nand 閃存文章最新資訊

美刊稱閃存將改變個人電腦存儲技術(shù)

新華網(wǎng)華盛頓6月3日電據(jù)提前出版的最新一期美國《商業(yè)周刊》撰文說，固態(tài)硬盤SSD以及目前已廣泛使用的USB盤都采用了相似的閃存記憶技術(shù)。預(yù)計今年秋季，使用閃存與傳統(tǒng)磁盤存儲相結(jié)合的混合式存儲系統(tǒng)的電腦將大量上市。文章指出，對個人電腦用戶來說，使用閃存可靠性高、能耗低，尤其啟動時運(yùn)行速度較快，還能擴(kuò)大手機(jī)和音樂播放器等的存儲容量。但由于芯片成本和重寫次數(shù)的限制，閃存一直未能用于大規(guī)模存儲。如今，制造商已開發(fā)出新技術(shù)，確保閃存中信息在芯片上的位置不會經(jīng)常變化，從而減少了
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三星為3G手機(jī)開發(fā)出大容量閃存芯片系統(tǒng)

韓國三星電子公司日前發(fā)布了一款針對3G手機(jī)設(shè)備的大容量閃存芯片產(chǎn)品，其內(nèi)部實(shí)際封裝了多顆閃存芯片，手機(jī)上的外部存儲卡插槽可能從此成為歷史。據(jù)三星稱，這個嵌入式4GB多芯片系統(tǒng)被叫做moviMCP，它在一個單元上集成了多個存儲功能，消除了對外部擴(kuò)展槽的需求，因而可以為高度壓縮的手機(jī)節(jié)省更多空間。這個封裝包含了16Gb NAND閃存和一個控制器，一個為處理器提供支持的1Gb DRAM芯片和一個支持手機(jī)整體運(yùn)行的2Gb NAND芯片。為不同類型的NAND
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微軟聯(lián)手英特爾戴爾開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存接口

5月31日消息，美國當(dāng)?shù)貢r間5月30日，微軟公司宣布將與英特爾、戴爾結(jié)成合作伙伴關(guān)系，開發(fā)面向PC的標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存接口。據(jù)techspot網(wǎng)站報道稱，名為“非揮發(fā)性內(nèi)存主機(jī)控制器接口組織”的這一組織是由英特爾倡導(dǎo)成立的，旨在利用閃存加速現(xiàn)代操作系統(tǒng)中的功能，例如Windows Vista中的ReadyBoost和ReadyDrive。該組織希望能夠加速其標(biāo)準(zhǔn)的普及，從而使其優(yōu)勢得到真正的體驗(yàn)。英特爾或其它廠商是否會將這一接口提供給Windows之外的其它軟件還不得而知，但從該組
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英特爾與意法合營閃存或?yàn)閿[脫虧損

傳言可能退出NOR閃存市場的英特爾選擇了另一條道路。日前，它與意法半導(dǎo)體宣布，將組建一個新的合資公司，以共同經(jīng)營閃存業(yè)務(wù)。之前，業(yè)內(nèi)一直猜測，在退出通訊處理器市場后，英特爾將會退出NOR閃存市場，以應(yīng)對來自PC芯片對手的沖擊。新的合資公司的工廠將設(shè)立在瑞士與荷蘭，大約雇用8000名員工，主要生產(chǎn)制造NOR和NAND類型的閃存芯片產(chǎn)品。合資公司中，意法半導(dǎo)體擁有48.6%的較多股份，英特爾持有45.1%，另外一家美國企業(yè)擁有剩余股份。這也是英特爾繼對手AMD之后的行動。2003年，AMD與日本富士通整
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意法半導(dǎo)體與英特爾合建最大閃存公司

5月23日據(jù)國外媒體報道，意法半導(dǎo)體及英特爾昨天發(fā)表聲明，計劃將各自虧損的閃存部門合并成一家新公司，這家新公司將成為全球最大的閃存制造公司。該份聲明指出，意法半導(dǎo)體將持有新公司48.6%的股權(quán)并獲得新公司給予的4.68億美元；英特爾將持有45.1%股權(quán)，得到4.32億美元。一向以收購科技公司為目標(biāo)的公司FranciscoPartners將對這家新公司投資1.5億美元，并持有6.3%股權(quán)。合并后的公司年收入將達(dá)36億美元。據(jù)報道，意法半導(dǎo)體CEO Bozotti
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美國美光科技：NAND閃存的未來在SSD

作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference（WinHEC）的美國美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術(shù)研討會（Technical Session）。該公司 Memory Products Group 的首席應(yīng)用工程師（D
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2007年5月22日，Intel、ST和FranciscoPartners宣布成立閃存公司

　　2007年5月22日，英特爾、意法半導(dǎo)體和FranciscoPartners宣布共同組建一家獨(dú)立的閃存公司。
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NAND Flash和NOR Flash的比較

　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
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臺模塊廠飽受NAND Flash缺貨之苦三星陣營臺廠壓力倍增

相較于DRAM價格萎靡不振，近期南韓內(nèi)存大廠三星電子(Samsung Electronics)對于拉抬NAND型閃存( Flash)市場不遺余力，然最令客戶頭痛的問題是，目前三星電子受限于產(chǎn)能問題，釋出給臺廠NAND Flash貨源仍相當(dāng)有限，各模塊廠都飽受缺貨之苦，而隸屬于東芝(Toshiba)陣營的客戶，尤其是內(nèi)存模塊大廠金士頓(Kingston)，由于東芝給予的成本較低，最近在大陸市場低價策略越來越積極，這讓與三星電子站在同一陣營的臺廠壓力倍增。近期三星電子不斷釋出N
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聯(lián)電看準(zhǔn)CPU和閃存市場機(jī)會有意多方出擊

為了實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品多樣化，臺灣晶圓廠聯(lián)華電子（UMC，簡稱聯(lián)電）有意利用自己的65納米和45納米技術(shù)進(jìn)軍CPU和NAND閃存產(chǎn)品的生產(chǎn)領(lǐng)域。聯(lián)電稱他們正在洽談一宗CPU生產(chǎn)協(xié)議，但對于出擊大容量閃存市場的問題則顯得出言謹(jǐn)慎。聯(lián)電首席執(zhí)行官胡國強(qiáng)稱聯(lián)電“難以忽視”發(fā)展迅速的閃存市場，因此計劃在NAND、NOR和SRAM領(lǐng)域追逐訂單，但不會涉足DRAM（內(nèi)存）市場。胡國強(qiáng)不愿透露具體細(xì)節(jié)，但暗示聯(lián)電不會在目前激烈混戰(zhàn)的閃存產(chǎn)品市場涉足過深。 “NAND和NOR的價格起伏太大了，所以我們對此不得不深思熟慮，”胡國強(qiáng)
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SanDisk閃存繼續(xù)降價 56nm量產(chǎn)指日可待

今年第一季度NAND閃存出現(xiàn)了產(chǎn)能過剩的情況，尤其是多層單元NAND閃存，價格也隨之大幅度下跌，這對新達(dá)公司的影響很大。一季度他虧損57萬5000美元，而去年同期是盈利3510萬美元。今年一季度毛利潤率為14.2%，去年則為28.4%。存儲卡平均容量達(dá)到了1231MB，年增長率為87%，季度增長率為11%。而每MB平均價格年下跌率為62%，季度下跌率為23%。對于出現(xiàn)這種局面的原因，公司主席兼首席執(zhí)行官Eli Harari解釋說芯片制造商處在單層單元閃存到多層單元閃存的換代中，老型
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DRAM價格或?qū)⒂|底，NAND供應(yīng)商加快開發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品

據(jù)Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價格下跌到了20美元左右，這也影響到了現(xiàn)貨市場的價格走勢。面向2007年下半年P(guān)C銷售旺季，PC廠商將增加庫存，預(yù)計DRAM需求將隨之增長。因此，DRAM價格可能在2007年下半年觸底。價格持續(xù)下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現(xiàn)貨市場的價格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
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閃存將取代硬盤 2010年20%筆記本電腦采用閃存

4月30日，據(jù)外電報道，速度更快、更安靜的筆記本電腦已經(jīng)問世，閃存取代了硬盤的位置，但其容量有限及價格昂貴，意味著這種新科技還無法普及到大眾市場。 “價格差異仍大?！比蜃畲蠊P記型電腦代工廠商--臺灣的廣達(dá)電腦總經(jīng)理王震華表示，“我不認(rèn)為未來3年閃存電腦將成主流?！贝送?，儲存容量是另一個問題。128GB是目前閃存的最大容量，使其難以與臺式PC的硬盤競爭。不過，有分析師認(rèn)為，普及的日子應(yīng)該不遠(yuǎn)了。閃存目前以每年五成的速度下跌，分析師預(yù)測到2010年，約有20%筆記本電腦采用閃存作為硬盤。Gartner在近
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英特爾合資公司開發(fā)出MLC閃存樣品

據(jù)國外媒體報道，本周四美光科技宣布，它與英特爾的合資企業(yè)IM Flash科技公司已經(jīng)開發(fā)出處于行業(yè)領(lǐng)先水平的50納米MLC(多層單元)NAND閃存芯片樣品。美光稱，與SLC(單層單元)閃存組件相比，新的MLC 閃存組件體積更小，能量效益更高，能夠更理想的使用在目前的計算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中。MLC 閃存組件的密度為16GB，而SLC閃存組件的密度僅4GB。英特爾NAND閃存部門副總裁兼總經(jīng)理Randy Wilhelm表示，我們與美光的合資公司提前開發(fā)出了行業(yè)中領(lǐng)先水
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東芝推出業(yè)界容量最大的嵌入式 NAND 閃存

　　東芝公司 (Toshiba Corp.) 與其美洲子公司東芝美國電子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 聯(lián)合宣布，該公司已經(jīng)推廣了一種新型嵌入式 NAND 閃存系列產(chǎn)品，這一系列產(chǎn)品遵從了 eMMC 標(biāo)準(zhǔn)并且容量達(dá)到該行業(yè)之最。這種容量為 16GB 的新設(shè)備旨在應(yīng)用于手機(jī)和攝像機(jī)等移動消費(fèi)產(chǎn)品。樣品將于今年第二季度推出市場，大批量的生產(chǎn)將于第四季度開始。在這之前，東芝將在本月開始推出 8GB 樣品，并將于第三季度開始大規(guī)模生產(chǎn)。　　
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