cmos.dram 文章 最新資訊
三大內(nèi)存罕見同時缺貨,三星DRAM再漲10%
- DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺，創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存，更寫下史上最長漲勢。 內(nèi)存業(yè)界表示，2008及2015年都出現(xiàn)過DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會排擠，很少看到兩大內(nèi)存同漲。 這次DRAM和NAND內(nèi)存兩大內(nèi)存缺貨超乎預(yù)期且價格上漲，主要來自數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備及計算機三大領(lǐng)域應(yīng)用需求強，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
2017年全球IC市場規(guī)模年增16% 成長幅度創(chuàng)近年新高
- 隨著DRAM與NAND Flash市場規(guī)模大幅成長，調(diào)研機構(gòu)IC Insights預(yù)估，2017年全球整體IC市場規(guī)模將較2016年大幅成長16%，創(chuàng)下自2010年增33%以來，最佳年增紀(jì)錄。亦為2000年以來，第5度IC市場規(guī)模年增幅度達(dá)到雙位數(shù)百分比。 2017年全球DRAM市場規(guī)模將會年增55%，NAND Flash年增35%。不過該機構(gòu)亦指出，促使DRAM與NAND Flash市場大幅成長的最主要因素，是來自于DRAM與NAND Flash平均售價(ASP)的攀升，并不是受到DRAM與N
- 關(guān)鍵字： IC DRAM
電路設(shè)計常用接口類型說明
- 本文主要對電路設(shè)計常用接口類型進行了簡要說明，下面一起來學(xué)習(xí)一下： (1)TTL電平接口： 這個接口類型基本是老生常談的吧，從上大學(xué)學(xué)習(xí)模擬電路、數(shù)字電路開始，對于一般的電路設(shè)計，TTL電平接口基本就脫不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以內(nèi)，這是由于BJT的輸入端存在幾個pF的輸入電容的緣故(構(gòu)成一個LPF)，輸入信號超過一定頻率的話，信號就將“丟失”。它的驅(qū)動能力一般最大為幾十個毫安。正常工作的信號電壓一般較高，要是把它和信號電壓較低的ECL電路接近時會產(chǎn)生比較明顯的串?dāng)_問題。
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
半導(dǎo)體行業(yè)競爭激烈 國內(nèi)半導(dǎo)體還需渡過哪些難關(guān)
- 過去兩年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用的火熱發(fā)展，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來了新一輪熱潮。中國半導(dǎo)體制造設(shè)備也因此成為全球增速最快的市場，且下游需求良好，前景可期。 通盤來看，全球前十大半導(dǎo)體廠，有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。 國外對于中國半導(dǎo)體發(fā)展采取的措施 眾所周知，半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)主要是來自于美日韓半導(dǎo)體廠商的，他們在半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展已有數(shù)十載，技術(shù)成熟，專利頗多，而對于中國近年內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展他們也采取了各種防堵措施，
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
DRAM 第三季度合約價持續(xù)攀高，七月漲幅約 4.6%
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，DRAM價格從去年下半年起漲至2017年上半年，依然維持強勁上漲力道，今年第一季的PC DRAM合約均價來到24美元，漲幅逼近四成;第二季均價亦來到27美元，亦有超過一成的漲幅。7月PC DRAM合約價持續(xù)上揚約4.6%，預(yù)估下半年價格將會維持小幅上漲態(tài)勢。 旺季需求與七月華亞科氣體事件，DRAM供貨維持吃緊態(tài)勢 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，時序進入下半年，DRAM產(chǎn)業(yè)供需也進入傳統(tǒng)旺季，原本就呈現(xiàn)吃緊的DRAM市場更
- 關(guān)鍵字： DRAM
關(guān)于TTL電平、CMOS電平和EIA電平的一些總結(jié)
- 手機串口一般是CMOS電平，當(dāng)把android手機當(dāng)做開發(fā)板上的一個器件(比如利用android系統(tǒng)自帶的GPRS模塊，wifi模塊，語音視頻模塊等等)看待時，常常會涉及到自己重寫底層協(xié)議和驅(qū)動的情況，同時也會涉及到不同開發(fā)板不同電平之間的轉(zhuǎn)換。最近在做一個利用android手機收發(fā)數(shù)據(jù)的實驗，其中就涉及到了EIA電平和TTL電平的轉(zhuǎn)換，TTL電平和CMOS電平的轉(zhuǎn)換?，F(xiàn)簡要的總結(jié)下常用的TTL電平，CMOS電平和EIA電平，以及一些與上述電平有關(guān)集成邏輯電路和rs232串口的一些基本知識： 一、集
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
ICinsights:DRAM、NAND售價已暴漲一年
- IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經(jīng)連續(xù)四個季度上漲。 不過因為原廠紛紛提出擴產(chǎn)計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認(rèn)為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當(dāng)高。 近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
存儲芯片銷售飆升：SK海力士第二季度獲利創(chuàng)新高
- 北京時間7月25日上午消息，韓國芯片制造商SK海力士周二稱，由于存儲芯片需求強勁，其第二季營業(yè)利潤較上年同期飆升574%，創(chuàng)有史以來新高，符合市場預(yù)期。 該財報刷新上次在第一季創(chuàng)下的歷史高位，SK海力士因而有望朝分析師所預(yù)估的史上最高年營業(yè)利潤13萬億韓元(約合786.54億人民幣)邁進。 SK海力士表示，4-6月獲利為3.1萬億韓元(約合187.56億人民幣)。營收增長70%至6.7萬億韓元(約合405.37億人民幣)。DRAM芯片出貨量較1-3月增長3%，平均售價上漲11%;NAND芯
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
Sony傳擴增CMOS產(chǎn)能14%，滿足車用、物聯(lián)網(wǎng)市場需求
- 據(jù)海外媒體報道，Sony 計劃于 2018 年 3 月底前將使用于智能手機、數(shù)字相機等用途的 CMOS 影像傳感器月產(chǎn)能擴增至 10 萬片(以 12 吋晶圓計算)左右水準(zhǔn)，大幅增加 14%。目前 Sony 月產(chǎn)能約 8.8 萬片。 報導(dǎo)指出，因智能手機自拍用前置相機朝高性能化演進，加上車用、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)用需求增加，因此 Sony 決定增產(chǎn)因應(yīng)。 根據(jù) Sony 公布的財報數(shù)據(jù)顯示，2016 年度(2016 年 4 月~2017 年 3 月)Sony 影像傳感器銷售額年增 15% 至 5
- 關(guān)鍵字： Sony CMOS
cmos.dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos.dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cmos.dram的理解，并與今后在此搜索cmos.dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cmos.dram的理解，并與今后在此搜索cmos.dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
cmos.dram電路
cmos.dram相關(guān)帖子
cmos.dram資料下載
cmos.dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473