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碳化硅（SiC）功率器件或在電動汽車領(lǐng)域一決勝負
- 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經(jīng)有越來越多的半導體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
- 關(guān)鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車
UltraSoC推出CAN Sentinel增強汽車的網(wǎng)絡(luò)安全性
- 近日，UltraSoC宣布推出CAN Sentinel，從而推動其汽車網(wǎng)絡(luò)安全產(chǎn)品實現(xiàn)重要邁進。全新的知識產(chǎn)權(quán)（IP）在CAN總線中增加了一個亟需的基于硬件的安全層，CAN總線是汽車制造商和整車廠（OEM）所遵循的互連技術(shù)的全球性行業(yè)標準。UltraSoC的CAN Sentinel駐留在總線上，可以監(jiān)測與車輛電子控制單元（ECU）之間的事務(wù)，識別可疑行為，防止惡意消息，并抑制攻擊。
- 關(guān)鍵字： UltraSoC CAN Sentinelm 網(wǎng)絡(luò)安全性
英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平
- 近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅(qū)動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級總監(jiān)St
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
UltraSoC推出CAN Sentinel增強汽車的網(wǎng)絡(luò)安全性
- UltraSoC近日宣布推出CAN Sentinel，從而推動其汽車網(wǎng)絡(luò)安全產(chǎn)品實現(xiàn)重要邁進。全新的知識產(chǎn)權(quán)（IP）在CAN總線中增加了一個亟需的基于硬件的安全層，CAN總線是汽車制造商和整車廠（OEM）所遵循的互連技術(shù)的全球性行業(yè)標準。UltraSoC的CAN Sentinel駐留在總線上，可以監(jiān)測與車輛電子控制單元（ECU）之間的事務(wù)，識別可疑行為，防止惡意消息，并抑制攻擊。CAN Sentinel可以用戶自定義的安全規(guī)則進行配置，從而提供保護以防范諸如框架欺騙等常見的漏洞利用手段，并且允許系統(tǒng)隨著威
- 關(guān)鍵字： CAN 網(wǎng)絡(luò)安全
如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器
- 在本文中，我們將調(diào)查電動車牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢。我們將展示在各種負荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負荷到滿負荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關(guān)頻率，以對電機繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機內(nèi)的鐵損。預計在所有這些因素的影響下，純電動車的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時，降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明，純電動車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預期要快。這促使汽車制造商（包括現(xiàn)有制
- 關(guān)鍵字： SiC BEV 牽引逆變器
整車CAN網(wǎng)絡(luò)介紹
- 在了解can網(wǎng)絡(luò)之前, 先了解1個問題：什么是智能硬件與ECU？何為智能硬件，就是包含智能控制單元的硬件。比如發(fā)動機，發(fā)動機上有一塊兒專門負責控制發(fā)動機進氣量、噴油量、排氣量的控制單元，這塊單元相當于發(fā)動機的大腦。它具有信號發(fā)送、信號接收、參數(shù)存儲等基本功能，這個控制單元就是ECU。ECU(Electronic ControlUnit）電子控制單元，是汽車專用微機控制器，一個ECU一般負責1個或多個智能硬件設(shè)備。隨著汽車的發(fā)展，車上的智能設(shè)備越來越多，也就是說車上的ECU也越來越多，如何用一個網(wǎng)絡(luò)把這些智
- 關(guān)鍵字： ECU CAN
羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導體就碳化硅（SiC）晶圓長期供貨事宜達成協(xié)議
- 近日，全球知名半導體制造商羅姆和意法半導體（以下簡稱“ST”）宣布，雙方就碳化硅（以下簡稱“SiC”）晶圓由羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH （以下簡稱“SiCrystal”）供應(yīng)事宜達成長期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下，雙方達成超1.2億美元的協(xié)議，由SiCrystal（SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一）向ST（面向眾多電子設(shè)備提供半導體的全球性半導體制造商）供應(yīng)先進的150mm SiC晶圓。ST 總經(jīng)理 兼 首席執(zhí)行官（CEO） Jean-Marc Chery 說：
- 關(guān)鍵字： SiC 車載
利用高度集成的8位MCU簡化CAN汽車應(yīng)用
- 控制器局域網(wǎng)（CAN）協(xié)議是在20世紀80年代中期專為汽車行業(yè)設(shè)計的一種規(guī)范，可在日益增長的互聯(lián)應(yīng)用中減少數(shù)據(jù)傳輸?shù)牟季€復雜性（重量、數(shù)量和成本）。CAN的優(yōu)勢也被其他市場（包括工廠自動化和醫(yī)療應(yīng)用）接受和吸納，這使其應(yīng)用范圍更加廣泛，全球每年交付的CAN節(jié)點超過10億個。同樣，每年交付的8位單片機（MCU）也超過10億個。如今，雖然這些統(tǒng)計數(shù)據(jù)有部分重疊，但今后仍會有大幅增長。CAN繼續(xù)滿足汽車制造商的需求傳統(tǒng)的CAN通信以事件為基礎(chǔ)，允許單片機和專用集成電路（ASICS）在應(yīng)用中直接相互通信，無需主機
- 關(guān)鍵字： MCU CAN
使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動1200 V SiC電源模塊
- 簡介電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導體器件和通過柵極驅(qū)動器控制這些新型半導體器件開和關(guān)的策略。目前最先進的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅(qū)動器的性能要求，例如，，通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進的短路保護。本應(yīng)用筆記展示了ADuM4136 柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢，這款單通道器件的輸出驅(qū)動能
- 關(guān)鍵字： DC/DC SiC
CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應(yīng)用中
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC GaN
SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢顯著
- 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅(qū)動等電路設(shè)計。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導通電阻和開關(guān)損耗的大幅降低，這些半導體開關(guān)的應(yīng)用范圍越來越廣。結(jié)果，市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發(fā)機構(gòu)和廠商下大力氣滿足市場要求，進一步改進MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時候，收益遞減
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 意法半導體
ST進軍工業(yè)市場，打造豐富多彩的工業(yè)樂園
- 近日，意法半導體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部區(qū)域營銷和應(yīng)用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場的特點，并介紹了ST的產(chǎn)品線寬泛且通用性強，能夠提供完整系統(tǒng)的支持。1 芯片廠商如何應(yīng)對工業(yè)市場少量多樣的挑戰(zhàn)工業(yè)領(lǐng)域呈現(xiàn)多樣、少量的特點，需要改變消費類電子大規(guī)模生產(chǎn)的模式，實現(xiàn)少量、高質(zhì)量的生產(chǎn)。具體地，工業(yè)的一大挑戰(zhàn)是應(yīng)用的多樣化，即一個大應(yīng)用下面通常有很多小的子應(yīng)用，所以產(chǎn)品會非標準化，即一個產(chǎn)品只能針對某一類小應(yīng)用/小客戶的需
- 關(guān)鍵字： 電機 MCU 電源 SiC
ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進一步降低各種設(shè)備的功耗。另外，羅姆也已開始供應(yīng)SiC MOSFET評估板“P02SCT304
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
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