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          mobile dram 文章 最新資訊

          DRAM業(yè)恐掀巨變 美光面臨生存戰(zhàn)

          • 并購以后DRAM市場的“貧富差距”愈形明顯,產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)可能掀起巨變。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

          2016年全球DRAM市場與趨勢分析

          • 本文主要介紹和分析了2015和2016年DRAM市場走勢。結(jié)論是2016年第三季度DRAM已經(jīng)平穩(wěn)上漲4%~8%左右。預(yù)計(jì)在2016第四季度價(jià)格會(huì)略有下滑,但2017年成長會(huì)低于20%。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  市場  手機(jī)  服務(wù)器  201608  

          后摩爾定律時(shí)代:終于跨越鴻溝?

          • 摩爾定律并未失效,可能無法像以前那樣自動(dòng)跳到下一世代制程,不過可以看到有很多公司在進(jìn)行20 nm及以下的設(shè)計(jì)開發(fā)。
          • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  DRAM  

          NAND快閃記憶體價(jià)格上漲 創(chuàng)見威剛笑開懷

          •   NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡(luò),加上智能手機(jī)搭載容量提高,帶動(dòng)近月價(jià)格持續(xù)上漲,創(chuàng)見、威剛等模組廠營運(yùn)受惠,市場預(yù)期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動(dòng)能如何,將攸關(guān)NAND快閃記憶體價(jià)格續(xù)漲力道。   市場指出,上半年非蘋陣營智能手機(jī)產(chǎn)品銷售強(qiáng)勁,產(chǎn)品功能提升帶動(dòng)記憶體需求大增,加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導(dǎo)致停工,帶動(dòng)NAND快閃記憶體價(jià)格上漲,主流產(chǎn)品在1個(gè)月內(nèi)漲幅超過2成。   市況變化帶動(dòng)記憶體模組廠營運(yùn)增溫,創(chuàng)見表示,在漲價(jià)預(yù)期心理帶動(dòng)下,通路拉貨力道明顯回升,DRA
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

          老杳:華為T-Mobile諾基亞訴訟的背后邏輯

          •   華為在美國起訴T-Mobile,Nokia在美國反訴華為。   Nokia替T-Mobile出頭反訴華為沒有錯(cuò),因?yàn)樽鳛檫\(yùn)營商,T-Mobile本身專利較少,根本無力應(yīng)對華為的訴訟。   之所以Nokia要為T-mobile出頭,原因也很簡單,作為T-Mobile的主要設(shè)備供應(yīng)商,在供貨協(xié)議中肯定已經(jīng)明確了一旦T-Mobile遭遇訴訟,Nokia需要承擔(dān)所有訴訟的費(fèi)用和賠償。因此Nokia必須出頭反訴,否則靜等法庭判決只會(huì)輸?shù)母唷?   華為電信設(shè)備無法進(jìn)入美國市場,智能手機(jī)在美國銷量也一般,因
          • 關(guān)鍵字: 華為  T-Mobile  

          中國首座DRAM廠動(dòng)工,三星、海力士冒冷汗

          •   韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)周二報(bào)導(dǎo),國營福建晉華積體電路公司(音譯:Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.)在來自聯(lián)電(2303)技術(shù)的加持下,已著手建造半導(dǎo)體廠,將藉此切入DRAM市場。   來自產(chǎn)業(yè)內(nèi)的訊息指出,福建晉華上周六已在晉江市,舉行DRAM廠破土動(dòng)工儀式,第一期工程投資規(guī)模預(yù)估來到370億人民幣,或相當(dāng)于55億美元,2018年投產(chǎn)后每月可產(chǎn)出6萬片晶圓(32奈米)。   據(jù)報(bào)導(dǎo),福建晉華將獲得聯(lián)電技術(shù)支援,且全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)傳也有參與投資,但未獲
          • 關(guān)鍵字: DRAM  三星  

          IC Insights下修今年半導(dǎo)體業(yè)成長率至-1%

          •   IC Insights近日調(diào)降2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長率預(yù)測至-1%,表示英國脫歐也是為產(chǎn)業(yè)帶來負(fù)面沖擊的原因之一…   市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights近日調(diào)降了對2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長率預(yù)測,由原先的2%下修為-1%;該機(jī)構(gòu)表示,調(diào)降產(chǎn)業(yè)成長率預(yù)測的主要原因,是基于全球經(jīng)濟(jì)表現(xiàn)衰弱,以及低迷不振的DRAM市場。   消 費(fèi)性電子市場與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之間的連動(dòng)關(guān)系越來越密切,IC Insights預(yù)期,2016年全球GDP與成長率僅2.3%;而GDP成長率若低于2.5%,被認(rèn)為是
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          三星與IBM聯(lián)手打造STT-MRAM

          •   據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,IBM和三星近日在IEEE上發(fā)布研究論文稱,兩家公司聯(lián)手打造了一種被稱為STT-MRAM的新內(nèi)存,有望成為目前DRAM內(nèi)存的最實(shí)際接替者。   DRAM,即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,目前最大的發(fā)展障礙就是其很難被壓縮至10nm以下,因此兩家公司研發(fā)的STT-MRAM(自旋傳輸磁性記憶體)首先就將解決這一問題。   另外,新內(nèi)存也將擁有更高的傳輸速度且更加省電,理論性能也將超越DRAM。   業(yè)界認(rèn)為,這可能是目前DRAM的最佳接替者,因?yàn)?5%的DRAM制造設(shè)施都
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          老杳:面對政府決策論證專家能否直面良心

          •   一條有關(guān)中國集成電路產(chǎn)業(yè)的重要新聞:   《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》于11日在北京通過專家論證,一個(gè)千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。   與會(huì)專家表示,《發(fā)展規(guī)劃》立足晉江、對標(biāo)國內(nèi)、放眼全球,符合區(qū)域?qū)嶋H、切合國內(nèi)格局、貼合產(chǎn)業(yè)方向,具有較強(qiáng)的指向性和操作性。   老杳不是專家,不過即使從表述文字也可以看出其中眾多蹊蹺,在集成電路領(lǐng)域一窮二白的晉江市,僅僅一個(gè)集成電路的產(chǎn)業(yè)規(guī)劃就意味著“千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起”?又如何推演出
          • 關(guān)鍵字: DRAM  集成電路  

          IC Insights:英脫歐/DRAM需求疲軟 拖累半導(dǎo)體市場成長率

          •   長久以來,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“健康狀況”與全球經(jīng)濟(jì)成長息息相關(guān),很少有強(qiáng)大的半導(dǎo)體市場,沒有好的世界經(jīng)濟(jì)在背后支撐它。在七月推出的2016年McClean報(bào)告中,市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights預(yù)測,今年全球GDP成長率僅2.3%,低于全球不景氣門檻(RecessionThreshold)的2.5%。   受到DRAM市場的需求下降與英國脫歐影響,整體半導(dǎo)體市場成長率將下滑。   目前,在許多地區(qū)中,地方經(jīng)濟(jì)逐漸趨緩,即便是中國,這個(gè)個(gè)人電腦、數(shù)位電視、智慧型手機(jī)、新型商用飛機(jī)與汽車
          • 關(guān)鍵字: DRAM  半導(dǎo)體  

          福建千億集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)劃通過 打造中國內(nèi)存基地

          •   記者12日從福建晉江市委宣傳部獲悉,《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》(以下簡稱“《發(fā)展規(guī)劃》”)于11日在北京通過專家論證,一個(gè)千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。   據(jù)介紹,《發(fā)展規(guī)劃》描繪了泉州晉江未來十年(2016-2025)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展藍(lán)圖,提出到2025年,將構(gòu)建千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈、資源生態(tài)圈、智能生態(tài)圈、企業(yè)生態(tài)圈。   論證會(huì)由工信部電子一所副所長萬鵬遠(yuǎn)主持。在3個(gè)多小時(shí)的論證會(huì)上,中科院半導(dǎo)體所所長李樹深,中科院微
          • 關(guān)鍵字: 集成電路  DRAM  

          專利糾紛不斷!華為在美對T-Mobile提起專利訴訟

          •   據(jù)美國媒體報(bào)道,周二華為在美國德克薩斯州東區(qū)法庭提起專利訴訟,指控美國無線運(yùn)營商T-Mobile拒絕與其達(dá)成專利許可協(xié)議,并繼續(xù)侵犯自己的專利權(quán)。華為曾提出按照公平、合理和非歧視條款許可T-Mobile使用其4G專利,但T-Mobile拒絕此要求。   此次糾紛要追溯到2014年,當(dāng)時(shí)華為想與位于內(nèi)布拉斯加州貝爾維尤的T-Mobile進(jìn)行專利許可談判,但T-Mobile不愿意簽署非披露協(xié)議,導(dǎo)致談判終止。今年早些時(shí)候,華為提交了數(shù)起專利侵權(quán)訴訟。目前華為還未提出賠償金額要求。相反,該公司要求法庭發(fā)布
          • 關(guān)鍵字: 華為  T-Mobile  

          集邦科技:DRAM價(jià)格Q3將漲4~8%

          •   由于記憶體原廠端供貨吃緊,一線PC-OEM客戶于六月提前與DRAM廠洽談第三季合約價(jià)格,集邦科技旗下DRAMeXchange預(yù)估第三季DRAM合約價(jià)上漲趨勢確立,漲幅約4~8%。   DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷表示,經(jīng)過近兩年的續(xù)跌,6月合約價(jià)已呈現(xiàn)持平,普遍用12.5美元價(jià)格議定完成。DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示,DDR3 4GB合約均價(jià)從2014年10月的32.75美元下跌至今年六月的12.5美元,跌幅高達(dá)62%。   吳雅婷表示,第三季的DRAM合約均價(jià)起漲,起因于標(biāo)準(zhǔn)
          • 關(guān)鍵字: 集邦科技  DRAM  

          中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場前景

          • 本文介紹了存儲(chǔ)器芯片分類,國際存儲(chǔ)芯片廠商的發(fā)展情況,及我國存儲(chǔ)芯片供需情況。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  市場  DRAM  Flash  201607  

          日經(jīng):PC用DRAM價(jià)格月增6%,能見度到九月

          •   行動(dòng)記憶體需求暴增,在晶片制造商窮于應(yīng)付的同時(shí), PC用DRAM卻也因此受惠,現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)攀升。   據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),行情指標(biāo)4-Gigabit DDR3 DRAM過去一個(gè)月上漲6%,目前來到1.74美元,某些產(chǎn)品甚至還漲到2美元以上。PC出貨量萎縮、需求能見度明明不佳,但PC用DRAM價(jià)格之所以還能往上攀升,是因?yàn)槊拦獾扔洃涹w大廠將部分產(chǎn)能移作生產(chǎn)行動(dòng)產(chǎn)品,以致供給減少。   PC制造商夏季機(jī)種目前已陸續(xù)上市,盡管此時(shí)季節(jié)性需求已開始減緩,但許多專家仍舊看好DRAM這波反彈行情將一直延續(xù)至九月,
          • 關(guān)鍵字: PC  DRAM  
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          mobile dram介紹

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