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          cmos.dram 文章
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          全球2018年DRAM產(chǎn)業(yè)預估預測
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 本文介紹了2017年DRAM市場狀況，并對2018年的DRAM市場進行了分析預測。2018年預計僅增長19.6%，無大規(guī)模增產(chǎn)計劃下，供給將延續(xù)吃緊走勢。
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          • 關鍵字：
                        DRAM  市場  預測  201711                          
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          DRAM領域亂象，全都怪Vista
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 這個時候想起了狂吃內(nèi)存的Vista操作系統(tǒng)？
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          • 關鍵字：
                        DRAM  三星                          
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          內(nèi)存的戰(zhàn)爭：中日韓三國的產(chǎn)業(yè)恩怨，還沒有到終章
          
                                                            
            
                    	
          • DRAM領域經(jīng)過幾十年的周期循環(huán)，玩家從80年代的40~50家，逐漸減少到了08年金融危機之前的五家，然而存儲器價格隨著供給/需求的變化而進行短周期波動，但行業(yè)將長期維持暴利狀態(tài)，這個時候新玩家來了。
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          • 關鍵字：
                        內(nèi)存  DRAM                          
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          IC Insights：全球半導體2017年上調(diào)市場預測提升至22％
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　據(jù)IC Insights預測，2017年的IC市場增長率有望提高到22%，較今年年中預期的16%再提升6個百分點，出貨量增長率預測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。
　　此外，IC Insights同時調(diào)稿對O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預測?？傮w而言，2017年半導體產(chǎn)業(yè)整體預計增長達20%，比年中預期調(diào)高5個百分點。
　　2017年，IC Insights預測DRAM的平均售價將大漲77%，預計今年將推動DRAM
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          2018年三大DRAM廠擴產(chǎn)有限，整體價格漲勢依舊
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近期，DRAM 價格持續(xù)大漲使許多廠商吃不消，陸續(xù)調(diào)漲產(chǎn)品價格，消費者也抱怨連連。這波漲勢何時停止，目前看來短期幾乎不可能，只能期望價格不要一次漲太多就已萬幸了。
　　集邦科技旗下 DRAMeXchange 最新調(diào)查報告指出，進入第 4 季后，三星、SK 海力士、美光這三大 DRAM 顆粒廠商都基本規(guī)劃好 2018 年的發(fā)展。由于資本支出都趨保守，意味著大規(guī)模產(chǎn)能擴張已不可能，甚至制程技術前進的腳步也會緩下來。DRAM 大廠在 2018 年的首要目標，就是獲得持續(xù)且穩(wěn)定的利潤，價格至少維持 2017
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          • 關鍵字：
                        DRAM  晶圓                          
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          揭開廢棄紐扣電池的秘密
          
                                                            
            
                    	
          • 揭開廢棄紐扣電池的秘密-監(jiān)視便攜式設備或配套服務系統(tǒng)中紐扣電池的電壓等級，對現(xiàn)代 CMOS 運算放大器來說是一項常見的簡單應用。
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          • 關鍵字：
                        CMOS  CR2032  德州儀器                          
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          淺談存儲器體系結構的未來發(fā)展趨勢
          
                                                            
            
                    	
          • 淺談存儲器體系結構的未來發(fā)展趨勢-對存儲器帶寬的追求成為系統(tǒng)設計最突出的主題。SoC設計人員無論是使用ASIC還是FPGA技術，其思考的核心都是必須規(guī)劃、設計并實現(xiàn)存儲器。系統(tǒng)設計人員必須清楚的理解存儲器數(shù)據(jù)流模式，以及芯片設計人員建立的端口。即使是存儲器供應商也面臨DDR的退出，要理解系統(tǒng)行為，以便找到持續(xù)發(fā)展的新方法。
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          • 關鍵字：
                        存儲器  SOC  DRAM                          
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          所有這些干擾都是從哪里來的？
          
                                                            
            
                    	
          • 所有這些干擾都是從哪里來的？-自從進入市場以來，CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統(tǒng)設計人員帶來了極大優(yōu)勢。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲 （THD+N） 特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級。但是，輸入級對 THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規(guī)范屬性變得復雜。
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          • 關鍵字：
                        CMOS  電源放大器  THD                          
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          DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別
          
                                                            
            
                    	
          • DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND  存儲器                          
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          硅光子芯片設計突破結構限制瓶頸
          
                                                            
            
                    	
          • 硅光子芯片設計突破結構限制瓶頸-當今的硅光子芯片必須采用復雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級堆棧密不可分。
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          • 關鍵字：
                        硅光子  半導體芯片  CMOS  芯片設計                          
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          觀存儲器產(chǎn)業(yè)：DRAM報價仍有上漲空間 NAND持續(xù)穩(wěn)定成長
          
                                                            
            
                    	
          • 　　去年我們曾經(jīng)對存儲器產(chǎn)業(yè)進行分析，認為存儲器產(chǎn)業(yè)在2016～2017年是恢復秩序且有機會成長的產(chǎn)業(yè)，時至今日，雖然存儲器大廠持續(xù)邁向新制程發(fā)展，但由于市場寡占，主要大廠對于新產(chǎn)能擴充仍相當自律，加上電子化產(chǎn)品對于存儲器的需求持續(xù)提升，因此在這1年間，存儲器變成了洛陽紙貴的零組件。
　　尤其到了第3季旺季，存儲器需求更是熱絡，報價持續(xù)走揚，預期2017年對于存儲器產(chǎn)業(yè)來說將是豐收的1年，受惠智能手機存儲器容量升級，服務器/數(shù)據(jù)中心的強勁需求，2018年存儲器需求亦可望持續(xù)成長。
　　從需求部分來看，
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          • 關鍵字：
                        存儲器  DRAM                          
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          Gartner：2017全球半導體產(chǎn)值預計大漲19.7％
          
                                                            
            
                    	
          • 　　研調(diào)機構Gartner預估，今年全球半導體產(chǎn)值可望達4111億美元，將較去年成長19.7%，是7年來成長最強勁的一年。
　　Gartner指出，存儲器供不應求，尤其是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)，是驅(qū)動今年整體半導體業(yè)產(chǎn)值成長的主要動力。隨著存儲器成本增加，材料清單成本高于電子設備部分，Gartner表示，已有代工廠調(diào)高價格因應。
　　展望未來，Gartner預期，明年全球半導體產(chǎn)值可望進一步攀高至4274億美元，將較今年再成長4%;只是隨著供應商增產(chǎn)，存儲器市場恐將反轉(zhuǎn)，2019年全球半導體產(chǎn)
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          • 關鍵字：
                        存儲器  DRAM                          
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