sic mosfet 文章 最新資訊
SiC開始加速批量上車
- 在新能源汽車技術(shù)的演進歷程中，碳化硅（SiC）技術(shù)已成為推動行業(yè)發(fā)展的關鍵力量。作為第三代半導體的代表材料，SiC 憑借其卓越的性能優(yōu)勢，已深度融入新能源汽車的核心系統(tǒng)，開啟了新能源汽車性能提升與技術(shù)創(chuàng)新的新篇章。從高端豪華車型到大眾普及款，從純電動到混合動力，SiC 技術(shù)的應用范圍不斷拓展，正以前所未有的速度實現(xiàn)批量上車，重塑新能源汽車的技術(shù)格局與市場競爭態(tài)勢。碳化硅實現(xiàn)多價格區(qū)間車型覆蓋SiC 技術(shù)已成為車企在新能源汽車賽道上差異化競爭的核心要素，如今已廣泛覆蓋 10 萬至 150 萬元價格區(qū)間的車型
- 關鍵字： SiC
SiC襯底市場 去年營收減9%
- TrendForce最新研究，2024年汽車、工業(yè)需求走弱，SiC基板出貨量成長放緩，與此同時，市場競爭加劇，產(chǎn)品價格大幅下跌，導致2024年全球N-type（導電型）SiC基板產(chǎn)業(yè)營收年減9%，為10.4億美元。進入2025年，即便SiC基板市場持續(xù)面臨需求疲軟、供給過剩的雙重壓力，然而，長期成長趨勢依舊不變，隨著成本逐漸下降、半導體元件技術(shù)不斷提升，未來SiC應用將更為廣泛，特別是在工業(yè)領域的多樣化。 同時，市場競爭激烈的環(huán)境下，加速企業(yè)整合，重新塑造產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。TrendForce分析各供應商營收
- 關鍵字： SiC 襯底 TrendForce
內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統(tǒng)采用
- 全球先進的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
- 關鍵字： 羅姆 ROHM SiC MOSFET 功率模塊 太陽能
英飛凌重返SiC JFET，實現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電
- Infineon Technologies 開發(fā)了用于固態(tài)保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場來控制電導率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著降低導通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
- 關鍵字： 英飛凌 SiC JFET 固態(tài)配電
利用 SMFA 系列非對稱 TVS 二極管實現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護
- 引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發(fā)展，開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高，設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅(qū)動電路，確保對MOSFET的安全控制，防止寄生導通，避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結(jié)構(gòu)免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案，有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅(qū)動器設計措施關于SiC-MOSFET驅(qū)動器電路的穩(wěn)健性，有幾個問題值得考慮。除了驅(qū)動器安全切換半導
- 關鍵字： 碳化硅 MOSFET 電源 功率半導體
格力家用空調(diào)搭載SiC芯片突破100萬臺
- 4月22日下午，格力電器召開2025年第一次臨時股東大會，相比過往歷次股東大會都被安排在格力地產(chǎn)總部辦公樓，本次股東大會首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。據(jù)悉，該工廠自2024年投產(chǎn)以來，其碳化硅功率芯片在家用空調(diào)中的裝機量已經(jīng)突破100萬臺。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優(yōu)勢，能夠顯著提升空調(diào)的能效。搭載SiC芯片后，空調(diào)的電能轉(zhuǎn)換效率得到優(yōu)化，制冷制熱效果增強，實現(xiàn)能耗降低，同時可以提升產(chǎn)品性能、降低能耗，增強格力空調(diào)的市場競爭力。格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動化6英寸碳化硅
- 關鍵字： 格力 家用空調(diào) SiC
清純半導體和微碧半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品
- 近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺，標志著功率半導體技術(shù)在快充效率、高功率密度應用等領域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅(qū)芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數(shù)Rsp達到2.1 mΩ·cm2，處于國際領先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
- 關鍵字： 清純半導體 微碧半導體 第3代 SiC MOSFET
SiC為數(shù)據(jù)中心的冷卻風扇提供高密度電源
- 碳化硅 （SiC） 正在接管電動汽車中的三相牽引逆變器，將電池中的直流電轉(zhuǎn)換為用于控制電機的交流電。但是，由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開關頻率，因此也適用于更緊湊的電動機中的三相逆變器。其中包括數(shù)據(jù)中心的電子換向 （EC） 冷卻風扇，這些風扇消耗了更多的電力來運行 AI 訓練和推理，并在此過程中產(chǎn)生了更多的熱量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊 （IPM），與 IGBT 相比，為這些冷卻風扇帶來了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基
- 關鍵字： SiC 數(shù)據(jù)中心 冷卻風扇 高密度電源 安森美
SiC MOSFET如何提高AI數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效
- 如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數(shù)據(jù)中心。我們對圖片、視頻和其他內(nèi)容的無盡需求，正推動著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎設施帶來了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級。隨著數(shù)據(jù)中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉(zhuǎn)換電力的功率半導體。這種需求的增長一方面是為了降低運營成本
- 關鍵字： SiC MOSFET AI數(shù)據(jù)中心 電源轉(zhuǎn)換能效
是什么讓SiC開始流行？
- 碳化硅是一種眾所周知的堅硬和復雜的材料。用于制造 SiC 功率半導體的晶圓生產(chǎn)利用制造工藝、規(guī)格和設備的密集工程來實現(xiàn)商業(yè)質(zhì)量和成本效益。必要性與發(fā)明寬禁帶半導體正在改變電力電子領域的游戲規(guī)則，使系統(tǒng)級效率超越硅器件的實際限制，并帶來額外的技術(shù)特定優(yōu)勢。在碳化硅 （SiC） 的情況下，導熱性、耐溫能力和擊穿電壓與通道厚度的關系優(yōu)于硅，從而簡化了系統(tǒng)設計并確保了更高的可靠性。由于它們的簡單性，SiC 的孕育使二極管領先于 MOSFET 進入市場?，F(xiàn)在，隨著技術(shù)進步收緊工藝控制、提高良率并
- 關鍵字： SiC
英飛凌攜手Enphase通過600V CoolMOS? 8提升能效并降低MOSFET相關成本
- Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的?600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，簡化了系統(tǒng)設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統(tǒng)的領先供應商。通過使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enphase顯著降低了其太陽能逆變器系統(tǒng)的?MOSFET?內(nèi)阻（RDS(on)），進而減
- 關鍵字： 英飛凌 Enphase CoolMOS MOSFET
SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
- 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關鍵參數(shù)、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
- 關鍵字： cascode FET SiC
Nexperia推出采用行業(yè)領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET
- Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準滿足了眾多高功率（工業(yè)）應用領域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢，得以實現(xiàn)卓越的熱性
- 關鍵字： Nexperia SiC MOSFET
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