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	cmos.dram
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          cmos.dram 文章
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          LPDDR價格飆漲 2018年8GRAM依然供不應(yīng)求
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)外媒報道，DRAMeXchange的最新報告指出，用于移動設(shè)備的LPDDR DRAM協(xié)議價在今年第四季度將上漲10%～15%。
　　此前，LPDDR的價格是低于PC、服務(wù)器等平臺的，但這些年需求越來越猛，生產(chǎn)企業(yè)們也開始打起高利潤的主意。所以，不排除一些已經(jīng)發(fā)布的千元機和尚未發(fā)布的千元機會在其售價上做出調(diào)整的可能。而旗艦機方面，因為本身緩沖空間較大，暫時不會受到?jīng)_擊。
　　因為DRAM在整個2018年的產(chǎn)能依然都弱于需求，預(yù)計安卓內(nèi)存的軍備競賽會暫時停留在8GB，甚至像三星、華為等依然維持6GB
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          • 關(guān)鍵字：
                        LPDDR  DRAM                          
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          DRAM漲潮再起 誰才是真正贏家？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象，在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中，也許大家都是贏家。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  NAND                           
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          cmos+憶阻器實現(xiàn)高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構(gòu)
          
                                                            
            
                    	
          • cmos+憶阻器實現(xiàn)高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲功能，讓設(shè)計人員能夠使用可編程時間常數(shù)建立圖像背景模型。
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          • 關(guān)鍵字：
                        cmos  憶阻器  傳感器                          
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          ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標
          
                                                            
            
                    	
          • ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：CCD 是在同步信號和時鐘信號的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個電路非常復(fù)雜，讀出速率慢；CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號，電路簡單，讀出速率高。
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          • 關(guān)鍵字：
                        ccd  cmos  圖像傳感器                          
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          圖像傳感器原理及分類
          
                                                            
            
                    	
          • 圖像傳感器原理及分類-圖像傳感器是各種工業(yè)及監(jiān)控用相機、便攜式錄放機、數(shù)碼相機，掃描儀等的核心部件。目前，這個快速增長的市場現(xiàn)在已經(jīng)延伸到了玩具、手機、PDA、汽車和生物等領(lǐng)域。
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          • 關(guān)鍵字：
                        圖像傳感器  CCD  CMOS                          
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          DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理
          
                                                            
            
                    	
          • DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  NAND  RAM                          
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          DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization
          
                                                            
            
                    	
          • DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization-隨著系統(tǒng)對內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式，會帶來不同的效果。本文將對不同的組織方式及其效果進行簡單介紹。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM                          
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          次世代記憶體換當家？關(guān)于新當家的那點事
          
                                                            
            
                    	
          • 次世代記憶體換當家？關(guān)于新當家的那點事-據(jù)韓媒BusinessKorea報導(dǎo)，IBM 和三星在電機電子工程師學會（IEEE）發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實現(xiàn)10 奈秒（nanosecond）的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越DRAM。韓國半導(dǎo)體業(yè)者指出，16納米將是DRAM微縮制程的最后極限，包括FRAM在內(nèi)的多種次世代存儲（其它包括MRAM）備受期待。
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          • 關(guān)鍵字：
                        dram  fram                          
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          DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization
          
                                                            
            
                    	
          • DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization-在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中，介紹了單個 Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  Memory  Cells                          
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          手把手教你FPGA存儲器項使用DRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　某些FPGA終端，包含板載的、可以動態(tài)隨機訪問的存儲塊(DRAM)，這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高?！　RAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以非?？臁ａ槍σ恍┨厥鈶?yīng)用，比如：瞬時帶寬非常高，而且有要保存原始數(shù)據(jù)的時候，就可以用DRAM做一個大的FIFO緩沖?！　RAM的大小每塊板卡可能不同，一般在官網(wǎng)中對應(yīng)板卡的說明中都會標明DRAM的大小(如果有DRAM的話)。比如，PXIe-7966R就有512M的DRAM空間。　　http://sine.ni.com/n
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          • 關(guān)鍵字：
                        FPGA  DRAM                          
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          內(nèi)存條掀起的漲價潮：國產(chǎn)手機漲價 三星成最大贏家
          
                                                            
            
                    	
          • 　　“2017年DRAM價格漲幅將達到39%”，ICInsights在2017年第三季度做出預(yù)計。當下，以DRAM為代表的半導(dǎo)體存儲器在全球范圍內(nèi)掀起漲價潮。
　　DRAM作為半導(dǎo)體存儲器的產(chǎn)品類型之一，常見產(chǎn)品形態(tài)是內(nèi)存條，主要的兩個應(yīng)用市場是PC和智能手機。據(jù)京東商城官網(wǎng)顯示，金士頓DDR424008G臺式機內(nèi)存在半年內(nèi)價格從400元左右漲至800元左右，同時金立集團董事長劉立榮在9月25日媒體交流會上稱，國產(chǎn)手機下半年仍會漲價，部分原因是內(nèi)存成本上升。
　　集邦咨詢半導(dǎo)體
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          • 關(guān)鍵字：
                        內(nèi)存條  DRAM                          
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          內(nèi)存條掀起的漲價潮：國產(chǎn)手機漲價 三星成最大贏家
          
                                                            
            
                    	
          • 存儲器作為一種根據(jù)庫存、需求、產(chǎn)能因素變化而具有明顯周期性的行業(yè)，這一輪漲價大幅增加了國產(chǎn)智能手機和PC廠商的成本，目前部分智能手機已經(jīng)漲價，幅度在100~500元不等。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  三星                          
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          威剛:DRAM缺貨延續(xù)至明年第2季
          
                                                            
            
                    	
          • 　　臺灣內(nèi)存模塊廠威剛指出，由于服務(wù)器、智能手機及 PC 等 3 大市場在下半年需求陸續(xù)回溫， DDR4 在需求面三箭齊發(fā)下處于全面性的嚴重缺貨。 不但價格持續(xù)走揚，PC 大廠及渠道客戶也積極備貨，NAND Flash 閃存也在中國智能手機大廠積極備貨的推動下，價格仍呈多頭格局。
　　威剛進一步指出，在國際數(shù)據(jù)中心大廠對 DRAM 需求快速擴張之下，全球 DRAM 廠 2017 年皆無新增產(chǎn)線的投入，上游 DRAM 廠多以移轉(zhuǎn) PC DRAM 產(chǎn)能因應(yīng)，導(dǎo)致 PC DRAM 供給面臨嚴重的產(chǎn)能排擠效應(yīng)，
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          • 關(guān)鍵字：
                        威剛  DRAM                          
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          分析師：顯卡價格將水漲船高 短期不可能回落
          
                                                            
            
                    	
          • 　　AMD今年的新顯卡系列在性能上能與老對手NVIDIA的產(chǎn)品相匹敵，因此不少人覺得雙方的競爭會拉低顯卡價格。但是，分析師卻并不這么認為。
　　日本瑞穗金融集團分析師Vijay Rakesh認為，NVIDIA顯卡在下季度不僅會需求高漲，銷量可能也會超過預(yù)期30-50%之多。但這些需求增長并非來自于游戲玩家，而是加密貨幣礦工。
　　由于需求增長幅度如此之高，供應(yīng)鏈也遭遇了非常大的壓力，因為制造顯卡所需的DRAM已經(jīng)開始出現(xiàn)短缺。根據(jù)行業(yè)研究公司ICInsight的預(yù)計，DRAM的每比特價格將提高40%，
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          • 關(guān)鍵字：
                        顯卡  DRAM                          
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          晉華明年第四季完成DRAM第一階段開發(fā)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　聯(lián)電和兩名員工遭到內(nèi)存大廠美光指控妨礙營業(yè)秘密，并遭到臺中地檢署起訴，共同總經(jīng)理簡山杰認為是遭到「商業(yè)間諜」構(gòu)陷入罪，但強調(diào)DRAM計劃不變，將于明年第4季完成第一階段技術(shù)開發(fā)。
　　聯(lián)電DRAM項目主要與福建晉華合作。
　　簡山杰表示，對于司法中的案件原本不應(yīng)多言，但聯(lián)電極有可能碰到所謂的「商業(yè)間諜」，高度懷疑「帶槍投靠」是假的，可能「構(gòu)陷入罪」才是真。 簡山杰質(zhì)疑，主要涉案員工夫婦本來都在美光上班，其中先生去年4月主動跳槽聯(lián)電;據(jù)說，遭檢方搜索以后，妻子就被美光停職;涉案人全數(shù)認罪后，妻子就復(fù)
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          • 關(guān)鍵字：
                        晉華  DRAM                          
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