3d 閃存文章最新資訊

128層閃存：中國(guó)剛剛突破、SK海力士加速量產(chǎn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日宣布,已經(jīng)攻克128層堆疊3D QLC閃存技術(shù),單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng)造單位面積存儲(chǔ)密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個(gè)世界第一,首次躋身全球第一隊(duì)列水平。當(dāng)前,整個(gè)閃存行業(yè)都在全面轉(zhuǎn)向100+層堆疊,其中東芝、西部數(shù)據(jù)是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國(guó)的突破顯然讓國(guó)際巨頭們有些不安,紛紛開始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎(chǔ)。在今天的第一季度財(cái)務(wù)會(huì)議期間,同樣來(lái)自韓國(guó)的SK海
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC閃存今年量產(chǎn) 2021逼迫閃存降價(jià)

從去年下半年到現(xiàn)在,內(nèi)存閃存的漲價(jià)讓存儲(chǔ)廠商重新過(guò)上了好日子,想降價(jià)只能靠中國(guó)廠商了。上周國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布攻克128層堆棧的QLC閃存,性能、容量、密度三項(xiàng)世界第一,預(yù)計(jì)今年底量產(chǎn)。據(jù)介紹,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)：128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在今年推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長(zhǎng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。今年早些時(shí)候，長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來(lái)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存晶圓了解到，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總
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瑞薩電子推出全新32位RX72N和RX66N MCU，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接，適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社近日宣布推出RX產(chǎn)品家族新成員——32位RX72N產(chǎn)品組和RX66N產(chǎn)品組，其單個(gè)芯片集成了設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接。RX72N基于瑞薩專有的RXv3 CPU內(nèi)核，具備240MHz最大工作頻率及雙以太網(wǎng)通道；RX66N具備120MHz最大工作頻率及單個(gè)以太網(wǎng)通道。在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，性能與功能的不斷升級(jí)導(dǎo)致程序代碼愈加龐大。因此，存儲(chǔ)容量和讀取速度是決定實(shí)時(shí)性能的關(guān)鍵因素。全新RX72N和RX66N提供高達(dá)4MB片上閃存，可達(dá)到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率，同時(shí)具備1
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國(guó)產(chǎn)38nm SLC閃存已量產(chǎn) 兆易創(chuàng)新：推進(jìn)24nm閃存研發(fā)

在NAND閃存市場(chǎng),三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國(guó)內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。前不久兆易創(chuàng)新發(fā)布了2019年報(bào),去年?duì)I收32億元,同比增長(zhǎng)42%,凈利潤(rùn)6.07億元,同比大漲50%。兆易創(chuàng)新的主要有三大業(yè)務(wù),最主要的是NOR閃存,全球市場(chǎng)份額在去年Q3季度上升到了第三,主要生產(chǎn)工藝為65nm節(jié)點(diǎn),另有部分55nm工藝產(chǎn)品。兆易創(chuàng)新的NOR閃存累計(jì)出貨量超過(guò)100億顆,目前依然供不應(yīng)求
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微軟Surface Duo未來(lái)新特性：支持3D深度相機(jī)

新推出的Surface Neo并不是微軟唯一的雙屏設(shè)備。在去年10月份的發(fā)布會(huì)上，微軟還宣布了一款名為“Surface Duo”的Surface手機(jī)，Surface Duo可運(yùn)行Google的Android應(yīng)用，并直接從谷歌Play商店支持Microsoft服務(wù)。Surface Duo是由Panos Panay領(lǐng)導(dǎo)的Surface團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)的，它具有出色的硬件，但是之前有傳言稱Surface Duo設(shè)備將配備中核相機(jī)。與三星Galaxy Fold和華為Mate Xs競(jìng)爭(zhēng)的Surface Duo可能沒有配備出
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紫光存儲(chǔ)解散？國(guó)產(chǎn)閃存、內(nèi)存市場(chǎng)人事地震：長(zhǎng)江存儲(chǔ)、紫光存儲(chǔ)發(fā)聲

今天國(guó)產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)生異動(dòng),傳聞紫光旗下的紫光存儲(chǔ)解散,相關(guān)人員要合并到長(zhǎng)江存儲(chǔ)中。隨后這兩家公司分別發(fā)表聲明,辟謠相關(guān)報(bào)道。存儲(chǔ)芯片是近年來(lái)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展的重中之重,畢竟一年進(jìn)口的內(nèi)存及閃存芯片超過(guò)1000億美元,份量極大,而紫光主導(dǎo)的幾家存儲(chǔ)公司是重點(diǎn),尤其是長(zhǎng)江存儲(chǔ),去年首發(fā)量產(chǎn)了國(guó)產(chǎn)3D閃存。最新的爆料稱,紫光存儲(chǔ)公司解散,未來(lái)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向DRAM內(nèi)存,大部分員工正等著長(zhǎng)江存儲(chǔ)挑選,沒有挑中的就要自謀生路。針對(duì)這一消息,紫光存儲(chǔ)方面已經(jīng)發(fā)表了聲明,否認(rèn)公司解散,但承認(rèn)公司業(yè)務(wù)有所調(diào)整。紫光存儲(chǔ)表示
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三星量產(chǎn)512GB UFS 3.1手機(jī)閃存

三星近日宣布開始量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，其連續(xù)寫入速度超過(guò)1.2GB/s，是其前代產(chǎn)品寫入速度的3倍。
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2000億大基金二期3月底開始投資國(guó)產(chǎn)3D閃存仍是重點(diǎn)

為了扶植半導(dǎo)體發(fā)展,多部門推動(dòng)成立了“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”,也就是大基金,一期已經(jīng)完成,二期大基金規(guī)模高達(dá)2041億元,今年3月份將開始實(shí)質(zhì)投資。此前,國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(2014.09-2018.05)已經(jīng)投資完畢,共募得普通股987.2億元,同時(shí)發(fā)行優(yōu)先股400億元,總投資額為1387億元(相比于原先計(jì)劃的1200億元超募15.6%),公開投資公司為23家,累計(jì)有效投資項(xiàng)目達(dá)到70個(gè)左右。據(jù)報(bào)道,大基金一期投資范圍涵蓋集成電路產(chǎn)業(yè)上、中、下游各個(gè)環(huán)節(jié),其中67%的投資投向了半導(dǎo)體制造,包括
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歐司朗推出首款智能3D感應(yīng)發(fā)射器模塊，讓智能手機(jī)玩轉(zhuǎn)專業(yè)攝影

圖片已經(jīng)成為人們?cè)谏缃幻襟w展現(xiàn)自我的重要方式。為了追求“完美的圖像”，越來(lái)越多的應(yīng)用程序提供了濾鏡或編輯功能來(lái)增強(qiáng)圖像效果。盡管智能手機(jī)攝影功能創(chuàng)新層出不窮，但仍然有一些圖像效果只能通過(guò)專業(yè)相機(jī)和復(fù)雜昂貴的鏡頭來(lái)實(shí)現(xiàn)。歐司朗推出首款3D傳感發(fā)射器模塊，讓智能手機(jī)以交錯(cuò)景深拍攝高質(zhì)量的圖像和視頻，達(dá)到專業(yè)效果。例如在人像拍攝中，實(shí)現(xiàn)人臉聚焦、背景模糊的小景深。如今，智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備和其他移動(dòng)設(shè)備的功能越來(lái)越多，留給內(nèi)部元器件的設(shè)計(jì)空間也越來(lái)越小。對(duì)制造商而言，能找到合適的發(fā)射和接收器件以及IC元器件，進(jìn)
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光線追蹤：一種顛覆性技術(shù)

對(duì)于任何名副其實(shí)地從事AR/VR/XR、產(chǎn)品設(shè)計(jì)或仿真工作的工程師而言，光線追蹤是他們應(yīng)該熟悉的一種技術(shù)。因?yàn)樗亲匀S（3D）圖形誕生以來(lái)圖形技術(shù)領(lǐng)域最重要的進(jìn)步之一，而且它即將從高深的電影和廣告領(lǐng)域轉(zhuǎn)向移動(dòng)、可穿戴和汽車等嵌入式領(lǐng)域，作為全新的、更有效的處理光線追蹤的方法進(jìn)入市場(chǎng)。如果你去看任何的三維場(chǎng)景，會(huì)發(fā)現(xiàn)其逼真度很大程度上取決于光照。在傳統(tǒng)的圖形渲染（光柵化處理）中，光照貼圖和陰影貼圖是預(yù)先計(jì)算好的，然后應(yīng)用到場(chǎng)景中以模擬場(chǎng)景外觀。然而，雖然可以實(shí)現(xiàn)很美觀的效果，但其始終受限于一個(gè)事實(shí)，即這些
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走近英特爾Lakefield——采用備受贊譽(yù)的Foveros 3D封裝技術(shù)

這款指甲大小的英特爾芯片是首款采用了Foveros技術(shù)的產(chǎn)品。英特爾院士、芯片工程事業(yè)部成員?Wilfred Gomes，手執(zhí)一枚采用Foveros先進(jìn)封裝技術(shù)打造而成的處理器。該處理器將獨(dú)特的3D堆疊與一種混合計(jì)算架構(gòu)結(jié)合在一起，這種架構(gòu)混搭了多種類型、功能各異的內(nèi)核。（圖片來(lái)源：Walden Kirsch/英特爾公司）Foveros封裝技術(shù)改變了以往將不同IP模塊放置在同一2D平面上的做法，改為3D立體式堆疊，讓處理器有了全新的構(gòu)建模式。試想一下，全新設(shè)計(jì)的芯片就像一個(gè)設(shè)計(jì)成1毫米厚的夾心蛋
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美光3D XPoint存儲(chǔ)芯片量產(chǎn) 分析師：不影響Intel

3D閃存在2020年將全面升級(jí)到100+層堆棧,128層會(huì)是很多廠商的選擇,再加上QLC閃存的普及,閃存及SSD硬盤的容量會(huì)進(jìn)一步增加,同時(shí)降低成本。不過(guò)新一代閃存的問(wèn)題在于性能及可靠性都在下降了,以至于很多玩家都在反感QLC閃存,就像當(dāng)年反感TLC閃存一樣。有沒有性能更強(qiáng)、可靠性更高的存儲(chǔ)芯片?這也是有的,美光、Intel在2015年聯(lián)合宣布的3D XPoint就是一種革命性的存儲(chǔ)芯片,基于PCM相變存儲(chǔ)技術(shù),原理跟NAND閃存就不同,所以當(dāng)時(shí)Intel、美光宣稱它具備1000倍于閃存的性能、1000倍
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手機(jī)廠商大行3D 視覺技術(shù)，屏下指紋識(shí)別解鎖或成“覆面系”福音？

自iPhoneX在智能手機(jī)中首次搭載3DSensing以來(lái),其2018年發(fā)布的iPhoneXR、iPhoneXS、iPhoneXSMax均采用3Dsensing。3Dimaging&sensing市場(chǎng)規(guī)模將從2016年的13億美元增長(zhǎng)至2022年的90億美元,CAGR達(dá)到37.3%,2022年3D成像設(shè)備有望超過(guò)10億個(gè)。誠(chéng)然,消費(fèi)者的需求已經(jīng)非常明顯,他們不但想要差異化強(qiáng)個(gè)性化足的產(chǎn)品,而且還希望擁有提升體驗(yàn)效率的表現(xiàn)。圖片來(lái)源:http://software.it168.com如何解決“覆面系
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憑借BiCS5 3D NAND技術(shù)，西部數(shù)據(jù)進(jìn)一步增強(qiáng)其存儲(chǔ)領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)優(yōu)勢(shì)

西部數(shù)據(jù)公司近日宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來(lái)鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成，以有競(jìng)爭(zhēng)力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在車聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)設(shè)備和人工智能等相關(guān)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的當(dāng)下，BiCS5成為了理想的選擇?；?12 Gb的 BiCS5 TLC，西部數(shù)據(jù)目前已成功在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨。預(yù)計(jì)到2020下半年，BiCS5將投入大規(guī)模量產(chǎn)。西部數(shù)據(jù)將推出一系列容量可選的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC，其中包括
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