high-na 文章 最新資訊
4億美元太貴！臺積電仍拒絕購買ASML的High-NA EUV設備
- 目前，生產(chǎn)尖端半導體必不可少的EUV（極紫外）光刻設備由荷蘭ASML獨家供應，而臺積電2nm工藝就是利用現(xiàn)有的EUV設備實現(xiàn)晶圓的大規(guī)模量產(chǎn)，并保持較高的良率。但隨著推進到更先進的次2nm節(jié)點 —— 即1.4nm與1nm（分別代號A14與A10）—— 制造工藝將面臨更多技術(shù)瓶頸。理論上，這些問題可以通過采購ASML的最先進High-NA EUV設備來解決，但最新消息稱臺積電選擇的方向并非購買新設備，而是轉(zhuǎn)向使用光掩模薄膜（Photomask Pellicles）。什么是High-NA光刻機？從早期的深紫外
- 關(guān)鍵字： 臺積電 ASML High-NA EUV 2nm
High-NA不是通往2納米時代的唯一道路
- 半導體行業(yè)正在重新評估其制造最先進芯片的長期路線圖。高數(shù)字光圈(High-NA)光刻技術(shù),曾被視為2 nm以下節(jié)點小型化的明確路徑,現(xiàn)在正在與其他選項進行權(quán)衡。 盡管在光學領域取得了里程碑式的成就,但高NA所需的重大挑戰(zhàn)和巨大的資本投資刺激了互補模式技術(shù)的平行發(fā)展。事實上,這些技術(shù)作為競爭和實用的替代品正在獲得牽引力。這不是對光學進步的拒絕。這是一個多方面工具包的務實擁抱,其中材料科學,物理學和創(chuàng)新過程的進步融合在一起,以克服強大的障礙。High-N
- 關(guān)鍵字： High-NA 2納米
SK海力士引入全球首臺High-NA EUV設備
- 據(jù)SK海力士官方消息，2025年9月3日，該公司在韓國利川M16工廠成功引進了業(yè)界首款量產(chǎn)型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV），并舉行了設備入廠慶祝儀式。此次引進的設備為荷蘭ASML公司開發(fā)的TWINSCAN EXE:5200B，是全球首款量產(chǎn)型High-NA EUV設備。相比現(xiàn)有EUV設備（NA 0.33），其光學性能（NA 0.55）提升了40%，能夠繪制精密度高達1.7倍的電路圖案，同時將芯片集成度提升2.9倍。這一技術(shù)突破將顯著推動半導體制造向更微細化和高集成度方向發(fā)展。SK海力士自
- 關(guān)鍵字： SK海力士 High-NA EUV設備
半導體巨頭對high-NA EUV態(tài)度分化
- 據(jù)外媒報道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭議的觀點：未來晶體管設計，例如GAAFET和CFET架構(gòu)，可能會降低芯片制造對先進光刻設備的依賴，尤其是對EUV光刻機的需求。這一觀點無疑對當前芯片制造技術(shù)的核心模式提出了挑戰(zhàn)。目前，ASML的極紫外光（EUV）及高數(shù)值孔徑（high-NA）EUV光刻機在先進制程中扮演關(guān)鍵角色，通過曝光步驟將電路設計轉(zhuǎn)印至晶圓，隨后通過沉積和蝕刻工藝形成晶體管結(jié)構(gòu)。然而，該英特爾高層認為，隨著GAAFET和CFET等3D晶體管結(jié)構(gòu)的發(fā)展，芯片制造將更依賴蝕刻技術(shù)，而非單純
- 關(guān)鍵字： 半導體 high-NA EUV
ASML研發(fā)5納米分辨率Hyper NA光刻機
- 據(jù)外媒報道，ASML正與蔡司（Carl Zeiss）合作，啟動研發(fā)分辨率可達5納米的Hyper NA光刻機設備。ASML技術(shù)執(zhí)行副總裁Jos Benschop表示，這種新型光刻機將滿足2035年及之后的芯片制造需求。目前，ASML剛剛開始出貨最先進的光刻機，其單次曝光分辨率可達8納米，相比舊款設備需要多次曝光才能實現(xiàn)類似效果。Benschop還提到，ASML正與蔡司進行設計研究，目標是開發(fā)數(shù)值孔徑（NA）達到0.7或更高的系統(tǒng)。數(shù)值孔徑是衡量光學系統(tǒng)聚焦能力的重要指標，直接影響光刻分辨率。NA越高，光波長
- 關(guān)鍵字： ASML 5納米 Hyper NA 光刻機
臺積電仍在評估ASML的“High-NA”，因為英特爾未來會使用
- 全球最大的合同芯片制造商臺積電制造股份有限公司 （2330.TW） 仍在評估何時將 ASML 的尖端高數(shù)值孔徑 （NA） 機器用于其未來的工藝節(jié)點，一位高管周二表示。芯片制造商正在權(quán)衡這些價值近 4 億美元的機器的速度和精度優(yōu)勢何時會超過芯片制造廠中最昂貴的設備幾乎翻倍的價格標簽。當被問及臺積電是否計劃將這臺機器用于其即將推出的 A14 和未來節(jié)點的增強版本時，Kevin Zhang 表示，該公司尚未找到令人信服的理由。“A14，我所說的增強，在不使用 High-NA 的情況下非常可觀。因此，我們的技術(shù)團
- 關(guān)鍵字： 臺積電 ASML “High-NA”
三星已組建專注于1nm芯片開發(fā)的團隊 量產(chǎn)目標定于2029年
- 2nm GAA 工藝進展被傳順利，但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發(fā)的技術(shù)限制。一份新報告指出，該公司已經(jīng)成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而，由于量產(chǎn)目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時間才能看到這種光刻技術(shù)的應用。1nm 晶圓的開發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面，臺積電也正在推出 2 納米以下芯片，據(jù)報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA 技術(shù)的試產(chǎn)過程中
- 關(guān)鍵字： 三星 1nm 芯片 臺積電 NA EUV
英特爾：ASML首批兩臺High-NA EUV設備已投產(chǎn)
- 據(jù)路透社報道，半導體大廠英特爾近日表示，半導體設備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺尖端高數(shù)值孔徑（High NA）光刻機已在其工廠正式投入生產(chǎn)，且早期數(shù)據(jù)顯示，這些設備的性能比之前的機型更可靠。報道稱，英特爾資深首席工程師Steve Carson在加利福尼亞州圣何塞舉行的一次會議上指出，英特爾已經(jīng)利用ASML高數(shù)值孔徑光刻機在一個季度內(nèi)生產(chǎn)了3萬片晶圓，這些晶圓是足以生產(chǎn)數(shù)千個計算芯片的大型硅片。2024年，英特爾成為全球第一家接收這些先進設備的芯片制造商，與之前的ASML設備相比，這些機器可望制造出更小
- 關(guān)鍵字： 英特爾 ASML High-NA EUV
英特爾兩臺High NA EUV光刻機已投產(chǎn)，單季完成3萬片晶圓
- 據(jù)路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場會議上表示，英特爾已經(jīng)安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠生產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻機能以更少曝光次數(shù)完成與早期設備相同的工作，從而節(jié)省時間和成本。英特爾工廠的早期結(jié)果顯示，High NA EUV 機器只需要一次曝光和“個位數(shù)”的處理步驟，即可完成早期機器需要三次曝光和約40個處
- 關(guān)鍵字： 英特爾 High NA EUV 光刻機 晶圓
英特爾：首批兩臺High-NA EUV 設備已投產(chǎn)
- 英特爾24日表示，ASML首批的兩臺先進曝光機已投產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)顯示比之前機型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數(shù)值孔徑（High NA）曝光機一季內(nèi)生產(chǎn) 3 萬片晶圓，即生產(chǎn)數(shù)千顆運算芯片的大型硅片。英特爾去年成為全球第一間接收這些設備的芯片制造商，與之前ASML設備相比，這些機器可望制造出更小、更快的運算芯片。 此舉是英特爾策略轉(zhuǎn)變，因英特爾采用上代極紫外光（EUV）曝光機時落后競爭對手。英特爾花了七年才將之前機器全面投產(chǎn)，導致領先優(yōu)勢被臺積電超越。 生產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 High-NA EUV
移遠通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過北美兩大重要運營商認證
- 近日，全球領先的物聯(lián)網(wǎng)整體解決方案供應商移遠通信宣布，其旗下符合3GPP R17標準的新一代5G-A模組RG650V-NA成功通過了北美兩家重要運營商認證。憑借高速度、大容量、低延遲、高可靠等優(yōu)勢，該模組可滿足CPE、家庭/企業(yè)網(wǎng)關(guān)、移動熱點、高清視頻直播等FWA應用對高速、穩(wěn)定5G網(wǎng)絡的需求。移遠通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過北美兩大重要運營商認證此前，RG650V系列已通過了北美FCC、PTCRB以及GCF全球認證，此次再獲北美兩項認證，表明該模組已全面取得北美運營商的認可，標志著搭
- 關(guān)鍵字： 移遠通信 5G-A模組 RG650V-NA
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)
- 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術(shù)的生態(tài)系
- 關(guān)鍵字： imec High-NA EUV DRAM
價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
- 8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
- 關(guān)鍵字： Intel High NA EUV 光刻機 晶圓 8納米
ASML第二臺High-NA設備，即將導入英特爾奧勒岡廠
- 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設備。根據(jù)英特爾8/1財報電話會議紀錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺大型設備，安裝時間需要數(shù)月，預計可帶來新一代更強大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出，第二臺High NA設備即將進入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財報會議后股價表現(xiàn)不佳，因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開始出貨第二臺High NA設備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺的收入。不過
- 關(guān)鍵字： ASML High-NA 英特爾 光刻機
ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機定價翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決
- ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機，業(yè)界準備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經(jīng)開始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據(jù)Trendforce報道，Hyper-NA EUV光刻機的價格預計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機的價格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機的價格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多
- 關(guān)鍵字： ASML Hyper-NA EUV 光刻機 臺積電 三星 英特爾
high-na介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條high-na!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對high-na的理解，并與今后在此搜索high-na的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對high-na的理解，并與今后在此搜索high-na的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
high-na電路
high-na相關(guān)帖子
high-na資料下載
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473