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          存儲(chǔ) 文章 最新資訊

          雙11狂歡|心動(dòng)集結(jié),西部數(shù)據(jù)解決方案狙擊多樣存儲(chǔ)需求

          • 秋意漸濃,又到了一年一度最讓人期待的雙十一狂歡購(gòu)物節(jié)!是時(shí)候打開(kāi)筆記本和備忘錄開(kāi)始做筆記、列清單了。此次西部數(shù)據(jù)帶著超值優(yōu)惠如約而至,豐富存儲(chǔ)產(chǎn)品滿足多樣需求,讓你能夠“對(duì)癥下藥”。一站式清單就在此,雙十一買(mǎi)什么,看這一篇就夠了!打造存儲(chǔ)無(wú)憂的企業(yè)辦公環(huán)境無(wú)論是居家辦公還是企業(yè)辦公, 7×24小時(shí)全天候高強(qiáng)度工作負(fù)載需要可靠、高性能的存儲(chǔ)設(shè)備支持。而NAS可以存儲(chǔ)、保護(hù)、歸檔和與多名用戶共享大量數(shù)據(jù),處理多個(gè)數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用,是能全方面滿足辦公需求的理想存儲(chǔ)方式。西部數(shù)據(jù)的WD Red? Plus HDD和
          • 關(guān)鍵字: 西部數(shù)據(jù)  存儲(chǔ)  

          江波龍亮相中國(guó)移動(dòng)全球合作伙伴大會(huì),共探高算力存儲(chǔ)機(jī)遇

          • 10月11日至13日,以“算啟新程,智享未來(lái)”為主題的2023中國(guó)移動(dòng)全球合作伙伴大會(huì)在廣州盛大舉行。作為中國(guó)移動(dòng)長(zhǎng)期合作伙伴,江波龍受邀出席,攜前沿存儲(chǔ)創(chuàng)新成果亮相現(xiàn)場(chǎng),與業(yè)內(nèi)伙伴一同聚焦高算力領(lǐng)域,共探存儲(chǔ)新機(jī)遇。中國(guó)移動(dòng)全球合作伙伴大會(huì)是中國(guó)移動(dòng)每年最重要的活動(dòng)之一,旨在加強(qiáng)與全球合作伙伴的交流與合作,共同推動(dòng)數(shù)字化產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。江波龍作為中國(guó)移動(dòng)的重要合作伙伴之一,與中國(guó)移動(dòng)在多個(gè)領(lǐng)域開(kāi)展了深入合作,共同推動(dòng)了數(shù)字化產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。在本次展會(huì)上,江波龍展示了公司在高算力領(lǐng)域的創(chuàng)新成果。其中,公司今年
          • 關(guān)鍵字: 江波龍  存儲(chǔ)  中國(guó)移動(dòng)  

          三星計(jì)劃明年初量產(chǎn)超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND 閃存,號(hào)稱層數(shù)業(yè)內(nèi)最多

          • IT之家 10 月 19 日消息,三星是全球最大的 NAND 閃存供應(yīng)商,對(duì)其 V-NAND(即三星稱之為的 3D NAND)的發(fā)展有著宏大的計(jì)劃,本周三星分享了一些相關(guān)信息。該公司證實(shí),其正在按計(jì)劃生產(chǎn)擁有超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND 閃存,并表示這將是業(yè)內(nèi)層數(shù)最多的 3D NAND?!暗诰糯?V-NAND 基于雙層結(jié)構(gòu),層數(shù)達(dá)到業(yè)界最高水平,明年初將開(kāi)始量產(chǎn)?!比请娮涌偛眉娲鎯?chǔ)器事業(yè)部負(fù)責(zé)人李政培(Lee Jung-Bae)在博客文章中寫(xiě)道。IT之家注意到,8 月份就有消息稱,三
          • 關(guān)鍵字: 三星  存儲(chǔ)  NAND閃存  

          消息稱內(nèi)存、閃存元器件采購(gòu)成本上漲 20-30%,Q4 起逐漸波及手機(jī)等產(chǎn)品

          • IT之家 10 月 13 日消息,據(jù)華爾街見(jiàn)聞報(bào)道,供應(yīng)鏈上下游龍頭公司透露稱,受三星等存儲(chǔ)原廠減產(chǎn)以及國(guó)內(nèi)閃存龍頭存儲(chǔ)顆粒產(chǎn)能不足的影響,內(nèi)存和閃存元器件采購(gòu)成本逐步上漲。報(bào)道稱,相較此前低位,國(guó)內(nèi)有存儲(chǔ)器下游龍頭閃存采購(gòu)成本已上漲近 20%,內(nèi)存采購(gòu)成本上漲約 30%。隨之而來(lái)的影響,即從今年四季度開(kāi)始,存儲(chǔ)元器件成本上漲所帶來(lái)的影響將逐漸傳導(dǎo)至消費(fèi)端,筆記本電腦、手機(jī)等終端產(chǎn)品可能面臨漲價(jià)局面。同樣在今天上午,@數(shù)碼閑聊站 也發(fā)文稱“上游搞了個(gè)騷操作”,并直言內(nèi)存和存儲(chǔ)“白菜價(jià)的時(shí)代要過(guò)去
          • 關(guān)鍵字: 三星  存儲(chǔ)  

          2023上半年中國(guó)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)排名出爐

          • 2023 年中國(guó)全閃存市場(chǎng)將保持 2.6% 以上的增速。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  

          佰維推出 LPDDR5 + UFS3.1 集成產(chǎn)品 uMCP,可節(jié)約 55% 手機(jī)主板空間

          • IT之家 10 月 11 日消息,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商佰維宣布推出 uMCP 系列產(chǎn)品,將內(nèi)存和閃存集成到一個(gè)模塊中,容量達(dá) 8GB+256GB,芯片尺寸為 11.5mm×13.0mm×1.0mm,號(hào)稱相較于 UFS3.1 和 LPDDR5 分離的方案可節(jié)約 55%主板空間。佰維 uMCP 芯片可選 LPDDR5 + UFS3.1 和 LPDDR4X + UFS2.2 版本,順序讀寫(xiě)速度最高 2100MB/s、1800MB/s,頻率最高 6400Mbps。佰維表示,相比基于 LPDD
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  佰維  

          工信部等六部門(mén):目標(biāo) 2025 年算力規(guī)模超過(guò) 300 EFLOPS,存儲(chǔ)總量超過(guò) 1800EB

          • IT之家 10 月 9 日消息,工業(yè)和信息化部、中央網(wǎng)信辦、教育部、國(guó)家衛(wèi)生健康委、中國(guó)人民銀行、國(guó)務(wù)院國(guó)資委等六部門(mén)近日聯(lián)合印發(fā)《算力基礎(chǔ)設(shè)施高質(zhì)量發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃》(下稱《行動(dòng)計(jì)劃》),提出到 2025 年,計(jì)算力方面,算力規(guī)模超過(guò) 300 EFLOPS,智能算力占比達(dá)到 35%,東西部算力平衡協(xié)調(diào)發(fā)展。運(yùn)載力方面,國(guó)家樞紐節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)中心集群間基本實(shí)現(xiàn)不高于理論時(shí)延 1.5 倍的直連網(wǎng)絡(luò)傳輸,重點(diǎn)應(yīng)用場(chǎng)所光傳送網(wǎng)(OTN)覆蓋率達(dá)到 80%,骨干網(wǎng)、城域網(wǎng)全面支持 IPv6,SRv6 等創(chuàng)新技術(shù)使
          • 關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)中心  算力  存儲(chǔ)  

          1γ DRAM、321層NAND!存儲(chǔ)大廠先進(jìn)技術(shù)競(jìng)賽仍在繼續(xù)

          • 盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)身處下行周期,但存儲(chǔ)大廠對(duì)于先進(jìn)技術(shù)的競(jìng)賽仍在繼續(xù)。對(duì)DRAM芯片而言,先進(jìn)制程意味著高能效與高容量,以及更好的終端使用體驗(yàn)。當(dāng)前,DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級(jí)別目前來(lái)到了第五代,美光稱之為1β DRAM,三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開(kāi)始量產(chǎn)1β DRAM之后,計(jì)劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM,這將是美光第1代采用極紫外光(EUV)的制程技術(shù),目前在美光只在臺(tái)中有EUV的制造工廠,因此1γ制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn),未來(lái)日本廠也有望導(dǎo)入EUV
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  存儲(chǔ)  

          集邦咨詢:2023Q4 NAND 價(jià)格預(yù)估增長(zhǎng) 3-8%,DRAM 要開(kāi)啟增長(zhǎng)周期

          • IT之家 9 月 27 日消息,存儲(chǔ)制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(zhǎng)的下降周期之后,終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報(bào)道,伴隨著主要存儲(chǔ)制造商的持續(xù)減產(chǎn),已經(jīng)市場(chǎng)去庫(kù)存效果顯現(xiàn),預(yù)估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后,DRAM 價(jià)格也會(huì)上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損,2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn),目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn),消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈,9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn),主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中,在 9 月產(chǎn)量下降了
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          美光印度ATMP工廠動(dòng)工,投資27.5億美元

          • 據(jù)外媒,當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月23日,美光科技公司位于印度古吉拉特邦薩南德的組裝、測(cè)試和封裝工廠 (ATMP) 破土動(dòng)工,總投資27.5億美元。據(jù)了解,今年6月,美光與印度政府簽署關(guān)于在古吉拉特邦建廠的諒解備忘錄。9月23日,印度塔塔集團(tuán)旗下塔塔項(xiàng)目公司宣布將與美光科技合作,建設(shè)該先進(jìn)半導(dǎo)體組裝和測(cè)試工廠,并表示該工廠一期工程將很快啟動(dòng),預(yù)計(jì)2024年底投運(yùn)。古吉拉特邦首席部長(zhǎng)布彭德拉·帕特爾在講話時(shí)表示:“該公司準(zhǔn)備在簽署諒解備忘錄后不到三個(gè)月的時(shí)間內(nèi)破紀(jì)錄地開(kāi)始建設(shè)。”報(bào)道稱,該項(xiàng)目是印度半導(dǎo)體使命(ISM)下
          • 關(guān)鍵字: 美光  印度  測(cè)試封裝  存儲(chǔ)  

          消息稱三星電子手機(jī)存儲(chǔ)芯片漲價(jià) 10~20%,客戶包括小米、OPPO 等

          • IT之家 9 月 13 日消息,芯片行業(yè)分析師表示,盡管 PC 芯片的需求仍然疲軟,但內(nèi)存芯片市場(chǎng)現(xiàn)在已經(jīng)出現(xiàn)了復(fù)蘇的跡象,特別是在移動(dòng) DRAM 芯片領(lǐng)域。據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》,三星電子公司最近與其客戶(包括小米、OPPO 和谷歌)簽署了 DRAM 和 NAND 芯片供應(yīng)協(xié)議,價(jià)格比其現(xiàn)有合同高出 10-20%。三星一位高管表示,該公司預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的供需平衡最早將在今年第四季度向供應(yīng)短缺傾斜。也就是說(shuō),三星認(rèn)為存儲(chǔ)芯片市場(chǎng) Q4 可能就會(huì)出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。消息人士稱,這家芯片制造
          • 關(guān)鍵字: 手機(jī)  存儲(chǔ)  

          行業(yè)庫(kù)存情況如何?國(guó)內(nèi)一存儲(chǔ)廠商回應(yīng)

          • 近日,存儲(chǔ)器芯片供應(yīng)商普冉股份披露投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表。關(guān)于NOR Flash行業(yè)庫(kù)存情況,普冉股份表示,NOR Flash終端客戶的原廠庫(kù)存以及渠道庫(kù)存已經(jīng)幾近健康,設(shè)計(jì)原廠的庫(kù)存調(diào)整也逐步接近尾聲。接下來(lái)一段時(shí)間,各廠商依然會(huì)采取適當(dāng)?shù)慕祪r(jià)策略去化庫(kù)存。但隨著行業(yè)庫(kù)存逐步健康,行業(yè)格局逐步出清,預(yù)計(jì)下半年會(huì)持續(xù)向好,價(jià)格也會(huì)逐步回歸平穩(wěn)態(tài)勢(shì),公司將密切關(guān)注后續(xù)市場(chǎng)走勢(shì)。普冉股份強(qiáng)調(diào),公司將積極地進(jìn)行戰(zhàn)略盤(pán)整,持續(xù)調(diào)整以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)的迅速變化。面對(duì)激烈的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局,機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存,公司會(huì)充分發(fā)揮公司的
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  普冉股份  NOR Flash  

          嵌入式C語(yǔ)言中各變量存儲(chǔ)的位置

          • 局部變量、局部靜態(tài)變量、全局變量、全局靜態(tài)變量區(qū)別如下:·?局部變量:棧區(qū);·?局部靜態(tài)變量:靜態(tài)區(qū);·?全局變量:靜態(tài)區(qū)的常量區(qū);·?全局靜態(tài)變量:靜態(tài)區(qū)。在進(jìn)行C/C++編程時(shí),需要程序員對(duì)內(nèi)存的了解比較精準(zhǔn)。經(jīng)常需要操作的內(nèi)存可分為以下幾個(gè)類別:1. 棧區(qū)(stack):由編譯器自動(dòng)分配釋放 ,存放函數(shù)的參數(shù)值,局部變量的值等。其操作方式類似于數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中的棧。?2. 堆區(qū)(heap):一般由程序員分配釋放, 若程序員不釋放,程序結(jié)束時(shí)可能由OS回收
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式  C語(yǔ)言  變量  存儲(chǔ)  編程  

          存儲(chǔ)市場(chǎng)何時(shí)否極泰來(lái)?

          為何手機(jī)都不支持存儲(chǔ)卡了?原因有三

          • 曾幾何時(shí),市面上的手機(jī)大多支持存儲(chǔ)卡,喜歡的音樂(lè)、視頻可以通過(guò)它在多個(gè)設(shè)備之中互相拷貝,搭配個(gè)讀卡器甚至能當(dāng)U盤(pán)用,非常方便。但如今,大部分品牌的手機(jī)都已經(jīng)取消了擴(kuò)展存儲(chǔ)這一功能,取而代之的是更多256GB、512GB甚至1TB的大容量版本,之間存在幾百元的差價(jià)。如果你曾好奇過(guò)為何廠商要“淘汰”手機(jī)上的存儲(chǔ)卡插槽,目前網(wǎng)上討論主要有三種可能,看看你覺(jué)得哪種更有道理?存儲(chǔ)卡的讀取速度跟不上需求最初,很多手機(jī)都會(huì)將應(yīng)用安裝在存儲(chǔ)卡上,其讀取速度就會(huì)很大程度上影響日常的使用體驗(yàn),但市面上的產(chǎn)品良莠不齊,有些劣質(zhì)
          • 關(guān)鍵字: 手機(jī)  TF卡  存儲(chǔ)  
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          存儲(chǔ)介紹

          存儲(chǔ)   cún chǔ  ?。ù娲鎯?chǔ)儲(chǔ))   1.把錢(qián)或物等積存起來(lái)?!肚鍟?huì)典事例·戶部·庫(kù)藏》:“戶部奏部庫(kù)空虛,應(yīng)行存儲(chǔ)款項(xiàng)?!薄肚鍟?huì)典·戶部倉(cāng)場(chǎng)衙門(mén)·侍郎職掌》:“每年新漕進(jìn)倉(cāng),倉(cāng)場(chǎng)酌量舊存各色米多寡勻派分儲(chǔ),將某倉(cāng)存儲(chǔ)某年米色數(shù)目,造冊(cè)先期咨部存案?!?魯迅 《書(shū)信集·致李小峰》:“《舊時(shí)代之死》之作者之家族,現(xiàn)頗窘,幾個(gè)友人為之集款存儲(chǔ),作孩子讀書(shū)之用?!?  2.指積存的錢(qián)或物等 [ 查看詳細(xì) ]
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