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武漢新芯“3D NAND”項(xiàng)目獲業(yè)內(nèi)權(quán)威專家一致認(rèn)可

武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會(huì)在武漢組織召開了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目可行性專家評審會(huì)，業(yè)內(nèi)專家對
關(guān)鍵字： 3D NAND

三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
關(guān)鍵字：三星 V-NAND 3D 固態(tài)盤

現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報(bào)道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop，I
關(guān)鍵字： 3D NAND SSD 存儲(chǔ)技術(shù)

芯片被喻為一個(gè)國家工業(yè)的糧食，是所有整機(jī)設(shè)備的“心臟”，其重要性可想而知，所以，不論是國外還是國內(nèi)，芯片產(chǎn)業(yè)對其科技發(fā)展都起著至
關(guān)鍵字：海思 EDA SOC IC設(shè)計(jì)

1 引言：功耗在芯片設(shè)計(jì)中的地位長期以來，設(shè)計(jì)者面臨的最大挑戰(zhàn)是時(shí)序收斂，而功耗處于一個(gè)次要的地位。近年來，下面的因素使功耗日益得到設(shè)計(jì)
關(guān)鍵字：功耗 IC設(shè)計(jì)

最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高，許多半導(dǎo)體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中，又以三星電子率先在這場競爭中獲益最多，取得領(lǐng)先地位。
關(guān)鍵字： 3D NAND 三星

　　存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言，存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。　　當(dāng)前，我國筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國產(chǎn)廠商對存儲(chǔ)需求量巨大。　　相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM

　　美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。　　美光移動(dòng)事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機(jī)市場，此區(qū)塊市場占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。　　而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
關(guān)鍵字：美光 3D NAND

隨著國家供給側(cè)改革以及調(diào)結(jié)構(gòu)、去產(chǎn)能、補(bǔ)短板等一系列宏觀政策影響，加上新興市場如汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等市場的發(fā)展，我國 IC 設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)仍將保持較快速增長的態(tài)勢，
關(guān)鍵字：兆易創(chuàng)新 IC設(shè)計(jì)

　　中國半導(dǎo)體協(xié)會(huì)發(fā)布統(tǒng)計(jì)，大陸IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值上季已超越臺(tái)灣，上半年合計(jì)人民幣685.5億元，年增24.6%，反超臺(tái)灣，對臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)威脅加深。　　據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，大陸第2季IC設(shè)計(jì)銷售值人民幣401.6億元，超過臺(tái)灣的1,697億元新臺(tái)幣;臺(tái)灣上半年合計(jì)則約3,149億元新臺(tái)幣。　　至于大陸半導(dǎo)體制造業(yè)銷售值，上半年也達(dá)人民幣454.8億元，年增14.8%;封測業(yè)銷售值人民幣708.8億元，年增9.5%。臺(tái)灣目前在這兩項(xiàng)仍維持領(lǐng)先優(yōu)勢。　　不過大陸有10座12寸晶圓廠興建中，連臺(tái)灣的臺(tái)
關(guān)鍵字： IC設(shè)計(jì) 臺(tái)積電

目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝殺入敵營，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下句點(diǎn)，3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
關(guān)鍵字：美光 3D NAND

　　據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。　　市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購，成立長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。　　清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會(huì)上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
關(guān)鍵字：三星 3D NAND