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詳解TTL電平接口/CMOS電平接口/線圈耦合接口等7個(gè)常用的接口類型
- 我們知道，在電路系統(tǒng)的各個(gè)子模塊進(jìn)行數(shù)據(jù)交換時(shí)可能會存在一些問題導(dǎo)致信號無法正常、高質(zhì)量地“流通”，例如有時(shí)電路子模塊各自的工作時(shí)序有偏差(如CPU與外設(shè))或者各自的信號類型不一致(如傳感器檢測光信號)等，這時(shí)我們應(yīng)該考慮通過相應(yīng)的接口方式來很好地處理這個(gè)問題。 下面就電路設(shè)計(jì)中7個(gè)常用的接口類型的關(guān)鍵點(diǎn)進(jìn)行說明一下： 1TTL電平接口 這個(gè)接口類型基本是老生常談的吧，從上大學(xué)學(xué)習(xí)模擬電路、數(shù)字電路開始，對于一般的電路設(shè)計(jì)，TTL電平接口基本就脫不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以內(nèi)，這
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紫光國芯:DRAM芯片設(shè)計(jì)技術(shù)處于世界先進(jìn)水平
- 紫光國芯周一在全景網(wǎng)投資者互動(dòng)平臺上回答投資者提問時(shí)介紹，DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實(shí)現(xiàn)較高的容量。另外，頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會降低工作電壓，有利于更低的功耗。 同時(shí)，關(guān)于公司在國內(nèi)業(yè)界、排名情況，紫光國芯介紹，公司的DRAM芯片設(shè)計(jì)技術(shù)處于世界先進(jìn)水平，國內(nèi)稀缺，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小，市場份額不大。 針對投資者關(guān)于公司DDR4存儲器芯片相比DDR3優(yōu)勢的詢問，紫光國芯作出上述回應(yīng)。 1月26日紫光國芯在互動(dòng)平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲
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2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情
- 2017年，整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個(gè)黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應(yīng)求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進(jìn)，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。 DRAM無新增產(chǎn)能 首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能，頂多就
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南亞科：DRAM上半年還會漲
- 南亞科總經(jīng)理李培瑛16日表示，今年上半年DRAM價(jià)格持續(xù)看漲，但漲幅會收斂些，下半年則仍待觀察三星、 SK海力士二大韓廠實(shí)際增產(chǎn)內(nèi)容才能做明確分析。 目前來看，韓國二大廠都表明將依市場需求增產(chǎn)，分析DRAM產(chǎn)業(yè)到明年都可維持健康穩(wěn)定。 李培瑛表示，服務(wù)器和標(biāo)準(zhǔn)型DRAM今年市場需求持續(xù)強(qiáng)勁，南亞科內(nèi)部預(yù)估，今年DRAM位需求增幅約20%至25%，搭配云端數(shù)據(jù)中心對服務(wù)器DRAM需求同步暢旺，以及高端手機(jī)搭載DRAM容量攀升到4GB~6GB， 以及冬季奧運(yùn)來臨，刺激電視與機(jī)頂盒等需求，帶動(dòng)利基型D
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RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼？
- RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時(shí)將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時(shí)間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機(jī)存儲器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲器(Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。 SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機(jī)存
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IC Insights:DRAM今年價(jià)格將開始下滑
- 研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布最新報(bào)告指出，DRAM廠于2017年第4季的銷售金額將創(chuàng)下歷史新高峰，預(yù)估達(dá)到211億美元，較2016年第4季的128億美元大增65%。IC Insights表示，據(jù)歷史經(jīng)驗(yàn)來看，DRAM產(chǎn)業(yè)在不久的將來，可能經(jīng)歷長期間的景氣向下格局，因隨著DRAM產(chǎn)能增加，今年價(jià)格將開始下滑，跌勢更恐達(dá)2年之久。 回顧2017年，受惠于數(shù)據(jù)中心需求，帶動(dòng)服務(wù)器DRAM明顯升溫，同時(shí)智能手機(jī)與其他移動(dòng)裝置產(chǎn)品采用低功耗高密度DRAM也同步成長，2017年DRAM價(jià)格報(bào)價(jià)一路上揚(yáng)
- 關(guān)鍵字： DRAM
[5納米碳納米管CMOS器件]入選高校十大科技進(jìn)展
- 日前，由教育部科學(xué)技術(shù)委員會組織評選的2017年度“中國高等學(xué)校十大科技進(jìn)展”經(jīng)過高校申報(bào)和公示、形式審查、學(xué)部初評、項(xiàng)目終審等評審流程后在京揭曉。 由北京大學(xué)申報(bào)的”5納米碳納米管CMOS器件“入選。 ? 芯片是信息時(shí)代的基礎(chǔ)與推動(dòng)力，現(xiàn)有CMOS技術(shù)將觸碰其極限。碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾時(shí)代的重要選項(xiàng)。 理論研究表明，碳管晶體管有望提供更高的性能和更低的功耗，且較易實(shí)現(xiàn)三維集成，系統(tǒng)層面的綜合優(yōu)勢將高達(dá)上千
- 關(guān)鍵字： CMOS 碳納米管
兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)
- 搶攻DRAM市場商機(jī)，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 DRAM市場表現(xiàn)強(qiáng)勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)
- 搶攻DRAM市場商機(jī)，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 DRAM市場表現(xiàn)強(qiáng)勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR4
明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
- 內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。 DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。 內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價(jià)格未見松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補(bǔ)供貨缺口。 另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
5nm工藝可能無法實(shí)現(xiàn)？存儲器除了3D NAND還有其他選擇？看這4個(gè)技術(shù)老兵怎么說
- 5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲器的未來;太多可能解決方案帶來的高成本。 近日，外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來哪些變化和影響，專家團(tuán)成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進(jìn)模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計(jì)算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
- 關(guān)鍵字： 5nm DRAM
再進(jìn)一步，三星發(fā)布最強(qiáng)10nmDRAM芯片
- 根據(jù)三星最新財(cái)報(bào)顯示，三星Q3凈利潤更是高達(dá)98.7億美元，增長145%，季度凈利直逼蘋果，成為世界最賺錢的兩家公司之一。而耀眼財(cái)報(bào)的背后，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)起著舉足輕重的作用。 昨日半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)曝出一條最大新聞——“ 三星電子全球首發(fā)第二代10納米級DRAM產(chǎn)品。” 三星在聲明中稱，這是全球第一個(gè)第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片，擁有強(qiáng)化的節(jié)能效率和資料處理效能，將鎖定云端運(yùn)算中心、移動(dòng)設(shè)備和高速繪圖卡等高階大數(shù)據(jù)處理的電子設(shè)備。
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
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