sic mosfet 文章最新資訊

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

山東大學(xué)和華為技術(shù)有限公司在中國(guó)使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）中實(shí)現(xiàn)了1200V擊穿性能[Yuchuan 馬等人，IEEE Electron Device Letters，2025年7月8日在線發(fā)表]。通常，臺(tái)面蝕刻端接（MET）用于電隔離 GaN 半導(dǎo)體器件。然而，這會(huì)導(dǎo)致相對(duì)尖銳的拐角，電場(chǎng)往往會(huì)擁擠，導(dǎo)致過(guò)早擊穿。MET-MOS全垂直MOSFET的擊穿電壓約為650V。功率氮化鎵器件正在與碳化硅（SiC）
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英飛凌推出采用Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專(zhuān)為應(yīng)對(duì)工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)汽車(chē)充電機(jī)、光伏逆變器、不間斷電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和固態(tài)斷路器等。采用Q-DPAK封裝的CoolSiC??MOSFET 1200V G2這款CoolSiC 1200 V G2所采用的技術(shù)相較于上一代產(chǎn)品有顯著的提升，可在導(dǎo)通電阻（
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iDEAL與電力系統(tǒng)專(zhuān)家Richardson Electronics, Ltd.簽署SuperQ MOSFET技術(shù)合作伙伴協(xié)議

繼推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此舉標(biāo)志著自 25 多年前超級(jí)結(jié)技術(shù)以來(lái)，硅 MOSFET 架構(gòu)的首次重大進(jìn)步。賓夕法尼亞州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家專(zhuān)注于實(shí)現(xiàn)突破性效率的無(wú)晶圓廠功率半導(dǎo)體公司，該公司宣布將與電力和射頻專(zhuān)家 Richardson Electronics 合作。根據(jù)該協(xié)議，iDEAL 將獲得 Richardson Electronics 的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)和銷(xiāo)售專(zhuān)家的支持，以擴(kuò)展其基于公司新型專(zhuān)利、最先進(jìn) SuperQ 技術(shù)
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第三代半導(dǎo)體洗牌GaN躍居主角

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報(bào)告指出，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺(tái)、航空航天、AI運(yùn)算等應(yīng)用領(lǐng)域快速崛起。拓墣預(yù)估，2025年全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)7.5億美元，年增率高達(dá)62.7%，至2030年將擴(kuò)大至43.8億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）達(dá)42.3%。GaN組件具備優(yōu)異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業(yè)應(yīng)用外，也加速滲透至智慧城市、無(wú)線充電與醫(yī)療設(shè)備等新興場(chǎng)景。隨中國(guó)大陸等地積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)自主，全球GaN供應(yīng)鏈本土化進(jìn)程加速，各國(guó)
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固態(tài)隔離器如何與MOSFET或IGBT結(jié)合以?xún)?yōu)化SSR？

固態(tài)繼電器（SSR）是各種控制和電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的關(guān)鍵組件，涵蓋白色家電、供暖、通風(fēng)和空調(diào) （HVAC）設(shè)備、工業(yè)過(guò)程控制、航空航天和醫(yī)療系統(tǒng)。固態(tài)隔離器利用無(wú)芯變壓器技術(shù)在 SSR 的高壓側(cè)和低壓側(cè)之間提供隔離。基于 CT 的固態(tài)隔離器（SSI）包括發(fā)射器、模塊化部分和接收器或解調(diào)器部分。每個(gè)部分包含一個(gè)線圈，兩個(gè)線圈由二氧化硅（SiO2）介電隔離柵隔開(kāi)（圖 1）。磁耦合用于在兩個(gè)線圈之間傳輸信號(hào)。該技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理兼容，可用于分立隔離器或集成柵極驅(qū)動(dòng)器IC。圖 1.分立 SSI 中使
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Microchip與臺(tái)達(dá)電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來(lái)

隨著人工智能（AI）快速發(fā)展與萬(wàn)物電氣化進(jìn)程加速，市場(chǎng)對(duì)更高的電源效率與可靠性的需求持續(xù)增長(zhǎng)。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領(lǐng)導(dǎo)者臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“臺(tái)達(dá)電子”）簽署全新合作協(xié)議。雙方將攜手在臺(tái)達(dá)設(shè)計(jì)中應(yīng)用Microchip的mSiC?產(chǎn)品與技術(shù)，通過(guò)雙方合作加速創(chuàng)新型碳化硅（SiC）解決方案、節(jié)能產(chǎn)品及系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)，助力構(gòu)建更可持續(xù)的未來(lái)。Microchip負(fù)責(zé)高功
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iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET

iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。SuperQ是過(guò)去25年來(lái)硅基MOSFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域的首次重大突破，在硅功率器件中實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構(gòu)突破了硅材料在導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)方面的物理瓶頸，將n型導(dǎo)電區(qū)域擴(kuò)大至高達(dá)95%，并將開(kāi)關(guān)損耗較競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品降低高達(dá)2.1倍。該結(jié)構(gòu)不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時(shí)保留了硅材料的諸多優(yōu)勢(shì)，包括高強(qiáng)度、量產(chǎn)能力強(qiáng)以及在175°C結(jié)溫下的可靠性
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選型必看！MOSFET四大非理想?yún)?shù)詳解

幾乎所有的書(shū)籍資料，在講解MOSFET的時(shí)候，都喜歡先從微觀結(jié)構(gòu)去分析MOSFET基于半導(dǎo)體特性的各種結(jié)構(gòu)，然后闡述這些結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其參數(shù)的成因。但是這種方式對(duì)于物理基礎(chǔ)較弱的應(yīng)用型硬件工程師是非常不友好的，導(dǎo)致大家看了大量的表述沒(méi)有理解，沒(méi)有汲取到營(yíng)養(yǎng)。各種三維、二維的圖形，各式各樣，也不統(tǒng)一。本章節(jié)，我們從應(yīng)用的角度，來(lái)看我們選擇一個(gè)開(kāi)關(guān)的器件，當(dāng)選擇了一個(gè)MOSFET之后，他并不是一個(gè)完全理想的開(kāi)關(guān)器件。通過(guò)其不理想的地方，理解他的一些關(guān)鍵參數(shù)。后續(xù)的內(nèi)容，我們?cè)偻ㄟ^(guò)微觀結(jié)構(gòu)去理解一下導(dǎo)致這些參數(shù)的原因
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基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板

NCP51752是隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。它們?cè)O(shè)計(jì)用于快速切換以驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiC MOSFET功率開(kāi)關(guān)。 NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關(guān)閉，NCP51752具有嵌入式負(fù)偏置軌機(jī)制在GND2和VEE引腳之間。本用戶指南支持NCP51752的評(píng)估板。它應(yīng)該與NCP51752數(shù)據(jù)表以及onsemi的應(yīng)用說(shuō)明和技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)一起使用。本文檔描述了孤立單體的擬
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650V GaN器件在高功率應(yīng)用中對(duì)SiC構(gòu)成挑戰(zhàn)

瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺(tái)，該平臺(tái)具有適用于高功率應(yīng)用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購(gòu) Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動(dòng)器 IC 產(chǎn)品線集成后對(duì) GaN 技術(shù)的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺(tái)的 RDS（on）和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)提高了 50%，而輸出品質(zhì)因數(shù)提高了 20% 以上。在比較測(cè)試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應(yīng)用中的損耗比領(lǐng)先的碳化硅 MOSFET 和 JF
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Wolfspeed 1700 V MOSFET技術(shù)，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本

在幾乎所有電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)、快速充電器和可再生能源系統(tǒng)中，都會(huì)配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級(jí)，此類(lèi)電源通常受到的關(guān)注較少，但它們?nèi)允菐椭到y(tǒng)高效運(yùn)行的關(guān)鍵組成部分。提高系統(tǒng)可靠性、減小系統(tǒng)尺寸以及縮減系統(tǒng)成本，同時(shí)最大限度地降低風(fēng)險(xiǎn)并支持多源采購(gòu)——設(shè)計(jì)人員不斷面臨這些經(jīng)常相互矛盾的挑戰(zhàn)。Wolfspeed 推出的工業(yè)級(jí) C3M0900170x 和獲得車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品系列，可在 20 至 200 W 范圍內(nèi)增強(qiáng)輔助電源的
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香港首座8英寸SiC晶圓廠獲得批準(zhǔn)

6月25日，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技局轄下創(chuàng)新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工業(yè)加速計(jì)劃」申請(qǐng)已獲得評(píng)審委員會(huì)批準(zhǔn)。獲批項(xiàng)目涉及在香港興建寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶圓制造設(shè)施。項(xiàng)目總預(yù)算超過(guò) 7 億港元，將獲得 2 億港元的「新產(chǎn)業(yè)加速計(jì)劃」資助。這筆資金預(yù)計(jì)將大大提升香港的先進(jìn)半導(dǎo)體制造能力，并加速其在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注冊(cè)成立，并于 2024 年 6 月正式開(kāi)始運(yùn)營(yíng)，同時(shí)
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基于SiC的熔絲保護(hù)高壓電氣系統(tǒng)

在減少排放和實(shí)現(xiàn)凈零目標(biāo)的前進(jìn)道路上，碳化硅技術(shù)將在可持續(xù)發(fā)展應(yīng)用中發(fā)揮關(guān)鍵作用。這些應(yīng)用可以通過(guò)在系統(tǒng)中添加電力電子器件（例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器）或增強(qiáng)現(xiàn)有系統(tǒng)中的電力電子器件以達(dá)到更高的電壓并提高效率。隨著越來(lái)越多的應(yīng)用集成電氣系統(tǒng)，對(duì)電路保護(hù)的需求至關(guān)重要。維修或更換組件的成本可能很高，因此設(shè)計(jì)人員正在實(shí)施更強(qiáng)大的電路保護(hù)方法。僅限于保護(hù)線路的電路中斷裝置對(duì)于敏感的電子負(fù)載已不再足夠。電子電路中斷解決方案（例如電子熔絲）可以保護(hù)線路并限制傳輸?shù)焦收县?fù)載的短路允通電流和能量，從而可以防止負(fù)載自身?yè)p壞。傳統(tǒng)電路
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一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開(kāi)關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。SiC Combo JFET 技術(shù)概覽對(duì)于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開(kāi)碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理
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SiC Combo JFET技術(shù)概覽與特性

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開(kāi)關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。SiC Combo JFET技術(shù)概覽對(duì)于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開(kāi)碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理高
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