pcie 4.0 phy ip 文章 最新資訊
世界首顆超高并行光計算集成芯片「流星一號」
- 上海光機(jī)所首次在光芯片上實現(xiàn)超 100 并行度的光子計算。
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PCIe 7.0規(guī)范發(fā)布,翻倍狂飆128GT/s
- PCIe 7.0 標(biāo)準(zhǔn)將于 2027 年完成預(yù)發(fā)布測試。
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邊緣AI廣泛應(yīng)用推動并行計算崛起及創(chuàng)新GPU滲透率快速提升
- 人工智能(AI)在邊緣計算領(lǐng)域正經(jīng)歷著突飛猛進(jìn)的高速發(fā)展,根據(jù)IDC的最新數(shù)據(jù),全球邊緣計算支出將從2024年的2280億美元快速增長到2028年的3780億美元*。這種需求的增長速度,以及在智能制造、智慧城市等數(shù)十個行業(yè)中越來越多的應(yīng)用場景中出現(xiàn)的滲透率快速提升,也為執(zhí)行計算任務(wù)的硬件設(shè)計以及面對多樣化場景的模型迭代的速度帶來了挑戰(zhàn)。AI不僅是一項技術(shù)突破,它更是軟件編寫、理解和執(zhí)行方式的一次永久性變革。傳統(tǒng)的軟件開發(fā)基于確定性邏輯和大多是順序執(zhí)行的流程,而如今這一范式正在讓位于概率模型、訓(xùn)練行為以及數(shù)
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芯原超低能耗NPU可為移動端大語言模型推理提供超40 TOPS算力
- 芯原股份(芯原)近日宣布其超低能耗且高性能的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器(NPU)IP現(xiàn)已支持在移動端進(jìn)行大語言模型(LLM)推理,AI算力可擴(kuò)展至40 TOPS以上。該高能效NPU架構(gòu)專為滿足移動平臺日益增長的生成式AI需求而設(shè)計,不僅能夠為AI PC等終端設(shè)備提供強(qiáng)勁算力支持,而且能夠應(yīng)對智慧手機(jī)等移動終端對低能耗更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。芯原的超低能耗NPU IP具備高度可配置、可擴(kuò)展的架構(gòu),支持混合精度計算、稀疏化優(yōu)化和并行處理。其設(shè)計融合了高效的內(nèi)存管理與稀疏感知加速技術(shù),顯著降低計算負(fù)載與延遲,確保AI處理流暢、響應(yīng)
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宜特推出PCIe 6.0測試治具 支援OCP NIC 3.0非標(biāo)準(zhǔn)接口
- 面對高速運算應(yīng)用不斷推升的驗證挑戰(zhàn),宜特今宣布(6/10),領(lǐng)先業(yè)界,推出 OCP NIC 3.0 PCIe Gen6 測試治具,并同步提供完整測試解決方案,協(xié)助客戶搶占新世代資料傳輸市場先機(jī)。圖說 宜特領(lǐng)先業(yè)界,推出PCIe 6.0測試治具與解決方案宜特觀察到,隨著人工智慧(AI)及高效能運算(HPC)快速普及,資料中心規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張,AI 模型訓(xùn)練對通道傳輸速度與頻寬的需求也大幅增加。從采用 x86 架構(gòu)的 Intel Diamond Rapids 與 AMD Venice SP7,皆支援 PCIe 6
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燦芯半導(dǎo)體推出28HKC+工藝平臺TCAM IP
- 近日,一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體(上海)股份有限公司宣布推出基于28HKC+?0.9V/1.8V平臺的Ternary Content-Addressable Memory (TCAM) IP。該IP具有高頻率和低功耗特性,隨著網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中快速處理路由表與訪問控制列表(ACL)等需要高效查找的場景不斷增加,該IP將被高端交換機(jī)、路由器等芯片廣泛采用。燦芯半導(dǎo)體此次發(fā)布的TCAM IP包含全自研Bit cell,符合邏輯設(shè)計規(guī)則,良率高;在可靠性方面,這款TCAM抗工藝偏差強(qiáng),具有高可靠
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Sandisk閃迪發(fā)布 WD_BLACK? SN8100 NVMe? SSD,以行業(yè)前沿速度推動 PCIe Gen 5.0 NVMe? SSD 發(fā)展
- Sandisk?閃迪于近日正式發(fā)布其采用先進(jìn) PCIe? Gen 5.0 技術(shù)的WD_BLACK? SN8100 NVMe? SSD,推動客戶端 SSD 產(chǎn)品發(fā)展。這款先進(jìn)的內(nèi)置 SSD 順序讀取速度高達(dá)14,900 MB/s[1],容量高達(dá)8TB[2],專為高性能游戲、內(nèi)容創(chuàng)作和人工智能(AI)工作負(fù)載設(shè)計。
隨著游戲圖形技術(shù)的革新、4K 和 8K 高質(zhì)量內(nèi)容以及 AI 應(yīng)用的普及,如今的玩家和專業(yè)人士需要能夠進(jìn)一步強(qiáng)化 PC 性能的存儲 - 關(guān)鍵字: Sandisk 閃迪 WD_BLACK SN8100 NVMe SSD PCIe Gen 5.0
MIPI C-PHY更新支持圖像傳感器應(yīng)用
- MIPI 聯(lián)盟更新了用于連接攝像頭和顯示器的高性能、低功耗和低 EMI C-PHY 接口規(guī)范。MIPI C-PHY 3.0 版引入了對 18-Wirestate 模式編碼選項的支持,將 C-PHY 通道的最大性能提高了約 30% 至 35%。此增強(qiáng)功能可在短通道內(nèi)提供高達(dá) 75 Gbps 的速率,滿足快速增長的超高分辨率、高保真圖像傳感器需求。更高效的編碼選項 32b9s 可通過 9 個符號傳輸 32 位,同時保持行業(yè)領(lǐng)先的低 EMI 和低功耗特性。對于攝像頭應(yīng)用,新模式允許為現(xiàn)有用例提供更低的符號速率或
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Arm的40歲 不惑之年開啟的新選擇
- 確定IP技術(shù)發(fā)布的日期有時是一項挑戰(zhàn),尤其是英國處理器內(nèi)核IP設(shè)計商 ARM。不過有證據(jù)可查的是第一款A(yù)rm內(nèi)核處理器是在1985年4月26日在英國劍橋的Acorn上流片的,我們暫且將這個時間作為Arm真正進(jìn)入IC設(shè)計領(lǐng)域的原點。ARM1是Acorn繼BBC Micro家用電腦成功之后自主開發(fā)的處理器。它由Sophie Wilson和Steve Furber開發(fā)。當(dāng)日這顆處理器流片前在設(shè)計和制造方面已經(jīng)進(jìn)行了好幾個月的開發(fā),而且硅片最后花了好幾個月才回到劍橋。 “它的設(shè)計制造成本低廉,由于設(shè)計對微處理器的
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使用萊迪思iFFT和FIR IP的5G OFDM調(diào)制用例
- 摘要本文介紹了一種在FPGA中實現(xiàn)的增強(qiáng)型正交頻分復(fù)用(OFDM)調(diào)制器設(shè)計,它使用了逆FFT模式的萊迪思快速傅立葉變換(FFT)Compiler IP核和萊迪思有限脈沖響應(yīng)(FIR)濾波器IP核。該設(shè)計解決了在沒有主控制器的情況下生成復(fù)雜測試模式的常見難題,大大提高了無線鏈路測試的效率。通過直接測試模擬前端的JESD204B鏈路,OFDM調(diào)制器擺脫了對主機(jī)控制器的依賴,簡化了初始調(diào)試過程。該設(shè)計可直接在萊迪思FPGA核中實現(xiàn),從而節(jié)省成本并縮短開發(fā)周期。該調(diào)制器的有效性驗證中使用了Avant-X70 V
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Cadence率先推出eUSB2V2 IP解決方案
- 為了提供更好的用戶體驗,包括高質(zhì)量的視頻傳輸、更新的筆記本電腦(例如最新的 AI PC)和其他前沿設(shè)備,都需要 5 納米及以下的先進(jìn)節(jié)點 SoC,以達(dá)成出色的功耗、性能和面積(PPA)目標(biāo)。然而,隨著技術(shù)發(fā)展到 5 納米以下的工藝節(jié)點,SoC 供應(yīng)商面臨各種挑戰(zhàn),例如平衡低功耗和低工作電壓(通常低于 1.2V)的需求。與此同時,市場也需要高分辨率相機(jī)、更快的幀率和 AI 驅(qū)動的計算,這就要求接口具有更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更強(qiáng)的抗電磁干擾(EMI)能力。隨著這些性能要求變得越來越復(fù)雜,市場亟需創(chuàng)新的解決方案來
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創(chuàng)意推全球首款HBM4 IP 于臺積電N3P制程成功投片
- 創(chuàng)意2日宣布,自主研發(fā)的HBM4控制器與PHY IP完成投片,采用臺積電最先進(jìn)N3P制程技術(shù),并結(jié)合CoWoS-R先進(jìn)封裝,成為業(yè)界首個實現(xiàn)12 Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率之HBM4解決方案,為AI與高效能運算(HPC)應(yīng)用樹立全新里程碑。HBM4 IP以創(chuàng)新中間層(Interposer)布局設(shè)計優(yōu)化信號完整性(SI)與電源完整性(PI),確保在CoWoS系列封裝技術(shù)下穩(wěn)定運行于高速模式。 創(chuàng)意指出,相較前代HBM3,HBM4 PHY(實體層)效能顯著提升,帶寬提升2.5倍,滿足巨量數(shù)據(jù)傳輸需求、功耗效率提升1
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紫光閃存發(fā)布兩款PCIe 5.0 SSD新品:配備石墨烯散熱片
- 3月28日消息,紫光閃存推出了UNIS SSD S5和S5 Ultra兩款PCIe 5.0固態(tài)硬盤,均采用3D TLC NAND閃存并標(biāo)配1mm超薄石墨烯散熱片。其中,S5系列采用M.2 2280單面設(shè)計,兼容性出色且散熱表現(xiàn)優(yōu)異,搭載12nm工藝主控芯片和PCIe 5.0 x4接口。通過DRAM-less架構(gòu)配合HMB主機(jī)內(nèi)存緩沖技術(shù)和SLC緩存,實現(xiàn)14900MB/s順序讀取、12900MB/s順序?qū)懭氲臉O致性能,4K隨機(jī)讀寫性能高達(dá)1800K/1700K IOPS,1TB/2TB版本分別提供600T
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