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微芯有刷直流電機(jī)控制方案
- 有刷直流電機(jī)通過電刷進(jìn)行換向。以下是關(guān)于有刷直流電機(jī)的一些關(guān)鍵點(diǎn)：典型的轉(zhuǎn)子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機(jī)的定子(或外部機(jī)筒)將有
- 關(guān)鍵字： MOSFET 光學(xué)編碼器 PWM 有刷直流電機(jī)驅(qū)動器
被忽略的細(xì)節(jié)：理解MOSFET額定電壓BVDSS
- 看到這個主題，可能有些工程師會問：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內(nèi)容?細(xì)節(jié)決定技術(shù)，今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細(xì)節(jié)，來理解這個參數(shù)所設(shè)定的含義。 數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標(biāo)稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。關(guān)于雪崩擊穿問題
- 關(guān)鍵字： MOSFET BVDSS
基于S7―200PLC的機(jī)械手運(yùn)動控制
- 摘要：基于S7—200PLC村機(jī)械于的運(yùn)動進(jìn)行一系列控制，這些運(yùn)動包括手臂上下、左右直線運(yùn)動，手腕旋轉(zhuǎn)運(yùn)動，手爪夾緊動作和機(jī)械手整體旋轉(zhuǎn)運(yùn)動等。所采用的動力機(jī)構(gòu)是步進(jìn)電機(jī)，能夠做到精確控制。在多個行程開
- 關(guān)鍵字： 機(jī)械手 S7―200PLC 步進(jìn)電機(jī)
基于S7-300PLC設(shè)計選型及應(yīng)用
- S7-300PLC的應(yīng)用非常廣泛，在設(shè)計選型和調(diào)試及實(shí)際應(yīng)用中可能會碰到各種各樣的問題，下面就S7-300PLC在選型和應(yīng)用中的一些要點(diǎn)做一下分析。
- 關(guān)鍵字： S7-300PLC
Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列
- Fairchild，現(xiàn)在是安森美半導(dǎo)體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿足最新的通信、服務(wù)器、電動車(EV)充電器和太陽能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。 SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能，是高性能應(yīng)用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產(chǎn)品設(shè)計者更大的靈活性，特別是對于尺寸受限的設(shè)計。 Fair
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET
英飛凌800 V CoolMOS P7系列設(shè)立效率和散熱性能的新基準(zhǔn)
- 英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級結(jié)技術(shù)，兼具出類拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應(yīng)用，可完全滿足性能、易于設(shè)計和性價比等市場需求。它主要側(cè)重于反激式拓?fù)?，這種拓?fù)涑Ｒ娪谶m配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應(yīng)用。 800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應(yīng)用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品，這相當(dāng)于將
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
基于PC+PLC等離子熔射自動控制系統(tǒng)
- 1 引言 等離子熔射由于其溫度高且能量集中，能夠熔射金屬、陶瓷或復(fù)合材料的特點(diǎn)在表面改性、功能薄膜制備和材料加工工程中被廣泛應(yīng)用。為了保證熔射皮膜成形性與成形質(zhì)量，必須在數(shù)字圖像處理、過程控制、人工智能等方法基礎(chǔ)上進(jìn)行系統(tǒng)集成控制與工藝優(yōu)化。當(dāng)前國際上幾大熱噴涂設(shè)備和材料生產(chǎn)廠家，如英國Metallisation公司、瑞士Sulzer-Metco公司和美國Praxair公司等，已推出基于PC+PLC+現(xiàn)場檢測+過程控制的等離子熔射系統(tǒng)。但是由于國際上相關(guān)熔射設(shè)備價格昂貴，不能引進(jìn)到國內(nèi)每一個加工
- 關(guān)鍵字： PLC S7-300
如何實(shí)現(xiàn)西門子S7-300 PLC與DCS控制系統(tǒng)的通信
- 如何實(shí)現(xiàn)西門子S7-300 PLC與DCS控制系統(tǒng)的通信, 一、 引言 現(xiàn)代工業(yè)的迅速發(fā)展，不斷促進(jìn)著自動化控制技術(shù)及設(shè)備通信技術(shù)創(chuàng)新的發(fā)展。當(dāng)前，PLC、DCS、智能儀表等已廣泛應(yīng)用到現(xiàn)場生產(chǎn)控制系統(tǒng)中，并發(fā)展到由上述設(shè)備相互協(xié)同、共同面向整個生產(chǎn)過程的分布式
- 關(guān)鍵字： S7-300 PLC DCS控制系統(tǒng) 嵌入式
步進(jìn)電機(jī)的MOSFET管驅(qū)動設(shè)計
- H橋功率驅(qū)動電路可應(yīng)用于步進(jìn)電機(jī)、交流電機(jī)及直流電機(jī)等的驅(qū)動。永磁步
- 關(guān)鍵字： 步進(jìn)電機(jī) MOSFET 驅(qū)動設(shè)計
意法半導(dǎo)體推出新款超結(jié)MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結(jié)MOSFET。 電視和PC等設(shè)備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導(dǎo)致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應(yīng)用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 MOSFET
住在市區(qū)還是郊區(qū)？考慮采用轉(zhuǎn)換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓
- 一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務(wù)，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因?yàn)槟抢锓孔痈螅鹤痈鼘挸?。同樣，?dāng)工程師需要大電流用于負(fù)載點(diǎn)(POL)設(shè)計時，他們一般會放棄高密度轉(zhuǎn)換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個更復(fù)雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案?？刂破?，與郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對的靈活性和經(jīng)濟(jì)性，但會占據(jù)更多不動產(chǎn)，更多的電路板空間。 直到最近，電流超過10-15A的應(yīng)用一般會依賴帶外部MOSF
- 關(guān)鍵字： MOSFET 封裝
關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識大合集
- 下面對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。 1，MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。 至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。 對于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開
- 關(guān)鍵字： MOS管 MOSFET
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