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          cmos.dram 文章 最新資訊

          緊握物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代新脈搏,賦能“全天候”物聯(lián)應(yīng)用

          • 技術(shù)領(lǐng)先的CMOS圖像傳感器供應(yīng)商思特威(上海)電子科技有限公司(SmartSens)近日正式發(fā)布首款針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的CMOS圖像傳感器(CIS)產(chǎn)品 — SC210IoT。作為“新基建”概念中最重要的一個(gè)技術(shù)方向,5G技術(shù)的商用落地加速了物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的到來(lái),開(kāi)啟了一個(gè)萬(wàn)物互聯(lián)的物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代。據(jù)估計(jì),全球聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的數(shù)量正在以每秒127臺(tái)的速度不斷增加,并將到2020年底達(dá)到310億臺(tái)的驚人數(shù)量。而在物聯(lián)網(wǎng)的構(gòu)建中,“感知”、“計(jì)算”和“互聯(lián)”是最為核心的三個(gè)部分?!案兄钡闹饕l(fā)展方向便是開(kāi)發(fā)適用于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用
          • 關(guān)鍵字: CIS  CMOS  AEC  

          漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識(shí)別

          • 從20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)開(kāi)始,漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)計(jì)中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常,DRAM設(shè)計(jì)中漏電流造成的問(wèn)題也會(huì)導(dǎo)致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲(chǔ)單元;(b)單元晶體管中的柵誘導(dǎo)漏極泄漏電流 (GIDL);(c)位線接觸 (BLC) 與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏;(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲(chǔ)單元(圖1 (a))在電
          • 關(guān)鍵字: DRAM   GIDL  

          三星首次將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

          • 據(jù)ZDnet報(bào)道,三星宣布,已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
          • 關(guān)鍵字: 三星  EUV  DRAM  

          三星率先為DRAM芯片導(dǎo)入EUV:明年將用于DDR5/LPDDR5大規(guī)模量產(chǎn)

          • 當(dāng)前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV(極紫外光刻)工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國(guó)巨頭今日宣布,已經(jīng)出貨100萬(wàn)第一代10nm EUV級(jí)(D1x)DDR4 DRAM模組,并完成全球客戶評(píng)估,這為今后高端PC、手機(jī)、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門。得益于EUV技術(shù),可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復(fù)步驟,并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。三星表示,將從第四代10nm級(jí)(D1a)DRAM或高端級(jí)14nm級(jí)DRAM開(kāi)始全面導(dǎo)入EUV,明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片,預(yù)計(jì)會(huì)使12
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  EUV  

          TrendForce:2019年第四季量增抵銷價(jià)跌影響,DRAM產(chǎn)值較前季近持平

          存儲(chǔ)器行業(yè)的冰與火之歌:凜冬是否已經(jīng)結(jié)束 ?

          • 據(jù)IDC預(yù)測(cè),2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量,如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器將具有極大的市場(chǎng)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失存儲(chǔ)器和非易失存儲(chǔ)器兩種,具體類型如下:“凜冬將至”:這兩年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容,三大存儲(chǔ)器公司(三星、海力士、美光)的財(cái)報(bào)都非常喜人,SK海力士、美光的營(yíng)收規(guī)模均成長(zhǎng)近8成,而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō),2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模比2016年成長(zhǎng)22.2%,達(dá)4197.2億美元,存儲(chǔ)器的
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器、NAND、DRAM  

          全球DRAM產(chǎn)業(yè)迎來(lái)大牛市 內(nèi)存將連漲7個(gè)季度

          • 最近的疫情危機(jī)給全球大多數(shù)電子產(chǎn)品的前景蒙上了陰影,智能手機(jī)Q1季度會(huì)是暴跌50%。不過(guò)內(nèi)存廠商現(xiàn)在可以輕松下了,Q1季度開(kāi)始就進(jìn)入全球牛市,預(yù)計(jì)會(huì)連漲七個(gè)季度,也就是2020年底才可能穩(wěn)下來(lái)。自從1月初的三星供電停電、東芝工廠起火之后,這兩家公司紛紛表態(tài)對(duì)生產(chǎn)基本沒(méi)影響,但是全球存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)依然像是打了雞血,內(nèi)存及SSD硬盤的現(xiàn)貨價(jià)應(yīng)聲而起,1月份就漲價(jià)高達(dá)30%。那這一波內(nèi)存漲價(jià)要持續(xù)多久呢?UBS瑞銀分析師Timothy Acuri日前發(fā)表報(bào)告評(píng)估了內(nèi)存市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì),他認(rèn)為內(nèi)存漲價(jià)將持續(xù)至少7個(gè)
          • 關(guān)鍵字: DRAM、內(nèi)存  

          美光交付全球首款量產(chǎn)的LPDDR5芯片

          • 美光科技近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM 芯片,并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。
          • 關(guān)鍵字: 美光科技  DDR5 DRAM 芯片  

          內(nèi)存和存儲(chǔ)的應(yīng)用熱點(diǎn)與解決方案

          •   Raj Talluri? (美光科技移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部 高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理)  1 內(nèi)存和存儲(chǔ)領(lǐng)域會(huì)出現(xiàn)哪些應(yīng)用或技術(shù)熱點(diǎn)  數(shù)據(jù)爆發(fā)推動(dòng)了各個(gè)技術(shù)領(lǐng)域?qū)?nèi)存和存儲(chǔ)的需求,而云和移動(dòng)是當(dāng)前內(nèi)存和存儲(chǔ)的最大需求來(lái)源?! ≡谝苿?dòng)領(lǐng)域,基于視頻內(nèi)容和游戲的需求不斷增長(zhǎng),智能手機(jī)比以往需要更大的 DRAM , 以 支持計(jì)算攝影、面部識(shí)別、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等各種功能。根據(jù)客戶的需求趨勢(shì)判斷,美光認(rèn)為2020年,智能手機(jī)的平均容量將達(dá)到5GB的DRAM和120 GB的NAND。  與此同時(shí),5G網(wǎng)絡(luò)的普及將刺激對(duì)DRAM和N
          • 關(guān)鍵字: 202002  內(nèi)存  DRAM  AI  

          2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)分析

          •   張明花(集邦咨詢顧問(wèn)(深圳)有限公司 編輯,深圳 518000)  摘? 要:預(yù)估2020年全球內(nèi)存市場(chǎng)的年成長(zhǎng)率僅為12.2%,這個(gè)數(shù)字在年成長(zhǎng)動(dòng)輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標(biāo),資本支出也會(huì)減少。  關(guān)鍵詞:內(nèi)存;DRAM;三星;SK海力士;美光  觀察全球內(nèi)存(DRAM)市場(chǎng)供需格局以及價(jià)格走勢(shì),在歷經(jīng)近5個(gè)季度的庫(kù)存調(diào)整后,2019年第4季 度DRAM市場(chǎng)仍處于微幅供過(guò)于求狀態(tài),即便2020年 第1季度DRAM的
          • 關(guān)鍵字: 202002  內(nèi)存  DRAM  三星  SK海力士  美光  

          南亞科10nm DRAM技術(shù)突破

          • 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,南亞科已完成自主研發(fā) 10 納米級(jí) DRAM 技術(shù),將在今年下半年試產(chǎn)!
          • 關(guān)鍵字: 10nm  DRAM  

          安森美付運(yùn)1億個(gè)圖像傳感器,應(yīng)用于基于攝像機(jī)的ADAS系統(tǒng),支持SUBARU等客戶

          • 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)付運(yùn)了應(yīng)用于輔助駕駛員的1億個(gè)AR0132AT圖像傳感器,突破數(shù)量里程碑。 汽車先進(jìn)安全技術(shù)的領(lǐng)袖之一SUBARU CORPORATION選擇了該120萬(wàn)像素CMOS傳感器,因?yàn)樗Y(jié)合了領(lǐng)先業(yè)界的高動(dòng)態(tài)范圍、低光照感光性能和可編程曝光模式,滿足其駕駛員輔助系統(tǒng)Eyesight的苛刻技術(shù)規(guī)格。AR0132AT支持的EyeSight系統(tǒng)于2014年6月首次安裝在Levorg汽車型號(hào)中,隨后推及在Legacy,F(xiàn)ores
          • 關(guān)鍵字: 圖像傳感器  CMOS  

          儒卓力與愛(ài)普科技簽署全球分銷協(xié)議

          • 儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)和中國(guó)臺(tái)灣證券交易所上市企業(yè),全球領(lǐng)先的IoT RAM、利基型DRAM和AI存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商愛(ài)普科技簽署全球分銷協(xié)議。這項(xiàng)分銷協(xié)議涵蓋了愛(ài)普科技的全部產(chǎn)品,并且已經(jīng)生效。根據(jù)此分銷合作關(guān)系協(xié)議,儒卓力是愛(ài)普科技IoT RAM產(chǎn)品在歐洲市場(chǎng)的獨(dú)家分銷商。愛(ài)普科技的產(chǎn)品范圍包括各種各樣的存儲(chǔ)解決方案,重點(diǎn)產(chǎn)品則是具有低引腳數(shù)的超低功耗IoT RAM和具有長(zhǎng)壽命支持的標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)品。在物聯(lián)網(wǎng)和邊緣AI市場(chǎng),存儲(chǔ)器是系統(tǒng)性
          • 關(guān)鍵字: RAM  DRAM  

          南亞科:明年下半年DRAM將供不應(yīng)求

          • DRAM大廠南亞科董事長(zhǎng)吳嘉昭認(rèn)為,明年第2季起,DRAM市場(chǎng)就會(huì)供需平衡,且若市場(chǎng)未有大量新產(chǎn)能開(kāi)出,下半年DRAM可望再度供不應(yīng)求。
          • 關(guān)鍵字: 南亞科  DRAM  市場(chǎng)  

          日韓決裂,半導(dǎo)體誰(shuí)最受傷?

          • 6月末也是在大阪召開(kāi)G20結(jié)束的時(shí)間,此次出口限制可謂是對(duì)韓國(guó)企業(yè)的一次“偷襲”!此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時(shí)的“日本偷襲珍珠港”。
          • 關(guān)鍵字: 日韓貿(mào)易戰(zhàn)  半導(dǎo)體  光刻  DRAM  
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