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          羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng):快充測(cè)試

          作者:胡世 時(shí)間:2022-03-19 來源:EEPW論壇 收藏

          一、測(cè)試工裝準(zhǔn)備

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/202203/432173.htm

          1、P02SCT3040KR-EVK-001測(cè)試板

          1622626505558060.jpg

          1622626523527663.jpg

          2、電壓源

          1622626555125488.jpg

          3、示波器

          1622626574724608.jpg

          4、負(fù)載儀

          1622626595533594.jpg

          二、測(cè)試項(xiàng)目進(jìn)行

          1、安裝 SIC后的空載波形

          安裝

          1622626625217930.jpg

          空載波形

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          空板,空載GS 為100hz 25V 信號(hào)

          2、DCDC 在線測(cè)試

          1)空載測(cè)試驅(qū)動(dòng)

          1622626686699025.jpg

          空載輸出12V,gs驅(qū)動(dòng)為200hz

          1622626717190727.jpg

          總寬度3.6uS的錐形信號(hào)

          1622626747388188.jpg

          2)加載  24轉(zhuǎn)55V  2A dcdc

          1622626776909675.jpg

          驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形如下:

          帶載 6.6k 15V驅(qū)動(dòng)信號(hào)

          1622626805378606.jpg

          1622626827922317.jpg

          1622626844281495.jpg

          單脈沖寬度,3uS左右

          總結(jié)

          由于輕負(fù)載,溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品,以后有對(duì)應(yīng)設(shè)備,進(jìn)行高壓大電流測(cè)試。



          關(guān)鍵詞: SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

          評(píng)論


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