性能 文章 最新資訊
為什么選擇 PCIe 5.0 來滿足邊緣的功耗、性能和帶寬？
- 關鍵PCIe 5.0 仍然是當今大多數(shù)應用的實用選擇，允許從 PCIe 4.0 遷移，并且僅在絕對必要時遷移到 PCIe 6.0。邊緣人工智能正在推動技術的重大變革，預計到 2027-2028 年，50% 的數(shù)據(jù)中心容量將由人工智能驅動，這使得 PCIe 5.0 的高帶寬和低延遲至關重要。PCIe 5.0 為各種應用提供了靈活性，平衡了功耗、性能、面積和延遲權衡，這對于汽車和高性能計算等行業(yè)至關重要。低功耗設計技術對于邊緣設備和節(jié)能系統(tǒng)都至關重要，PCIe 5.0 支持各種電源狀態(tài)，以減少能耗，同時保持性
- 關鍵字： PCIe 5.0 功耗 性能 帶寬
聯(lián)發(fā)科技開發(fā)采用臺積電 2nm 工藝的芯片，實現(xiàn)性能和能效的里程碑
- 無晶圓廠半導體設計領域的全球領導者聯(lián)發(fā)科宣布與臺積電合作取得突破性成就。該公司已成功開發(fā)出采用臺積電尖端 2nm 工藝技術的旗艦片上系統(tǒng) （SoC），計劃于 2026 年底量產(chǎn)。這一里程碑加強了聯(lián)發(fā)科和臺積電之間的長期合作，臺積電始終如一地為旗艦移動設備、計算、汽車、數(shù)據(jù)中心等應用提供高性能、高能效的芯片組。臺積電的2nm制程技術引入了納米片晶體管結構，這是半導體設計的重大飛躍。這種創(chuàng)新架構可以顯著提高性能和能效，為先進芯片組樹立新標準。聯(lián)發(fā)科首款基于 2nm 的芯片組預計將于 2026 年底首次亮相，將
- 關鍵字： 聯(lián)發(fā)科技 臺積電 2nm 性能 能效
Intel 18A制程技術細節(jié)曝光：性能與密度全面提升
- 據(jù)報道，在2025年英特爾代工大會及VLSI研討會上，英特爾進一步公布了其最新一代Intel 18A制程的技術細節(jié)。Intel 18A采用了RibbonFET環(huán)繞柵極晶體管（GAA）技術，相比FinFET技術實現(xiàn)了重大突破。這一技術不僅提升了柵極靜電性能，還顯著降低了寄生電容，提高了設計靈活性。同時，Intel 18A率先引入了PowerVia背面供電技術，該技術將單元密度和利用率提升了5%-10%，并顯著降低了供電電阻，使ISO功率性能提升4%。與Intel 3工藝節(jié)點相比，Intel 18A的每瓦性能
- 關鍵字： Intel 18A 制程技術 性能 密度
提高傳感器性能的簡單方法有哪些？
- 雖然通常不可能提高傳感器的實際性能，但通過適當?shù)倪x擇、系統(tǒng)設計和集成，在系統(tǒng)級別提高傳感器性能是非?？赡艿?。可用于傳感器性能優(yōu)化的工具包括選擇、放置、作和信號調(diào)節(jié)/處理。首先選擇具有適當范圍、分辨率、靈敏度、精度、響應時間和其他性能規(guī)格的傳感器。在設計過程中，盡量減少/管理噪聲和干擾源。到達現(xiàn)場后，定期校準可能很重要。傳感器性能支柱與優(yōu)化傳感器系統(tǒng)作相關的挑戰(zhàn)可能很復雜，但可以分為四個主要考慮因素：選擇、放置、作和數(shù)據(jù)處理（圖 1）。優(yōu)化每個性能支柱可以通過回答一系列五個問題來設想：目標是什么？為什么測量
- 關鍵字： 傳感器 性能
英偉達H20現(xiàn)身基準測試：內(nèi)核數(shù)量相比H100減少41%，性能降低28%
- 去年英偉達為了適應美國政府對尖端人工智能（AI）芯片新的出口管制，推出中國特供版的H20計算卡，基于Hopper架構打造，取代了以往銷售的A800和H800。雖然性能有不小的下降，但是可以滿足部分客戶的使用需求，而英偉達也獲得了更多的收益。至于H20和全球范圍內(nèi)熱賣的H100之間規(guī)格有多大差異，具體性能差多少，英偉達并沒有透露。據(jù)Wccftech報道，H20現(xiàn)身Geekbench 6數(shù)據(jù)庫，顯示其配備了78組SM。搭載GH100芯片完整的配置為144組SM，不過實際的H100產(chǎn)品中沒有全部打開，其
- 關鍵字： 英偉達 H20 基準測試 內(nèi)核 性能
代工價格高達14萬元 臺積電3nm真實性能大縮水：僅比5nm好了5%
- 臺積電當前量產(chǎn)最先進的工藝是5nm及改進版的4nm，3nm工藝因為種種原因一直推遲，9月份就說量產(chǎn)了，又說年底量產(chǎn)，不過這個月就算量產(chǎn)，真正放量也要到明年了。根據(jù)臺積電之前的消息，3nm節(jié)點上至少有5代衍生版工藝，分別是N3、N3P、N3S、N3X及N3E，其中N3工藝是最早量產(chǎn)的，但是這版工藝遭到客戶棄用，很大可能就放棄了，明年直接上N3E工藝。對比N5工藝，N3功耗可降低約25-30％，性能可提升10-15％，晶體管密度提升約70％。N3E在N3的基礎上提升性能、降低功耗、擴大應用范圍，對比N5同等性
- 關鍵字： 臺積電 3nm 性能
妙用\"虛擬遠端采樣\"改善負載調(diào)節(jié)性能（二）
- 改良工業(yè)應用VRS 還可以用來簡化工業(yè)應用的系統(tǒng)改良。例如，一對電源線可用于新設備，但是負載端調(diào)節(jié)不符合設備規(guī)范要求。這時VRS可以非常容易地用來控
- 關鍵字： 虛擬 采樣 負載調(diào)節(jié) 性能
妙用\"虛擬遠端采樣\"改善負載調(diào)節(jié)性能（一）
- 當電源和負載之間存在較大壓降時，準確調(diào)節(jié)負載電壓可能很難。即使穩(wěn)壓器在自己的輸出端產(chǎn)生非常穩(wěn)定的電壓，負載電流的變化也會影響沿導線產(chǎn)生的IR壓
- 關鍵字： 虛擬 采樣 負載調(diào)節(jié) 性能
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473