nand 閃存文章最新資訊

DRAM市場基礎(chǔ)繼續(xù)惡化預(yù)計(jì)08年資本開支下滑超過30%

　　Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據(jù)三星日前的報(bào)告，我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場基礎(chǔ)繼續(xù)惡化，大多數(shù)DRAM供應(yīng)商，尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減?！? 　　預(yù)計(jì)2008年，DRAM領(lǐng)域的資本開支將下滑超過30%，原來預(yù)計(jì)下降20%。這將導(dǎo)致總體內(nèi)存資本開支減少10-12%。　　在DRAM市場經(jīng)歷了漫長的低迷之后，該市場仍然存在嚴(yán)重的供過于求情況?！斑@主要由于按容量計(jì)
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各類器件增長強(qiáng)勁出貨量增長率預(yù)測調(diào)高

　　據(jù)市場調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預(yù)測是增長8%。　　ICInsights將調(diào)高增長率預(yù)測歸因于以下器件的出貨量強(qiáng)勁增長：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關(guān)的模擬IC(上升32%)。　　ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長率達(dá)到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長，創(chuàng)下前所未有的強(qiáng)勁增長紀(jì)錄。　　ICInsights認(rèn)為，
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內(nèi)存芯片廠商提出新設(shè)計(jì)欲破摩爾定律

　　很多廠商都設(shè)計(jì)出了未來的閃存技術(shù)，但誰能夠首先推出產(chǎn)品呢? 　　Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎(chǔ)是電荷捕獲技術(shù)，這一技術(shù)為閃存產(chǎn)業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。　　Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示，Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術(shù)的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動(dòng)了一項(xiàng)營銷活動(dòng)，希望向其它制造商許可一些技術(shù)。　　伯特蘭說，三星、東芝、Hynix公開表示對電荷捕獲技術(shù)有很大的興趣。我們擁有這一
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第三季度NAND閃存銷售額增長37%，達(dá)42億美元

　　市場調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導(dǎo)體全球銷售額增長37%，達(dá)到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋果iPod在內(nèi)的消費(fèi)電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長勢頭，本季度可能結(jié)束。由于產(chǎn)量增長速度快于需求，本季度NAND的平均銷售價(jià)格將下降18%。　　韓國海力士半導(dǎo)體第三季度增長最快，其NAND銷售額比第二季度大增79%，達(dá)到8.06億美元。它的市場份額是19%，在當(dāng)季全球排名第三。最大的NAND閃存供應(yīng)商三星電子，市場份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數(shù)量
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2007國內(nèi)閃存盤年底盤點(diǎn):功能趨向多元化

　　隨著日歷一天天的翻動(dòng)，轉(zhuǎn)眼2007年即將成為過去。在這一年里，國內(nèi)閃存盤市場繼續(xù)保持著強(qiáng)勁的挺進(jìn)力，無論是市場規(guī)模還是應(yīng)用領(lǐng)域，都在一步步的擴(kuò)大;無論是產(chǎn)品品質(zhì)還是品牌效應(yīng)，都在一點(diǎn)點(diǎn)的提升。　　而仔細(xì)盤點(diǎn)，其中又以四大關(guān)鍵詞最為耀眼。　　降價(jià)：延續(xù)價(jià)格走低曲線　　閃存盤面世八年里，價(jià)格持續(xù)保持著一條走低的曲線，這不僅是產(chǎn)品逐漸成熟的反映，也是產(chǎn)品全面普及的需求。而在2007年，“降價(jià)”這一信息似乎更加顯得熱鬧一些。　　2007年春節(jié)剛過，朗科公司便以迅雷不及掩耳之勢發(fā)動(dòng)了一場名為“春
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閃存成本下滑固態(tài)硬盤價(jià)格將下降筆記本很有優(yōu)勢

　　固態(tài)硬盤明年仍然少見且價(jià)格昂貴，但隨著其量產(chǎn)，閃存成本的下滑，固態(tài)硬盤價(jià)格從2009年，2010年開始將開始下降。　　DRAM與閃存產(chǎn)品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤發(fā)展計(jì)劃。這種硬盤功能與常規(guī)硬盤無異，但與一般硬盤將數(shù)據(jù)存儲在磁碟上不同，固態(tài)硬盤將數(shù)據(jù)保存在NAND內(nèi)存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一樣。　　Micron將從明年第一季度開始大規(guī)模生產(chǎn)固態(tài)硬盤。第一批產(chǎn)品為32GB或64GB型號。雖然容量是現(xiàn)在筆記本電腦硬盤平均容量的一半，但Micron內(nèi)存
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三星減少NAND閃存供貨量擬甩掉臺灣廠商

　　近期，三星和海力士(Hynix)面向臺灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降，另一方面，英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競爭力的價(jià)格并逐步搶占市場，許多分析人士認(rèn)為未來閃存市場或許將會出現(xiàn)另一番局面。　　三星和海力士減少向臺灣內(nèi)存廠商的供貨量，是為了滿足蘋果這類國際大客戶的供貨需求。東芝也限制了供應(yīng)量，唯獨(dú)沒有對群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施，這使得不少臺灣企業(yè)開始考慮降低對大廠商產(chǎn)品的依賴。　　一些臺灣內(nèi)存廠商指出，它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購，
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大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò)存儲中的應(yīng)用

　　1 引言　　隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)管理則成為設(shè)計(jì)人員考慮的重點(diǎn)。在許多現(xiàn)場不可達(dá)數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲，必然帶來數(shù)據(jù)管理的不便，因此，集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)，采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對于大容量數(shù)據(jù)存儲，選擇介質(zhì)存儲是需要重點(diǎn)考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲，但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄，無法長期在惡劣的環(huán)境中長期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
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供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化

　　美國iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，由于供應(yīng)過剩與價(jià)格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。　　NAND閃存方面，預(yù)計(jì)512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價(jià)格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價(jià)格下跌的主要原因韓國內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存，從而導(dǎo)
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淺談USB閃存盤與PIC微控制器系統(tǒng)的連接

問題與挑戰(zhàn) 　　作為現(xiàn)今普遍接受的移動(dòng)存儲工具,USB閃存盤在各種嵌入式系統(tǒng)中也獲得廣泛應(yīng)用。　　本文介紹低成本PIC控制器通過USB2.0全速接口與閃存盤進(jìn)行連接的實(shí)現(xiàn)過程，并著重針對PIC微控制器和VinculumUSB接口芯片說明有關(guān)嵌入式接口的硬件設(shè)計(jì)以及程序的編寫。　　如今各種閃存盤和USB外設(shè)價(jià)格已相當(dāng)?shù)土?并被廣泛應(yīng)用到帶USB接口的PC中.而要將它們應(yīng)用于8位或16位嵌入式系統(tǒng)中,如何解決成本和功耗等問題才是關(guān)鍵.
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年終旺季需求支撐，NAND FLASH合約價(jià)短期平穩(wěn)

　　11月上旬NAND Flash合約價(jià)格大致跌幅約為0-5%，比前兩個(gè)月跌幅明顯縮小，主要是因?yàn)橄掠慰蛻粼?0月已陸續(xù)進(jìn)行降低庫存的動(dòng)作，加上市場預(yù)期11月中旬要開始準(zhǔn)備年底旺季的備貨需求，根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察，NAND Flash價(jià)格走勢在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。　　隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應(yīng)量提高后，下游客戶采購顆粒開始轉(zhuǎn)向以8Gb和16Gb MLC為主流，導(dǎo)致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%，相較于其它規(guī)格來得顯著。有鑒于9月以來
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革命性架構(gòu)推動(dòng)閃存領(lǐng)域發(fā)展

　　Spansion以非易失性存儲技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新推動(dòng)閃存領(lǐng)域的發(fā)展。在本世紀(jì)初推出MirrorBit技術(shù)之后，Spansion以MirrorBit ORNAND技術(shù)和2006年推出的世界首款每單元4比特MirrorBit Quad技術(shù)，不斷引領(lǐng)市場。現(xiàn)在，Spansion又推出了強(qiáng)大的革命性MirrorBit Eclipse架構(gòu)，為多功能手機(jī)及多媒體便攜設(shè)備提供更高性能和更低成本，顯著降低手機(jī)OEM廠商存儲子系統(tǒng)材料(BOM)成本。　　MirroBit Eclipse工作原理　　完整的陣列可以在相
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FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。該系統(tǒng)改進(jìn)了FAT表和FRT表的存儲方式，延長了存儲器的使用壽命，提高了穩(wěn)定性。 NAND Flash存儲器是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，容易出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，同時(shí)在使用中可
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IC Insights：閃存成長暫緩　前景仍看好

　　業(yè)界預(yù)測2007年閃存市場將出現(xiàn)下滑，不過市場研究公司ICInsights仍然看好該產(chǎn)品領(lǐng)域的長期前景。該公司在其McClean報(bào)告(TheMcCleanReport)的半年更新中預(yù)測，2007年閃存市場將比2006年下降1%，從201億美元降到199億美元;但預(yù)計(jì)該市場在2008年將反彈16%，達(dá)到231億美元。　　據(jù)上述年中更新報(bào)告，2007年閃存市場趨緩，主要原因是單位出貨量下降(預(yù)計(jì)2007年成長11%)，和平均銷售價(jià)格(ASP)下滑(預(yù)計(jì)2007年下跌11%)。產(chǎn)品儲存密度提高，導(dǎo)致單位
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07年第三季NAND Flash廠營收逼近39億美元

　　根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營收市占率報(bào)告指出，NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營收表現(xiàn)亮麗，逼近三十九億美元，比第二季增長了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長約30%;而就營收排行而言，三星(Samsung)如預(yù)期再度蟬連冠軍，東芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營收均有顯著的增長。　　　　由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
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