nand 閃存 文章 最新資訊
C8051F的超大容量Flash存儲器擴展
- 摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，當前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機的數(shù)據(jù)存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。 關(guān)鍵詞：NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲 C8051F 引 言 大容量數(shù)據(jù)存儲是單片機應(yīng)用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應(yīng)用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲 C8051F MCU和嵌入式微處理器
NAND閃存合同價格自六月以來首次下跌
- 九月，NAND閃存芯片合約價格自六月以來首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫存增加壓力。 根據(jù)內(nèi)存市場研究機構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價格則相對穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價格有所回升。 據(jù)臺灣內(nèi)存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業(yè)內(nèi)，使得激烈價格上升。需求被昂貴的價格壓抑，反映在現(xiàn)貨市場價格疲弱。 雖然許多內(nèi)存庫存商8月期間已經(jīng)減少其采購，最新的報價仍然加
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三星等涉嫌操控NAND閃存價格被起訴
- 據(jù)國外媒體報道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價格而遇到集體訴訟。 據(jù)悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導(dǎo)體、美光（Micron）科技、美光半導(dǎo)體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導(dǎo)體、三星電子、意法半導(dǎo)體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
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東芝與SanDisk合資閃存工廠 計劃月產(chǎn)8萬晶圓
- 東芝(Toshiba)與SanDisk合資的300mm晶圓廠Fab 4舉行落成典禮。該廠位于東芝在日本四日市(Yokkaichi)的場地內(nèi)。 東芝于2006年8月開始興建上述工廠，預(yù)計在2007年12月開始大規(guī)模生產(chǎn)，并在2008年下半年把月產(chǎn)能提高到8萬片晶圓。在從2006年4月到2008年3月的兩年內(nèi)，F(xiàn)ab 4項目的投資額預(yù)計達3,000億日元(約合26億美元)。 東芝和SanDisk表示，F(xiàn)ab 4的月產(chǎn)能有望提高到21萬片。Fab
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東芝與SanDisk合資閃存工廠 計劃月產(chǎn)8萬晶圓
- 東芝(Toshiba)與SanDisk合資的300mm晶圓廠Fab 4舉行落成典禮。該廠位于東芝在日本四日市(Yokkaichi)的場地內(nèi)。 東芝于2006年8月開始興建上述工廠，預(yù)計在2007年12月開始大規(guī)模生產(chǎn)，并在2008年下半年把月產(chǎn)能提高到8萬片晶圓。在從2006年4月到2008年3月的兩年內(nèi)，F(xiàn)ab 4項目的投資額預(yù)計達3,000億日元(約合26億美元)。 東芝和SanDisk表示，F(xiàn)ab 4的月產(chǎn)能有望提高到21萬片。Fab 4在開始階段將采用56納
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閃存將大規(guī)模入侵PMP市場
- iSuppli分析指出，在2011年，配置閃存的PMP的出貨量將從2006年的590萬臺增長到1.502億臺，增長25.5倍。配置閃存的PMP2007年的出貨量將達到5480萬臺，幾乎是2006年的9倍。PMP是指能夠播放視頻并且配置合適的彩色顯示屏的MP3播放機。同時，配置硬盤的PMP的出貨量將以更溫和的速度增長。2011年配置硬盤的PMP的出貨量將從2007年的2930萬臺增長到3530萬臺。NAND閃存成本已經(jīng)下降到MP3音樂播放機廠商能夠增加足夠的容量支持視頻內(nèi)容的程度。視頻比音頻需要更多的存儲容
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瑞薩科技發(fā)布帶有片上閃存的R8C/Tiny系列小型高性能16位MCU
- 瑞薩科技公司宣布，作為帶有片上閃存的R8C/Tiny系列小型高性能16位MCU一部分的7個家族30款新產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)了商品化。R8C/2E、R8C/2F、R8C/2G、R8C/2K和R8C/2L家族適用的應(yīng)用包括電源控制和電機控制，采用32引腳封裝，而R8C/2H和R8C/2J采用20引腳封裝。樣品將于2007年8月28日開始在日本交付。 R8C/Tiny系列MCU全部帶有片上閃存，并結(jié)合了高性能與易用性。增加的30款新產(chǎn)品將R8C/Tiny系列中的產(chǎn)品總數(shù)增加到268個。通過增加適用于如電源控制和電機控制
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基于FPGA的NAND FLASH控制器
- 1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤、MP3播放器、數(shù)碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復(fù)雜，對時序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來很大的難度，于是就要求有一個控制器，使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)
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歐盟批準英特爾與意法半導(dǎo)體合并閃存業(yè)務(wù)
- 英特爾和意法半導(dǎo)體（STMicro）合并雙方閃存部門的計劃周一獲得了歐盟委員會的批準。該合并計劃得到了私募基金公司FranciscoPartners的支持。 這筆交易將有助于合并后的公司實現(xiàn)規(guī)?；\營，解決閃存產(chǎn)品激烈的價格競爭，并可以使兩家公司擺脫這個給他們的利潤率帶來重壓的業(yè)務(wù)。雙方今年5月首次宣布了這樁交易。 根據(jù)交易條款，意法半導(dǎo)體將向新成立的公司出售其閃存資產(chǎn)，英特爾將出售其NOR閃存資產(chǎn)及資源。做為交換，英特爾將得到合資企業(yè)45.1%的股權(quán)及4.32億美元現(xiàn)金，意法半導(dǎo)
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PISMO顧問委員會發(fā)布新2.0多媒體標準
- 致力于簡化系統(tǒng)級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問委員會近日宣布，PISMO 2.0多媒體標準已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應(yīng)商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿足手機和消費產(chǎn)品中存儲豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺上測試多種存
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三星調(diào)高閃存價格 帶動內(nèi)存價格上升
- 在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價格造成的影響。業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升。 業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升，同時受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場的價格，力晶半導(dǎo)體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報價。 在三星向外界透露
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三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊
- NAND Flash供需出現(xiàn)進一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故，導(dǎo)致市場產(chǎn)生供給量減少之預(yù)期亦是主因。然而合約價部份，由于廠商仍存在過度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應(yīng)止于小幅上揚。 Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電，生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線全部停止運轉(zhuǎn)。雖然4日恢復(fù)運轉(zhuǎn)，但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄?，F(xiàn)階段Samsung與市場上仍有一定庫存量，9月份實際供給
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