)爭(zhēng)力，將陷入惡性循環(huán)，重蹈去年?duì)I運(yùn)的困境。」三星競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士（SK Hynix）在AI內(nèi)存領(lǐng)域追趕，
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SK 海力士加大環(huán)保投入，在芯片生產(chǎn)工藝中使用氟氣替代三氟化氮

7 月 25 日消息，SK 海力士宣布將在芯片生產(chǎn)清洗工藝中使用更環(huán)保的氣體 —— 氟氣（F2）。SK 海力士 2024 可持續(xù)發(fā)展報(bào)告顯示，該公司原先將三氟化氮（NF3）用于芯片生產(chǎn)過(guò)程中的清洗工藝，用于去除沉積過(guò)程中腔室內(nèi)部形成的殘留物，其全球變暖潛能值（GWP）顯著高于氟氣（NF3的 GWP 為 17200，而 F2為 0）。除此之外，SK 海力士還進(jìn)一步增加了氫氟酸（HF）的使用量（可用于低溫蝕刻設(shè)備），該氣體的 GWP 為 1 甚至更低，遠(yuǎn)低于過(guò)去用于 NAND 通道孔蝕刻的氟碳?xì)怏w。
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【電動(dòng)車和能效亮點(diǎn)】Sakuu和SK On合作推動(dòng)電動(dòng)汽車的電池制造

Source: Zhihao/via Getty Images總部位于美國(guó)加州硅谷的Sakuu是一家專注于為電池制造行業(yè)提供商業(yè)化設(shè)備和技術(shù)的公司，該公司日前已與韓國(guó)電動(dòng)汽車電池供應(yīng)商SK On簽訂了一份聯(lián)合開發(fā)協(xié)議。此次合作彰顯了兩家公司通過(guò)推動(dòng)電池制造創(chuàng)新以解決當(dāng)前行業(yè)挑戰(zhàn)的堅(jiān)定承諾，并為下一代解決方案的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。作為此次合作的一部分，兩家企業(yè)將攜手推進(jìn)Sakuu干法制造工藝平臺(tái)Kavian的工業(yè)化進(jìn)程。Sakuu干法制造工藝平臺(tái)Kavian有助于電池供應(yīng)商轉(zhuǎn)變其業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)模式。該公司表示，使
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SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)

《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》17日訊，SK海力士計(jì)劃于2026年在其HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合，目前半導(dǎo)體封裝公司Genesem已提供兩臺(tái)下一代混合鍵合設(shè)備安裝在SK海力士的試驗(yàn)工廠，用于測(cè)試混合鍵合工藝?；旌湘I合取消了銅焊盤之間使用的凸塊和銅柱，并直接鍵合焊盤，這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進(jìn)行堆疊，并增加帶寬。
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英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟：HBM4 內(nèi)存2026年量產(chǎn)

7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報(bào)道，英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士將組建“三角聯(lián)盟”，為迎接 AI 時(shí)代共同推進(jìn) HBM4 等下一代技術(shù)。SEMI 計(jì)劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動(dòng)（其影響力可以認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的 CES 大展），包括臺(tái)積電在內(nèi)的 1000 多家公司將展示最新的半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù)，促進(jìn)了合作與創(chuàng)新。預(yù)計(jì)這次會(huì)議的主要焦點(diǎn)是下一代 HBM，特別是革命性的 HBM4 內(nèi)存，它將開啟市場(chǎng)的新紀(jì)元。IT之家援引該媒體報(bào)道，SK 海力士總裁 Kim Joo-
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消息稱三星電子、SK 海力士分別考慮申請(qǐng) 5/3 萬(wàn)億韓元低息貸款，擴(kuò)張運(yùn)營(yíng)

IT之家 7 月 1 日消息，據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星電子、SK 海力士分別考慮向韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行申請(qǐng) 5 萬(wàn)億和 3 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當(dāng)前分別約 263.8 / 158.28 億元人民幣）低息貸款，用于業(yè)務(wù)擴(kuò)張。韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行由韓國(guó)政府全資控股，是韓國(guó)唯一的政策性金融機(jī)構(gòu)，主要為韓國(guó)國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展提供長(zhǎng)期資金。韓國(guó)企劃和財(cái)政部此前公布了“半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)綜合支持計(jì)劃”。作為該計(jì)劃的一部分，韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行將向半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)放 17 萬(wàn)億韓元低息貸款，其中大企業(yè)可獲得 0.8~1% 利率折讓，而中小
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通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開工率維持 80~90%

IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)正常化的 NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對(duì)比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運(yùn)行。報(bào)道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機(jī)和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
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半導(dǎo)體后端工藝｜第七篇：晶圓級(jí)封裝工藝

在本系列第六篇文章中，我們介紹了傳統(tǒng)封裝的組裝流程。本文將是接下來(lái)的兩篇文章中的第一集，重點(diǎn)介紹半導(dǎo)體封裝的另一種主要方法——晶圓級(jí)封裝(WLP)。本文將探討晶圓級(jí)封裝的五項(xiàng)基本工藝，包括：光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝、光刻膠去膠(PR Stripping)工藝和金屬刻蝕(Metal Etching)工藝。封裝完整晶圓晶圓級(jí)封裝是指晶圓切割前的工藝。晶圓級(jí)封裝分為扇入型晶圓級(jí)芯片封裝（Fan-In WLCSP）和扇
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