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          三星 sdi 文章 最新資訊

          三星聯(lián)合ARM與新思科技開發(fā)5納米制程優(yōu)化工具

          • 在半導(dǎo)體先進(jìn)制程上的進(jìn)爭,目前僅剩下臺(tái)積電、三星、以及英特爾。不過,因?yàn)橛⑻貭栆宰约汗镜漠a(chǎn)品生產(chǎn)為主,因此,臺(tái)積電與三星的競爭幾乎成為半導(dǎo)體界中熱門的話題。
          • 關(guān)鍵字: 三星  ARM  新思科技  5納米  

          2019年Q2基帶市場份額:高通和三星爭奪5G基帶市場領(lǐng)導(dǎo)權(quán)

          • Strategy Analytics手機(jī)元件技術(shù)研究服務(wù)最新發(fā)布的研究報(bào)告《2019年Q2基帶市場份額追蹤:高通和三星爭奪5G基帶市場領(lǐng)導(dǎo)權(quán)》指出,2019年Q2全球蜂窩基帶處理器市場收益年同比下降4%,為50億美元。Strategy Analytics的報(bào)告指出,2019年Q2全球蜂窩基帶處理器市場收益份額位居前五名的為:高通、海思半導(dǎo)體、聯(lián)發(fā)科、三星LSI和英特爾。2019年Q2高通以43%的收益份額保持全球基帶市場的領(lǐng)導(dǎo)地位,海思半導(dǎo)體以15%的收益份額排名第二,聯(lián)發(fā)科以14%緊隨其后?!?nbsp
          • 關(guān)鍵字: 基帶  高通  三星  5G  

          投入92億元 三星擴(kuò)建電動(dòng)車電池工廠

          • 日前,據(jù)外媒報(bào)道,三星SDI對(duì)外宣布,公司計(jì)劃投入3900億匈牙利福林(約合人民幣92億元),用于擴(kuò)建匈牙利首都布達(dá)佩斯市郊的電動(dòng)車電池工廠。據(jù)悉,這筆投資將創(chuàng)建約1200個(gè)工作崗位,工廠建成后年產(chǎn)能將滿足5萬輛電動(dòng)車的電池配置需求。 根據(jù)此前報(bào)道,匈牙利電池工廠的銷售范圍主要面向當(dāng)?shù)丶皻W洲各國,三星SDI于2016年投入了1000億匈牙利福林(約合人民幣24億元)在匈牙利建立電動(dòng)車電池工廠。截至目前,公司在匈牙利的總投資額已經(jīng)達(dá)到10億歐元(約合人民幣78億元),未來還將繼續(xù)擴(kuò)大投資,使匈牙利電池工廠
          • 關(guān)鍵字: 三星  電動(dòng)車  電子領(lǐng)域  

          傳三星將推出Galaxy Note10 Lite版 將有黑紅兩種配色

          • 據(jù)外媒sammobile消息,三星正開發(fā)Galaxy Note10 Lite版系列手機(jī)。該款手機(jī)有望比Galaxy Note 10和Galaxy Note 10+更便宜。這款手機(jī)型號(hào)已經(jīng)確認(rèn),為“SM-N770F”,將有黑色和紅色兩種配色,將提供128 GB的內(nèi)置內(nèi)存,此外沒有關(guān)于規(guī)格的信息。三星正開發(fā)Galaxy Note10 Lite版系列手機(jī)就產(chǎn)品理念而言,Galaxy Note10 Lite比Galaxy Note 10(SM-N970)更接近Galaxy Note 3 Neo(SM-N750&n
          • 關(guān)鍵字: 三星  Galaxy Note10 Lite  

          三星西安半導(dǎo)體二期工廠或?qū)⒚髂暾酵懂a(chǎn)

          • 半導(dǎo)體行業(yè)一直是科技行業(yè)的重頭,尤其是今年開始,半導(dǎo)體行業(yè)的重要性愈發(fā)顯得突出,隨著5G物聯(lián)網(wǎng)的正式普及,又會(huì)帶動(dòng)新的一波增長趨勢。近日,根據(jù)可靠消息,半導(dǎo)體行業(yè)巨頭三星正考慮對(duì)其在中國西安興建的二期半導(dǎo)體工廠進(jìn)行額外投資,據(jù)透露,三星計(jì)劃明年將存儲(chǔ)器芯片設(shè)施的資本支出小幅增加至65億美元。有消息稱,三星西安二期工廠已安裝部分設(shè)備并開始試運(yùn)行,以檢查量產(chǎn)前的情況,預(yù)計(jì)將在2020年2月開始批量生產(chǎn)。2020年5G手機(jī)將掀起一波換機(jī)需求,而中國是重要的市場,同時(shí)對(duì)大容量NAND Flash需求也會(huì)增加,在貿(mào)
          • 關(guān)鍵字: 三星  

          兆易創(chuàng)新融資43億研發(fā)國內(nèi)內(nèi)存 19/17nm工藝追平三星美光

          • 2019年國產(chǎn)內(nèi)存實(shí)現(xiàn)了0的突破,合肥長鑫前不久宣布量產(chǎn)10nm級(jí)DDR4內(nèi)存,核心容量8Gb。除此之外,另外一家存儲(chǔ)芯片公司兆易創(chuàng)新也宣布研發(fā)內(nèi)存,10.1日該公司宣布融資43億元,主要用于研發(fā)1Xnm工藝的內(nèi)存芯片。根據(jù)兆易創(chuàng)新的公告,本次非公開發(fā)行A股股票的發(fā)行對(duì)象為不超過10名特定投資者,發(fā)行的股票數(shù)量不超過本次發(fā)行前公司股份總數(shù)的20%,即不超過64,224,315股(含本數(shù))。預(yù)案顯示,兆易創(chuàng)新本次發(fā)行募集資金總額(含發(fā)行費(fèi)用)不超過人民幣432,402.36萬元(含本數(shù)),扣除發(fā)行費(fèi)用后的募
          • 關(guān)鍵字: 兆易  三星  美光  

          三星率先開發(fā)出12層3D硅穿孔堆疊:HBM存儲(chǔ)芯片容量提至24GB

          • 三星電子宣1布率先在業(yè)內(nèi)開發(fā)出12層3D-TSV(硅穿孔)技術(shù)。隨著集成電路規(guī)模的擴(kuò)大,如何在盡可能小的面積內(nèi)塞入更多晶體管成為挑戰(zhàn),其中多芯片堆疊封裝被認(rèn)為是希望之星。三星稱,他們得以將12片DRAM芯片通過60000個(gè)TSV孔連接,每一層的厚度僅有頭發(fā)絲的1/20。總的封裝厚度為720μm,與當(dāng)前8層堆疊的HBM2存儲(chǔ)芯片相同,體現(xiàn)了極大的技術(shù)進(jìn)步。這意味著,客戶不需要改動(dòng)內(nèi)部設(shè)計(jì)就可以獲得更大容量的芯片。同時(shí),3D堆疊也有助于縮短數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r(shí)間。三星透露,基于12層3D TSV技術(shù)的HBM存儲(chǔ)芯片將
          • 關(guān)鍵字: 三星  HBM顯存  內(nèi)存顆粒  

          三星顯示器擬投110億美元升級(jí)韓國LCD工廠

          • 據(jù)韓媒報(bào)道,三星顯示器公司計(jì)劃投入13萬億韓元(約合110億美元),升級(jí)其在韓國的一個(gè)液晶顯示器(LCD)工廠,以生產(chǎn)更先進(jìn)的屏幕。
          • 關(guān)鍵字: 三星  屏幕  OLED  

          設(shè)計(jì)瞄準(zhǔn)5G汽車物聯(lián)網(wǎng),工藝何不就選FD-SOI

          • 作為本世紀(jì)初被開發(fā)以面對(duì)22nm以后半導(dǎo)體工藝難題的兩大制程技術(shù)之一,F(xiàn)D-SOI顯然從知名度上遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如FINFET那樣耳熟能詳,從應(yīng)用的廣度上......
          • 關(guān)鍵字: FD-SOI  芯原微電子  格芯  三星  

          三星Galaxy Note 10獲得Wi-Fi 6認(rèn)證:全球第一

          • 9月17日,三星在官網(wǎng)宣布,三星Galaxy Note 10已經(jīng)獲得了Wi-Fi聯(lián)盟的Wi-Fi 6認(rèn)證,這也是第一款通過Wi-Fi 6認(rèn)證的智能手機(jī)產(chǎn)品。
          • 關(guān)鍵字: 三星  Galaxy Note 10  Wi-Fi 6  

          三星UFS存儲(chǔ)卡現(xiàn)身IFA:順?biāo)僮x取速度達(dá)510.82MB/s

          • 9月10日消息,據(jù)WinFuture報(bào)道,三星UFS存儲(chǔ)卡現(xiàn)身IFA2019展會(huì),它被裝在了海信T91手機(jī)上。
          • 關(guān)鍵字: 三星  存儲(chǔ)卡  UFS  

          華為三星搶發(fā)5G集成芯片 外媒:威脅高通地位

          • 據(jù)國外媒體報(bào)道,上周,三星電子和華為先后在柏林舉行的IFA國際消費(fèi)類電子展上發(fā)布了新款移動(dòng)芯片,這些新型芯片的最大共同點(diǎn)在于均集成了5G調(diào)制解調(diào)器功能。
          • 關(guān)鍵字: 華為  三星  5G集成芯片  高通  

          聯(lián)發(fā)科將與三星合作 三星A系列搭載P22芯片

          • 9月9日消息,近日從供應(yīng)鏈傳出消息,三星公司將會(huì)與聯(lián)發(fā)科進(jìn)行合作。合作之后,下半年推出的Galaxy?。粒丁ⅲ粒芳埃粒付紝?huì)搭載聯(lián)發(fā)科的P22手機(jī)芯片。P22芯片將會(huì)在第三季下旬開始逐月擴(kuò)大出貨量。聯(lián)發(fā)科將與三星合作 三星A系列搭載P22芯片供應(yīng)鏈人士提到,聯(lián)發(fā)科這一次向三星供應(yīng)的P22手機(jī)晶片將會(huì)達(dá)到5000萬套以上的水平,也會(huì)為他們下半年?duì)I運(yùn)注入一股強(qiáng)心針。一些分析人士認(rèn)為,與三星的合作會(huì)迅速的拉升聯(lián)發(fā)科方面的業(yè)績。三星旗下的Galaxy?。粒梗啊。担菣C(jī)型被頻繁曝光,許多知情人士表示該機(jī)將于近期正式亮
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)發(fā)科  三星  

          韓媒:SK海力士無錫廠已完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代日本產(chǎn)品

          • 據(jù)韓國《中央日?qǐng)?bào)》報(bào)道,在日本政府限制向韓國出口氟化氫、光刻膠、含氟聚酰亞胺等尖端半導(dǎo)體材料后,SK海力士設(shè)在中國無錫的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  氟化氫  三星  

          三星發(fā)布首款集成5G的處理器Exynos 980

          • 據(jù)三星官方網(wǎng)站消息,三星發(fā)布首款集成5G的處理器Exynos 980,采用8nm工藝打造,內(nèi)置兩顆2.2GHz的Cortex-A77核心和六顆1.8GHz的A55核心,GPU為Mali-G76 MP5,最高支持3360×1440分辨率屏幕,同時(shí)內(nèi)置有NPU,存儲(chǔ)方面支持LPDDR4X內(nèi)存以及UFS 2.1/eMMC 5.1閃存。
          • 關(guān)鍵字: 三星  5G  Exynos 980  
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