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          4億美元太貴！臺積電仍拒絕購買ASML的High-NA EUV設備
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 目前，生產尖端半導體必不可少的EUV（極紫外）光刻設備由荷蘭ASML獨家供應，而臺積電2nm工藝就是利用現(xiàn)有的EUV設備實現(xiàn)晶圓的大規(guī)模量產，并保持較高的良率。但隨著推進到更先進的次2nm節(jié)點 —— 即1.4nm與1nm（分別代號A14與A10）—— 制造工藝將面臨更多技術瓶頸。理論上，這些問題可以通過采購ASML的最先進High-NA EUV設備來解決，但最新消息稱臺積電選擇的方向并非購買新設備，而是轉向使用光掩模薄膜（Photomask Pellicles）。什么是High-NA光刻機？從早期的深紫外
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          • 關鍵字：
                        臺積電  ASML  High-NA  EUV  2nm                          
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          High-NA不是通往2納米時代的唯一道路
          
                                                            
            
                    	
          • 半導體行業(yè)正在重新評估其制造最先進芯片的長期路線圖。高數字光圈(High-NA)光刻技術,曾被視為2 nm以下節(jié)點小型化的明確路徑,現(xiàn)在正在與其他選項進行權衡。
	
	
	
		

	
	

	
	盡管在光學領域取得了里程碑式的成就,但高NA所需的重大挑戰(zhàn)和巨大的資本投資刺激了互補模式技術的平行發(fā)展。事實上,這些技術作為競爭和實用的替代品正在獲得牽引力。這不是對光學進步的拒絕。這是一個多方面工具包的務實擁抱,其中材料科學,物理學和創(chuàng)新過程的進步融合在一起,以克服強大的障礙。High-N
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          • 關鍵字：
                        High-NA  2納米                          
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          SK海力士引入全球首臺High-NA EUV設備
          
                                                            
            
                    	
          • 據SK海力士官方消息，2025年9月3日，該公司在韓國利川M16工廠成功引進了業(yè)界首款量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV），并舉行了設備入廠慶祝儀式。此次引進的設備為荷蘭ASML公司開發(fā)的TWINSCAN EXE:5200B，是全球首款量產型High-NA EUV設備。相比現(xiàn)有EUV設備（NA 0.33），其光學性能（NA 0.55）提升了40%，能夠繪制精密度高達1.7倍的電路圖案，同時將芯片集成度提升2.9倍。這一技術突破將顯著推動半導體制造向更微細化和高集成度方向發(fā)展。SK海力士自
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  High-NA  EUV設備                          
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          半導體巨頭對high-NA EUV態(tài)度分化
          
                                                            
            
                    	
          • 據外媒報道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭議的觀點：未來晶體管設計，例如GAAFET和CFET架構，可能會降低芯片制造對先進光刻設備的依賴，尤其是對EUV光刻機的需求。這一觀點無疑對當前芯片制造技術的核心模式提出了挑戰(zhàn)。目前，ASML的極紫外光（EUV）及高數值孔徑（high-NA）EUV光刻機在先進制程中扮演關鍵角色，通過曝光步驟將電路設計轉印至晶圓，隨后通過沉積和蝕刻工藝形成晶體管結構。然而，該英特爾高層認為，隨著GAAFET和CFET等3D晶體管結構的發(fā)展，芯片制造將更依賴蝕刻技術，而非單純
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          • 關鍵字：
                        半導體  high-NA EUV                          
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          臺積電仍在評估ASML的“High-NA”，因為英特爾未來會使用
          
                                                            
            
                    	
          • 全球最大的合同芯片制造商臺積電制造股份有限公司 （2330.TW） 仍在評估何時將 ASML 的尖端高數值孔徑 （NA） 機器用于其未來的工藝節(jié)點，一位高管周二表示。芯片制造商正在權衡這些價值近 4 億美元的機器的速度和精度優(yōu)勢何時會超過芯片制造廠中最昂貴的設備幾乎翻倍的價格標簽。當被問及臺積電是否計劃將這臺機器用于其即將推出的 A14 和未來節(jié)點的增強版本時，Kevin Zhang 表示，該公司尚未找到令人信服的理由。“A14，我所說的增強，在不使用 High-NA 的情況下非?？捎^。因此，我們的技術團
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          • 關鍵字：
                        臺積電  ASML  “High-NA”                          
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          英特爾：ASML首批兩臺High-NA EUV設備已投產
          
                                                            
            
                    	
          • 據路透社報道，半導體大廠英特爾近日表示，半導體設備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺尖端高數值孔徑（High NA）光刻機已在其工廠正式投入生產，且早期數據顯示，這些設備的性能比之前的機型更可靠。報道稱，英特爾資深首席工程師Steve Carson在加利福尼亞州圣何塞舉行的一次會議上指出，英特爾已經利用ASML高數值孔徑光刻機在一個季度內生產了3萬片晶圓，這些晶圓是足以生產數千個計算芯片的大型硅片。2024年，英特爾成為全球第一家接收這些先進設備的芯片制造商，與之前的ASML設備相比，這些機器可望制造出更小
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          • 關鍵字：
                        英特爾  ASML  High-NA  EUV                          
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          英特爾兩臺High NA EUV光刻機已投產，單季完成3萬片晶圓
          
                                                            
            
                    	
          • 據路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場會議上表示，英特爾已經安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠生產，早期數據表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。Steve
 Carson指出，新的High NA 
EUV光刻機能以更少曝光次數完成與早期設備相同的工作，從而節(jié)省時間和成本。英特爾工廠的早期結果顯示，High NA EUV 
機器只需要一次曝光和“個位數”的處理步驟，即可完成早期機器需要三次曝光和約40個處
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          • 關鍵字：
                        英特爾  High NA EUV  光刻機  晶圓                          
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          英特爾：首批兩臺High-NA EUV 設備已投產
          
                                                            
            
                    	
          • 英特爾24日表示，ASML首批的兩臺先進曝光機已投產，早期數據顯示比之前機型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數值孔徑（High NA）曝光機一季內生產 3 萬片晶圓，即生產數千顆運算芯片的大型硅片。英特爾去年成為全球第一間接收這些設備的芯片制造商，與之前ASML設備相比，這些機器可望制造出更小、更快的運算芯片。 此舉是英特爾策略轉變，因英特爾采用上代極紫外光（EUV）曝光機時落后競爭對手。英特爾花了七年才將之前機器全面投產，導致領先優(yōu)勢被臺積電超越。 生產
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          • 關鍵字：
                        英特爾  High-NA  EUV                          
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          imec采用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構
          
                                                            
            
                    	
          • 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態(tài)系
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          • 關鍵字：
                        imec  High-NA  EUV  DRAM                          
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          價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
          
                                                            
            
                    	
          • 8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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          • 關鍵字：
                        Intel  High NA EUV  光刻機  晶圓  8納米                          
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          ASML第二臺High-NA設備，即將導入英特爾奧勒岡廠
          
                                                            
            
                    	
          • 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設備。根據英特爾8/1財報電話會議紀錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺大型設備，安裝時間需要數月，預計可帶來新一代更強大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出，第二臺High NA設備即將進入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財報會議后股價表現(xiàn)不佳，因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開始出貨第二臺High NA設備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺的收入。不過
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          • 關鍵字：
                        ASML  High-NA  英特爾  光刻機                          
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          臺積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術論壇臺北站”的活動，臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術和新產品，包括High-NA EUV設備將如何實現(xiàn)未來
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                        臺積電  ASML  High-NA  EUV  光刻機                          
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          High-NA EUV光刻機或將成為英特爾的轉機
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 上個月英特爾晶圓代工宣布完成了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機組裝工作。隨后開始在Fab D1X進行校準步驟，為未來工藝路線圖的生產做好準備。
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                        High-NA  EUV  光刻機  英特爾  芯片  半導體                          
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          High-NA EUV光刻機入場，究竟有多強？
          
                                                            
            
                    	
          • 光刻機一直是半導體領域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導體產業(yè)的發(fā)展奠定了堅實基礎；再到后來的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網顯示，其組裝了兩個 TWINSCAN EXE:5000 高數值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個由 ASM 與 imec 合作開發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
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                        High-NA EUV                          
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          ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術
          
                                                            
            
                    	
          • 3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術，運行效率得以提升。根據IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實現(xiàn) 195 片晶圓的每小時吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術 High-NA（高數值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導致影響晶圓吞吐量的光損失。
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                        ASM  NXE:3800E EUV  光刻機  High-NA                          
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