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美光推出面向移動(dòng)應(yīng)用、堪稱業(yè)內(nèi)容量最高的單片式內(nèi)存

新聞?wù)? 16Gb LPDDR4X改進(jìn)了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶，它的推出進(jìn)一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機(jī)設(shè)計(jì)更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當(dāng)前和下一代
關(guān)鍵字： LPDDR4X 批量生產(chǎn)進(jìn)入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點(diǎn)

美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級(jí)制程DRAM

根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出，日前美系存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生產(chǎn)的DRAM將會(huì)是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲(chǔ)器。對(duì)此，市場(chǎng)預(yù)估，美光的該項(xiàng)新產(chǎn)品還會(huì)在2019年底前，在美光位于中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。
關(guān)鍵字：美光 10納米 DRAM

一種基于運(yùn)放失調(diào)補(bǔ)償?shù)腃MOS傳感讀出電路

　　錢瑩瑩(電子科技大學(xué)?電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川?成都?610054）　　摘?要：在CMOS傳感讀出系統(tǒng)中，噪聲不僅來(lái)自于周圍環(huán)境，圖像傳感器自身的噪聲成為影響信噪比的一個(gè)重要因素，相關(guān)雙采樣電路是一種能夠有效消除圖像傳感器中的低頻噪聲的技術(shù) [1] 。由于工藝生產(chǎn)的非均勻型，圖像傳感器列級(jí)讀出電路之間的差異會(huì)引入額外的噪聲，其中主要是固定模式噪聲。本文基于GSMC 0.13μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，設(shè)計(jì)了基于運(yùn)放失調(diào)補(bǔ)償?shù)腃MOS傳感讀出電路，大大降低了固定模式噪聲?！　￡P(guān)鍵詞：CMOS；固定模式噪聲；相
關(guān)鍵字： 201908 CMOS 固定模式噪聲相關(guān)雙采樣失調(diào)補(bǔ)償讀出電路

日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢(shì)，長(zhǎng)期須關(guān)注原廠庫(kù)存水位

Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫(kù)存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請(qǐng)流程延長(zhǎng)，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游
關(guān)鍵字：日韓貿(mào)易戰(zhàn) 東芝 DRAM/NAND

國(guó)際半導(dǎo)體遭遇寒冬中國(guó)存儲(chǔ)方隊(duì)逆勢(shì)擴(kuò)張

　　在中美貿(mào)易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團(tuán)宣布組建DRAM集團(tuán)，讓市場(chǎng)注意力集中到國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器布局上。當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)寡頭壟斷的格局下，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)方隊(duì)既要面對(duì)技術(shù)、團(tuán)隊(duì)等方面的疊代差距，又要面對(duì)當(dāng)前國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)勢(shì)弱，存儲(chǔ)大幅降價(jià)的風(fēng)險(xiǎn)，迎難而上，逆勢(shì)擴(kuò)張?！　?guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降溫　　6月30日晚間，紫光集團(tuán)宣布了組建DRAM事業(yè)群的計(jì)劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團(tuán)“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)。而如果放眼國(guó)際，此時(shí)紫光集團(tuán)布局DRAM可謂迎難而上，逆勢(shì)擴(kuò)張。　　據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)官網(wǎng)最新統(tǒng)計(jì)，5月全球半
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體存儲(chǔ) DRAM

美光正在為DDR5擴(kuò)大產(chǎn)能并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)工藝技術(shù)

在近日與投資者和金融分析師召開的收益電話會(huì)議上，美光對(duì)其長(zhǎng)期未來(lái)及對(duì)其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求表示了信心，該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能的計(jì)劃，并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。
關(guān)鍵字：美光 DDR5 DRAM

紫光集團(tuán)組建DRAM事業(yè)群

6月30日，紫光集團(tuán)發(fā)布公告稱，決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國(guó)產(chǎn)內(nèi)存。
關(guān)鍵字：紫光 DRAM 閃存

DRAM顆粒6月現(xiàn)貨價(jià)逼近生產(chǎn)成本　跌勢(shì)趨緩訊號(hào)浮現(xiàn)

DRAM價(jià)格第2季大幅走跌，根據(jù)供應(yīng)鏈透露，6月起DRAM顆粒現(xiàn)貨價(jià)格再度走跌，主流交易規(guī)格的8Gb顆粒正式跌破3美元關(guān)卡。
關(guān)鍵字：三星電子 SK海力士美光南亞科 DRAM

思特威推出SC8238 CMOS圖像傳感器，開啟4K消費(fèi)級(jí)視頻應(yīng)用新時(shí)代

為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求，思特威推出了4K分辨率的SC8238 CMOS圖像傳感器。除了支持1/2.7”光學(xué)尺寸外，SC8238采用了1.5μm背照式像素技術(shù)（BSI），能夠以同級(jí)別產(chǎn)品中最低的功耗實(shí)現(xiàn)高達(dá)1160mV/Lux·s的靈敏度，比目前市場(chǎng)同等光學(xué)尺寸和分辨率的產(chǎn)品提升30%以上。
關(guān)鍵字：思特威 CMOS 傳感器

Teledyne e2v宣布推出用于機(jī)器視覺的新型500萬(wàn)像素、1/1.8英寸CMOS圖像傳感器

香港, March 05, 2019 (GLOBE NEWSWIRE) -- Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]公司旗下的全球視覺解決方案創(chuàng)新公司，Teledyne e2v宣布擴(kuò)充其Emerald?CMOS圖像傳感器產(chǎn)品系列，推出一款全新500萬(wàn)像素設(shè)備。EmeraldTM 5M專為機(jī)器視覺、自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）和工廠自動(dòng)化應(yīng)用而設(shè)計(jì)，這些應(yīng)用需要運(yùn)動(dòng)中物體的更高分辨率圖像，沒(méi)有失真。該傳感器有單色和彩色? 可供選擇，采用小型1/1.8英寸光學(xué)格式，包含
關(guān)鍵字：圖像傳感器 Emerald CMOS EmeraldTM 5M

紅「芯」勢(shì)力崛起三星DRAM事業(yè)的危機(jī)與中轉(zhuǎn)

半導(dǎo)體無(wú)所不在，舉凡汽車、家電、手機(jī)到戰(zhàn)斗機(jī)，皆少不了半導(dǎo)體這玩意。半導(dǎo)體為韓國(guó)最具代表性產(chǎn)業(yè)，占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲(chǔ)器榮景告終、價(jià)格走跌，除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲(chǔ)器事業(yè)陷入危機(jī)外，韓國(guó)經(jīng)濟(jì)前景也跟著蒙上陰影。面對(duì)中國(guó)大陸DRAM力拚崛起，及工業(yè)4.0革命可能帶來(lái)的爆炸性需求，三星半導(dǎo)體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。
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三星18nm工藝內(nèi)存芯片曝缺陷明年全面挺進(jìn)16nm

作為占據(jù)全球DRAM內(nèi)存芯片過(guò)半市場(chǎng)的超級(jí)巨頭，三星電子的一舉一動(dòng)都影響著整個(gè)行業(yè)。前幾年內(nèi)存價(jià)格持續(xù)暴漲，三星賺得盆滿缽滿，最近日子就不太好過(guò)了，一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)暴跌了超過(guò)60％。
關(guān)鍵字： DRAM 16nm 三星電子

矽昌通信推出多種SF16A18無(wú)線路由芯片解決方案，構(gòu)建智能家居應(yīng)用場(chǎng)景

（3月29日，深圳）繼2018年底推出大陸首款無(wú)線路由芯片SF16A18后，矽昌通信今日在深圳舉行的一場(chǎng)發(fā)布會(huì)上連續(xù)發(fā)布了包括智能音箱、智能家居網(wǎng)關(guān)、雙頻路由器、中繼器、4G轉(zhuǎn)WIFI等產(chǎn)品的解決方案，進(jìn)一步豐富了無(wú)線路由的客戶應(yīng)用場(chǎng)景，為應(yīng)用產(chǎn)品廠商尤其是智能家居產(chǎn)品生產(chǎn)商提供了便捷的方案支持?！叭ツ晖瞥龃箨懯卓畹臒o(wú)線路由芯片后，我們得到了很多的業(yè)內(nèi)關(guān)注，A18的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)讓各應(yīng)用廠商更容易打造具有競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案，譬如在確保CPU等核心性能領(lǐng)先的前提下，我們首次將2.4GHz和5GHz雙頻段整合在同一
關(guān)鍵字： CPU 雙頻段 TSMC 28nm CMOS

CMOS毫米波雷達(dá)潛力大，加特蘭出爐第二代芯片和模組

　　汽車場(chǎng)景的算法。汽車的雷達(dá)場(chǎng)景和傳統(tǒng)軍用的空中雷達(dá)還是很不一樣的。所以，這部分其實(shí)也是一大設(shè)計(jì)難題，整個(gè)業(yè)界也是處于早期開發(fā)的階段。所以，加特蘭投入了很多的精力——怎么樣把整個(gè)雷達(dá)信號(hào)處理引擎集成到單芯片上，并且和射頻前端無(wú)縫銜接、同步配合工作?！　??? ?與激光雷達(dá)、攝像頭的關(guān)系目前智能駕駛核心的兩個(gè)傳感器是視覺和毫米波雷達(dá)，已經(jīng)被一定程度上應(yīng)用在乘用車上面了，也將是未來(lái)L2到L3級(jí)別智能駕駛的主力傳感器?！　〖す饫走_(dá)現(xiàn)在更多的是應(yīng)用在無(wú)人駕駛測(cè)試車上面，其最大瓶頸還
關(guān)鍵字： 201904 CMOS

MRAM技術(shù)新突破！臺(tái)灣清大團(tuán)隊(duì)發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)

　　全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競(jìng)相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)，準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺(tái)灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！　RAM為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)流失，是“不失憶”的存儲(chǔ)器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開?！　∑?/li>
關(guān)鍵字： MRAM DRAM