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SiC: 為何被稱為是新一代功率半導(dǎo)體？
- 王?瑩?（《電子產(chǎn)品世界》編輯，北京?100036） SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢。據(jù)SiC廠商羅姆基于IHS的調(diào)查顯示，2025年整個市場規(guī)模將達(dá)到約23億美元。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會得到更多的應(yīng)用。 不過，制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價格，主要原因有兩個：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應(yīng)地下降，羅姆等公司已經(jīng)有6英
- 關(guān)鍵字： 201909 新一代功率半導(dǎo)體 SiC
SiC將達(dá)23億美元規(guī)模，技術(shù)精進(jìn)是主攻方向
- ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會得到更多的應(yīng)用。? ? ? 不過，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價格，主要原因有兩個，一個是襯底，一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應(yīng)地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠商競爭
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
德州儀器推出業(yè)界新款集成了CAN FD控制器和收發(fā)器的系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片
- CAN FD通信協(xié)議是基于原始CAN總線標(biāo)準(zhǔn)（又稱為“經(jīng)典CAN”）而設(shè)計(jì)的，有助于確保多種車載網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)傳輸率和吞吐量在繼續(xù)演進(jìn)的同時，汽車微控制器和連接的系統(tǒng)能夠以各種速率高效通信。
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 CAN FD控制器 系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片
看好CAN FD車載網(wǎng)絡(luò)前景，TI發(fā)布系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片
- ? ? ? CAN FD是一種通信協(xié)議，主要用于車載網(wǎng)絡(luò)，是CAN總線標(biāo)準(zhǔn)的升級版。自2019年以來，包括中國在內(nèi)的車廠、一級經(jīng)銷商（Tier 1）等，紛紛提出了對CAN FD芯片的需求。而在2019年以前，CAN FD幾乎無人問津。究其原因，新能源汽車和自動駕駛汽車對總線帶寬的需求不斷上升。照片：TI接口產(chǎn)品部門產(chǎn)品線經(jīng)理Charles Sanna? ? ? CAN FD的芯片用量非?？捎^，如果一輛汽車全部采用CAN FD，可能傳統(tǒng)車需要二十個
- 關(guān)鍵字： CAN FD
CAN總線冷知識-邊沿臺階是怎么來的？
- 你了解CAN總線波形嗎？你知道是什么因素造成CAN信號不穩(wěn)定的嗎？本文將帶你探究影響CAN波形穩(wěn)定的罪魁禍?zhǔn)住呇嘏_階。阻抗匹配是指信號源或者傳輸線跟負(fù)載之間達(dá)到一種適合的搭配，阻抗匹配主要為了調(diào)整負(fù)載功率和抑制信號反射；然而，阻抗不匹配的現(xiàn)象在CAN總線網(wǎng)絡(luò)中隨處可見；如圖1所示，阻抗不匹配的將造成7個現(xiàn)象，其中最受關(guān)注的為上升沿和下降沿的臺階；下文將針對邊沿臺階的現(xiàn)象做詳細(xì)介紹。圖1 阻抗不匹配波形解釋邊沿臺階是怎么出現(xiàn)的，如何消除，對總線有何影響；一、邊沿臺階的源頭在CAN總線的網(wǎng)絡(luò)布
- 關(guān)鍵字： CAN 通信 致遠(yuǎn)電子
更小體積！SMD封裝CAN/RS485/RS232工業(yè)總線隔離收發(fā)模塊
- 一、產(chǎn)品簡介? ? ? 金升陽近期推出高性價比、SMD封裝、小體積CAN/RS485/RS232隔離總線收發(fā)器——TDx31SCANH(FD)、TDx31S485(H/H-E/H-A)、TDx31S232H系列，協(xié)助電力、工控、交通（軌道、汽車）、儀器儀表等行業(yè)的客戶實(shí)現(xiàn)信號精準(zhǔn)地橋接。該系列進(jìn)行了產(chǎn)品性能的升級，并提升了工藝制程及可靠性。? ? ? 該系列產(chǎn)品的加工采用全貼片工藝，客戶可輕松實(shí)現(xiàn)自動化加工，大大降低加工成本。產(chǎn)品的體積L*W*H
- 關(guān)鍵字： SMD封裝 金升陽 CAN/RS485/RS232
基于UDS的CAN節(jié)點(diǎn)軟件升級設(shè)計(jì)
- Design of CAN node software ypdate based on UDS馬建輝 123 ，慕永云 123 ，侯冬冬 123 ，胡代榮 123 ，朱亮 1（1.齊魯工業(yè)大學(xué)（山東省科學(xué)院），山東 濟(jì)南，250353；2．山東省科學(xué)院自動化研究所，山東 濟(jì)南，250014；3．山東省汽車電子技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，山東 濟(jì)南，250014）?????? 摘要：汽車CAN節(jié)點(diǎn)軟件升級過程中大量頻繁的CAN通信造成網(wǎng)絡(luò)負(fù)載率升高，可能導(dǎo)致大
- 關(guān)鍵字： 201904 CAN節(jié)點(diǎn) 軟件升級 UDS on CAN Bootloader 多幀通信
CAN一致性測試最重要的幾個測試項(xiàng)是什么？
- CAN一致性測試在于縮小CAN網(wǎng)絡(luò)中節(jié)點(diǎn)差異，保證CAN網(wǎng)絡(luò)的環(huán)境穩(wěn)定，有效提高CAN網(wǎng)絡(luò)的抗干擾能力。因此CAN節(jié)點(diǎn)的一致性測試就顯得尤為重要?！ ‰S著新能源、智能網(wǎng)聯(lián)等概念發(fā)展，車身CAN總線環(huán)境變得復(fù)雜及紊亂，CAN節(jié)點(diǎn)質(zhì)量不穩(wěn)定給主機(jī)廠安全性帶來極大威脅。所以，CAN一致性測試已成為保證CAN網(wǎng)絡(luò)安全運(yùn)行的重要手段，CAN一致性測試內(nèi)容覆蓋了物理層、鏈路層、應(yīng)用層等測試需求，如表1 CAN一致性測試內(nèi)容(節(jié)選)所示;其中包括了輸入閾值、輸出電壓、采樣點(diǎn)、位寬容忍度重點(diǎn)測試項(xiàng)目?！ ”?
- 關(guān)鍵字： CAN，CANDT
SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機(jī)型， 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機(jī)型，該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個機(jī)型。 ROHM于2010年在全球率先成功實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動領(lǐng)先的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴(kuò)大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質(zhì)，并于2012年開始供應(yīng)車載充電器用的SiC肖特
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC MOSFET
安森美半導(dǎo)體將在APEC 2019演示 用先進(jìn)云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案
- 2019年3月14日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應(yīng)用廣泛的電源方案，使用戶能在一個具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設(shè)計(jì)之前對系統(tǒng)性能有信心?！ trata Developer S
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC
采樣點(diǎn)測試的原理和設(shè)計(jì)
- 采樣點(diǎn)是接收節(jié)點(diǎn)判斷信號邏輯的位置，采樣點(diǎn)對CAN總線來說極其重要，尤其是在組網(wǎng)的時候，多個節(jié)點(diǎn)盡量保持同一個采樣點(diǎn)，若網(wǎng)絡(luò)中節(jié)點(diǎn)采樣點(diǎn)不一致會導(dǎo)致同樣的采樣頻率出現(xiàn)采樣錯誤，進(jìn)而會使整個網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)故障?！ ?1 采樣點(diǎn)的規(guī)則及原理 CAN 協(xié)議里將一個位時間分為同步段、傳播段、相位緩沖段 1 和相位緩沖段 2。這些段又由稱之為Time Quantum(以下稱為Tq)的最小時間單位構(gòu)成。1位由多少個Tq構(gòu)成、每個段由多少個Tq構(gòu)成等是可以設(shè)定的。通過設(shè)置bit時序，使得可以設(shè)定一個采樣點(diǎn)以使總線上
- 關(guān)鍵字： CAN 采樣點(diǎn)
集邦咨詢：需求持續(xù)擴(kuò)張，2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2,900億元
- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%。 集邦咨詢分析師謝瑞峰指出，功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動型的產(chǎn)業(yè)，2019年
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC
CAN一致性測試隔離和非隔離供電的電路區(qū)別
- 汽車電子中有隔離和非隔離DUT，常用于在與發(fā)動機(jī)、BMS等容易產(chǎn)生瞬時高壓的設(shè)備部分會采用隔離的通訊連接，隔離DUT的目的是為防止電磁干擾影響DUT通信信號以及瞬時高壓脈沖損壞DUT;而非隔離DUT，則常用于與低壓車載電子設(shè)備的通信。根據(jù)DUT類型，CANDT設(shè)計(jì)兩種供電模式，隔離供電與非隔離供電，本文與讀者淺談隔離與非隔離電路原理和接線方式的區(qū)別，以及其對測試的影響。常見的CAN設(shè)備分為隔離和非隔離兩類?！ ∫?、隔離供電DUT設(shè)備 隔離ECU內(nèi)部的收發(fā)器和控制器之間有隔離模塊(包括數(shù)字隔離芯片和隔
- 關(guān)鍵字： CAN DUT
碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
- 關(guān)鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
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