元器件文章最新資訊

過(guò)電應(yīng)力導(dǎo)致的器件失效

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，元器件的可靠性是系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的基石。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，我們常常會(huì)遇到各種各樣的器件失效問(wèn)題。其中，過(guò)電應(yīng)力（Electrical Over Stress, EOS）導(dǎo)致的失效占比超過(guò)80%以上，而器件本身質(zhì)量原因?qū)е碌氖О咐蚊采贤ǔＥc“EOS”形貌類似，故因器件本身質(zhì)量原因?qū)е碌氖Ш芏鄷r(shí)候常常被誤判或忽視。本文將簡(jiǎn)單學(xué)習(xí)EOS的失效機(jī)理、典型特征、與靜電放電（ESD）的異同，然后結(jié)合兩個(gè)功率器件失效實(shí)際案例，簡(jiǎn)述如何通過(guò)“EOS”的現(xiàn)象找到失效根因。一、何為過(guò)電應(yīng)力（EOS）？E
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TDK 推出全新品牌標(biāo)識(shí)與標(biāo)語(yǔ)“In Everything, Better”

- “In Everything, Better”體現(xiàn)了TDK的核心精神及其對(duì)文化、產(chǎn)業(yè)和社會(huì)做出的貢獻(xiàn)- TDK是推動(dòng)先進(jìn)技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵力量，這些技術(shù)支撐著塑造我們?nèi)粘Ｉ畹漠a(chǎn)品- TDK的技術(shù)融入萬(wàn)物之中，從內(nèi)部推動(dòng)轉(zhuǎn)型- TDK通過(guò)自我轉(zhuǎn)型追求每日進(jìn)步，并通過(guò)推動(dòng)社會(huì)轉(zhuǎn)型讓世界變得更美好TDK株式會(huì)社（東京證券交易所代碼：6762）宣布推出全新品牌標(biāo)識(shí)及標(biāo)語(yǔ)：“In Everything, Better”。這一舉措將成為長(zhǎng)期愿景“TDK Transfo
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EOS(過(guò)電應(yīng)力)導(dǎo)致的器件失效

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，元器件的可靠性是系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的基石。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，我們常常會(huì)遇到各種各樣的器件失效問(wèn)題。其中，過(guò)電應(yīng)力（Electrical Over Stress, EOS）導(dǎo)致的失效占比超過(guò)80%以上，而器件本身質(zhì)量原因?qū)е碌氖О咐蚊采贤ǔＥc“EOS”形貌類似，故因器件本身質(zhì)量原因?qū)е碌氖Ш芏鄷r(shí)候常常被誤判或忽視。本文將簡(jiǎn)單學(xué)習(xí)EOS的失效機(jī)理、典型特征、與靜電放電（ESD）的異同，然后結(jié)合兩個(gè)功率器件失效實(shí)際案例，簡(jiǎn)述如何通過(guò)“EOS”的現(xiàn)象找到失效根因。一、何為過(guò)電應(yīng)力（EOS）？E
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44種實(shí)用電路圖，掌握了，也就一通百通了！

通過(guò)以下各種各樣的實(shí)用電路，大家可以了解元器件的結(jié)構(gòu)、特性、動(dòng)作原理及電路的基本控制方式，掌握一些控制規(guī)律，這樣的話，在日后的電路識(shí)圖中就能融會(huì)貫通，一通百通。文章中的電路圖有難有易，有些圖現(xiàn)在可能看不懂，說(shuō)不定以后就能看懂了，建議大家收藏備用哦！1.三相異步電動(dòng)機(jī)正反轉(zhuǎn)控制電路2.雙重互鎖控制電路3.三相電動(dòng)機(jī)行程控制電路4.三相異步電動(dòng)機(jī)的時(shí)間控制電路（延時(shí)控制電路）5.三相異步電動(dòng)機(jī)的制動(dòng)控制電路（電磁抱閘制動(dòng)電路、反接制動(dòng)控制電路、能耗制動(dòng)控制電路）6.并聯(lián)型直流穩(wěn)壓電源電路7.串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電源
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【收藏】器件失效分析大全

電阻電阻的失效模式與失效機(jī)理電阻器的基本失效模式電阻器的失效模式和失效機(jī)理是什么？電容電容失效分析陶瓷電容器失效模式與機(jī)理分析？七大原因全面解析陶瓷電容耐壓不良失效分析鋁電解電容失效圖片MLCC失效圖片貼片陶瓷電容最主要的失效模式斷裂MLCC電應(yīng)力擊穿機(jī)理研究陶瓷電容失效分析MLCC失效分析案例某新能源車企，因電容失效可能導(dǎo)致起火，召回近10萬(wàn)輛鉭電容的失效模式與失效機(jī)理鋁電解電容的失效模式和失效機(jī)理電感電感的失效分析貼片電感失效原因分析電感失效圖片電感的失效分析貼片電感失效原因分析珍貴的電感失效案例
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硬件工程師必看，一大波電子產(chǎn)品高清結(jié)構(gòu)爆炸圖~太漂亮了！

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秒懂電感飽和

電感飽和的原因先直觀的認(rèn)識(shí)下什么是電感飽和，如圖1:圖1我們知道當(dāng)圖1線圈中通過(guò)電流時(shí)，線圈會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)；磁芯在磁場(chǎng)的作用下會(huì)被磁化，其內(nèi)部磁疇會(huì)慢慢旋轉(zhuǎn)；當(dāng)磁芯被完全磁化時(shí)，磁疇方向全部和磁場(chǎng)一致，即使再增加外磁場(chǎng)，磁芯也沒(méi)有可以旋轉(zhuǎn)的磁疇了，此時(shí)的電感就進(jìn)入了飽和狀態(tài)。從另一個(gè)角度來(lái)看，如圖2所示的磁化曲線，磁通密度B與磁場(chǎng)強(qiáng)度H之間滿足圖2中右側(cè)公式：當(dāng)磁通密度達(dá)到Bm時(shí)，磁通密度不再隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的增大而大幅度增大，此時(shí)電感達(dá)到飽和。由電感與磁導(dǎo)率μ的關(guān)系式可知：當(dāng)電感飽和后，μ會(huì)大幅度減小，最終導(dǎo)致電
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電感電流是連續(xù)的？電路突然剪斷，會(huì)發(fā)生什么？

一、電感特性：電感的電流是連續(xù)的電感電流是連續(xù)的，這是由電感的基本特性決定的。下面從原理和數(shù)學(xué)兩個(gè)角度為你詳細(xì)解釋并證明：原理角度電感是一種能夠儲(chǔ)存和釋放磁場(chǎng)能量的元件，其儲(chǔ)存的磁場(chǎng)能量表達(dá)式為，其中是磁場(chǎng)能量，是電感系數(shù)，是通過(guò)電感的電流。根據(jù)能量守恒定律，能量不能突變。因?yàn)殡姼袃?chǔ)存的磁場(chǎng)能量與電流的平方成正比，如果電流發(fā)生突變，意味著在極短的時(shí)間內(nèi)電感儲(chǔ)存的能量也會(huì)發(fā)生突變。但在現(xiàn)實(shí)中，能量的變化需要一定的時(shí)間來(lái)完成，不可能瞬間改變。能量不能瞬移，能量瞬移則需要無(wú)窮大的功率。所以，電感中的電流不能突變
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淺談電感的磁芯損耗

我們知道電感磁芯是很多電子產(chǎn)品中都會(huì)用到的產(chǎn)品，比如：手機(jī)，變壓器等等，電子產(chǎn)品在使用過(guò)程中都會(huì)產(chǎn)生一定的損耗，而電感磁芯也不例外。如果電感磁芯的損耗過(guò)大，就會(huì)影響電感磁芯的使用壽命。電感磁芯損耗（主要包括磁滯損耗和渦流損耗兩部分）的特性是功率材料的一個(gè)最主要的指標(biāo)，它影響甚至決定了整機(jī)的工作效率、溫升、可靠性。什么是電感？電感是把電能轉(zhuǎn)化為磁能而存儲(chǔ)起來(lái)的元件，它只阻礙電流的變化，有通電與未通電兩種狀態(tài)，如果電感器在沒(méi)有電流通過(guò)的狀態(tài)下，電路接通時(shí)它將試圖阻礙電流流過(guò)它；如果電感器在有電流通過(guò)的狀態(tài)下，
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電感，從器件選型到可靠性提升

第一部分電感的定義和原理電感器(Inductor)是能夠把電能轉(zhuǎn)化為磁能而存儲(chǔ)起來(lái)的元件。電感器的結(jié)構(gòu)類似于變壓器，但只有一個(gè)繞組。電感器具有一定的電感，它只阻礙電流的變化。如果電感器在沒(méi)有電流通過(guò)的狀態(tài)下，電路接通時(shí)它將試圖阻礙電流流過(guò)它；如果電感器在有電流通過(guò)的狀態(tài)下，電路斷開(kāi)時(shí)它將試圖維持電流不變。電感器又稱扼流器、電抗器、動(dòng)態(tài)電抗器。簡(jiǎn)單的說(shuō)：通直流，阻礙交流。1、電感的作用通直流阻交流這是簡(jiǎn)單的說(shuō)法，對(duì)交流信號(hào)進(jìn)行隔離,濾波或與電容器,電阻器等組成諧振電路。調(diào)諧與選頻電感的作用：電感線圈與電容
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原來(lái)電感的參數(shù)有什么多

1. 電感本質(zhì)特性電感的等效模型如下圖：一個(gè)電感串聯(lián)一電阻再與電容并聯(lián)，正是感值、直流電阻和寄生電容的體現(xiàn)。電感量 (L)表示電感的自感能力，單位亨利 (H)。決定因素：線圈圈數(shù)、繞制密度、磁芯類型及其磁導(dǎo)率?；疚锢硖匦裕c電流大小無(wú)關(guān)。感抗 (XL)電感對(duì)交流電流的阻礙作用，單位歐姆 (Ω)。公式：XL=2πfLXL = 2pi f LXL=2πfL （與頻率和電感量成正比）。分布電容線圈間及與周圍結(jié)構(gòu)間的寄生電容，會(huì)降低Q值并影響穩(wěn)定性?？赏ㄟ^(guò)分段繞法減小分布電容。2. 電感性能指標(biāo)品質(zhì)因數(shù) (Q)
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怎樣處理元器件引發(fā)電路故障？

01. 電容故障電容損壞引發(fā)的故障在電子設(shè)備中是最高的，其中尤其以電解電容的損壞最為常見(jiàn)。電容損壞表現(xiàn)為：容量變小、完全失去容量、漏電、短路。電容在電路中所起的作用不同，引起的故障也各有特點(diǎn)：在工控電路板中，數(shù)字電路占絕大多數(shù)，電容多用做電源濾波，用做信號(hào)耦合和振蕩電路的電容較少。用在開(kāi)關(guān)電源中的電解電容如果損壞，則開(kāi)關(guān)電源可能不起振，沒(méi)有電壓輸出；或者輸出電壓濾波不好，電路因電壓不穩(wěn)而發(fā)生邏輯混亂，表現(xiàn)為機(jī)器工作時(shí)好時(shí)壞或開(kāi)不了機(jī)，如果電容并在數(shù)字電路的電源正負(fù)極之間，故障表現(xiàn)同上。這在電腦主板上表現(xiàn)尤
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SK海力士在FMS 2024上展示下一代存儲(chǔ)技術(shù)

SK海力士在加利福尼亞州圣克拉拉會(huì)議中心舉辦的今年未來(lái)存儲(chǔ)峰會(huì)（FMS，前稱閃存峰會(huì)）上，展示了其最新的存儲(chǔ)技術(shù)和AI硬件解決方案。此次展會(huì)上，該公司展示了其即將推出的產(chǎn)品，包括12層HBM3E內(nèi)存模塊和預(yù)計(jì)在2025年上半年出貨的321層1Tb TLC NAND。SK海力士充分利用這一活動(dòng)平臺(tái)，從主題演講開(kāi)始，重點(diǎn)介紹了其在AI內(nèi)存解決方案方面的進(jìn)展，例如為設(shè)備端AI計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)的PCB01 SSD產(chǎn)品線。該SSD提供高達(dá)每秒14 GB的讀取和寫(xiě)入速度，支持運(yùn)行大型語(yǔ)言模型（LLM）用于AI訓(xùn)練和推理。S
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Microchip推出新一代PCIe Gen 5 SSD控制器，聚焦數(shù)據(jù)中心

Microchip公司近日發(fā)布了其最新的Flashtec NVMe 5016 PCIe Gen 5固態(tài)硬盤(pán)（SSD）控制器，專為數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)，旨在通過(guò)提升性能、降低功耗和集成安全特性，進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)中心的效率和可靠性。隨著人工智能（AI）和云計(jì)算服務(wù)的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對(duì)高效能和可靠性的需求日益增加。Microchip數(shù)據(jù)中心解決方案業(yè)務(wù)部副總裁Pete Hazen表示：“數(shù)據(jù)中心技術(shù)必須與AI和機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域的重大進(jìn)展保持同步。我們的第五代Flashtec NVMe控制器旨在引領(lǐng)市場(chǎng)，滿足對(duì)高性能、功耗優(yōu)
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晶閘管極性判斷，晶閘管怎么測(cè)好壞？這幾種方法你必須要會(huì)

今天給大家講一下晶閘管（可控硅）怎么測(cè)好壞？在講晶閘管怎么測(cè)好壞之前，先給大家講一下晶閘管（可控硅）極性的判斷方法。晶閘管（可控硅）極性判斷的方法晶閘管（可控硅）極性的判斷方法--根據(jù)封裝形式（外觀）普通晶閘管（可控硅）的極性可以根據(jù)其封裝形式來(lái)判斷。螺栓型普通晶閘管（可控硅）的螺栓端為陽(yáng)極A，較細(xì)的引線端為柵極G，較粗的引線端為陰極K。如下圖所示：螺栓型普通晶閘管極性判別圖扁平晶閘管的引線端為柵極G，扁平端為陽(yáng)極A，另一端為陰極K。如下圖所示：扁平晶閘管極性判別圖金屬封裝晶閘管（T0-3）是一種普通晶閘
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元器件介紹

元器件昆山金鵬電子有限公司網(wǎng)站www.jppcb.com是一家專業(yè)生產(chǎn)各種高精密度單，雙面及多層電路板的高新技術(shù)公司. <meta http-equiv="Content-Type" content="text/html; charset=gb2312"> 電路板上需負(fù)擔(dān)更多的功能，因此在單面線路無(wú)法承載下，于是朝雙面配線的方向邁進(jìn)。1953年，Motorola公司最早采用圖案成 [ 查看詳細(xì) ]