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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值
- 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可，而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無用處(比如說：開關(guān)時間)。在這個即將開始的博文系列中，我們將試著破解FET數(shù)據(jù)表，這樣的話，讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應(yīng)用來說，是最常見的數(shù)據(jù)，而不會被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。 自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被
- 關(guān)鍵字： MOSFET UIS
一種寬范圍可調(diào)的小型DC-DC降壓變換器
- 提出了一種小型可調(diào)壓DC-DC降壓變換器的結(jié)構(gòu)。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構(gòu)成。通過PWM波控制，由于PWM波的驅(qū)動能力較差，設(shè)計驅(qū)動電路通過與PWM發(fā)生器一同控制MOSFET管的通斷。通過改變PWM波的占空比來改變輸出電壓以達(dá)到可調(diào)壓的目的。該降壓變換器設(shè)計簡單、經(jīng)濟(jì)適用、體積較小，輸出電壓可調(diào)。主要由主電路和驅(qū)動電路組成。該變換器適用于較低壓工作場合，輸入電壓在5V至20V之間，輸出電壓在3V至18V之間。對電路的工作原理和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入分析，并通過實物制作驗證其可行性。
- 關(guān)鍵字： DC-DC降壓 PWM MOSFET 驅(qū)動電路 201601
意法半導(dǎo)體（ST）推出新款功率MOSFET，實現(xiàn)更小、更環(huán)保的汽車電源
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產(chǎn)品通過AEC-Q101汽車測試認(rèn)證，采用意法半導(dǎo)體最先進(jìn)、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管的MDmeshTM DM2超結(jié)制造工藝，擊穿電壓范圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝?！ ?00V和500V兩款新產(chǎn)品是市場上同級產(chǎn)品中首個獲得AEC-Q101認(rèn)證的功率MOSFET，而600V和650V產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競爭產(chǎn)品。全
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 MOSFET
如何通過配置負(fù)載點轉(zhuǎn)換器提供負(fù)電壓或隔離輸出電壓
- 在溫度高達(dá) 210 攝氏度或需要耐輻射解決方案的惡劣環(huán)境應(yīng)用中，集成型降壓解決方案可充分滿足系統(tǒng)需求。有許多應(yīng)用需要負(fù)輸出電壓或諸如 +12V 或 +15V 等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅(qū)動器電路供電或者為運算放大器實現(xiàn)偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉(zhuǎn)換器，提供負(fù)輸出電壓。此外，我們還將討論如何通過提供高于輸入壓的電壓來滿足應(yīng)用需求。 TPS50601-SP和TPS50301-HT都是專為耐輻射、地質(zhì)、重工業(yè)以及油氣應(yīng)用等惡劣環(huán)境開發(fā)的集成型同步降壓轉(zhuǎn)換器解決方
- 關(guān)鍵字： MOSFET TPS50601-SP 電壓隔離
意法半導(dǎo)體（ST）推出新款電源芯片，將大幅降低家電、照明及工業(yè)設(shè)備中的待機(jī)功耗
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出符合國際零待機(jī)功耗標(biāo)準(zhǔn)的新電源管理芯片，率先為白色家電(white good)、照明及工業(yè)設(shè)備提供喚醒功能智能管理方式。這也代表著電能吸血鬼(裝置在被關(guān)掉或處于閑置狀態(tài)時仍在消耗電能)將不復(fù)存在。 最大限度降低用電設(shè)備的待機(jī)耗電量(也稱：電能吸血鬼)是設(shè)計人員長期努力的目標(biāo)，這也推動了全世界啟用IEA[1]等國際組織提出的節(jié)能建議，即在2010年和2013年前將電器待機(jī)功耗分別降至1W和0
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）推出世界首款1500V超結(jié)功率MOSFET，實現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應(yīng)用
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設(shè)計人員實現(xiàn)產(chǎn)品效能最大化，同時提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑Y(jié)技術(shù)優(yōu)點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設(shè)計中。 新產(chǎn)品瞄準(zhǔn)計算機(jī)服務(wù)器及工業(yè)自動化市場。服務(wù)器要求更高的輔助開關(guān)式電源輸出功率，同時電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機(jī)時間的關(guān)鍵要素，電焊、工廠自
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 MOSFET
更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應(yīng)用
- Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，拓展了高頻電力電子應(yīng)用的范圍。相比于相當(dāng)于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場通過擴(kuò)大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品提供了更高的開關(guān)速率和更低的開關(guān)損耗，從而為電力電子工程師們提供了設(shè)計出更小，更快，更酷，更高效的電源解決方案可能。 新的900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品極大的擴(kuò)大了產(chǎn)品應(yīng)用空間，能夠更好的應(yīng)對不斷發(fā)展變化的應(yīng)用領(lǐng)域，更高的直流母線電壓可以覆蓋
- 關(guān)鍵字： Wolfspeed MOSFET
性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
- Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強(qiáng)代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng)，同時又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢。 SiC與Si性能對比 簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強(qiáng)度高(10倍于S
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應(yīng)用
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn)的48V以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)的開關(guān)，能夠通過以太網(wǎng)線纜向無線接入點、VoIP網(wǎng)絡(luò)電話、銷售點終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控鏡頭及樓房管理設(shè)備等終端應(yīng)用供電。 在局域網(wǎng)路由器及中跨設(shè)備等供電設(shè)備內(nèi)，100V N通道MOSFET把電源接到五類或六類網(wǎng)線。然后網(wǎng)線就會借由消除供終端設(shè)備內(nèi)的電源降低成本，并提供電力和數(shù)據(jù)。該器件還保障了終端用戶，因為以太網(wǎng)
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
用于功率開關(guān)的電阻-電容(RC)緩沖電路設(shè)計
- 功率開關(guān)是所有功率轉(zhuǎn)換器的核心組件。功率開關(guān)的工作性能直接決定了產(chǎn)品的可靠性和效率。若要提升功率轉(zhuǎn)換器開關(guān)電路的性能，可在功率開關(guān)上部署緩沖器，抑制電壓尖峰，并減幅開關(guān)斷開時電路電感產(chǎn)生的振鈴。正確設(shè)計緩沖器可提升可靠性和效率，并降低EMI。在各種不同類型的緩沖器中，電阻電容(RC)緩沖器是最受歡迎的緩沖器電路。本文介紹功率開關(guān)為何需要使用緩沖器。此外還提供一些實用小技巧，助您實現(xiàn)最優(yōu)緩沖器設(shè)計。 圖1： 四種基本的功率開關(guān)電路 有多種不同的拓?fù)溆糜诠β兽D(zhuǎn)換器、
- 關(guān)鍵字： 功率開關(guān) MOSFET
學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計算出來的
- 簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結(jié)!希望大家堅持下去! 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
- 關(guān)鍵字： CMOS MOSFET
如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
- 摘要： 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。 關(guān)鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3 一、引言 MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴(yán)重的EMI問題，導(dǎo)致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗
- 關(guān)鍵字： MOSFET EMI
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