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          三星聯(lián)合ARM與新思科技開發(fā)5納米制程優(yōu)化工具

          作者: 時間:2019-10-18 來源:SEMI大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 收藏

          在半導(dǎo)體先進(jìn)制程上的進(jìn)爭,目前僅剩下臺積電、、以及英特爾。不過,因?yàn)橛⑻貭栆宰约汗镜漠a(chǎn)品生產(chǎn)為主,因此,臺積電與的競爭幾乎成為半導(dǎo)體界中熱門的話題。

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/201910/405965.htm

          近幾年來,臺積電在半導(dǎo)體制程技術(shù)上一路突飛猛進(jìn),但也不甘示弱,積極的推進(jìn)各種新制程,但是無論就技術(shù),還是進(jìn)度方面仍然比臺積電慢了不少。在當(dāng)前臺積電的7納米加強(qiáng)版EUV制程已量產(chǎn)情況下,三星方面則可能還要一些時間的努力。

          不過,眼下兩家廠商的重點(diǎn)都已經(jīng)不在7納米的身上,而是加速邁向更新的制程上。

          根據(jù)外媒報導(dǎo),三星、Arm、與(Synopsys)聯(lián)合宣布,已經(jīng)開發(fā)了一整套優(yōu)化工具和IP,可讓芯片廠商以三星制程,快速生產(chǎn)基于 Herculues CPU核心的芯片。

          報導(dǎo)指出,三星制程技術(shù)編號為5LPE,也就是5nm Low Power Early。該制程是三星7納米制程(7LPP),在第二代6納米(6LPP)制程之后,所發(fā)展出的第三代改良版制程。在以EUV極紫外光刻技術(shù)之后的5LPE,號稱邏輯效率將較前一代提升最多25%,或者是在相同性能和密度下,整體的芯片功耗將可降低20%,以及在同等功耗和密度下,性能能夠提升10%。

          對此,三星強(qiáng)調(diào)由于制程一脈相承的關(guān)系,芯片廠商可以重新利用三星7納米制程的IP,應(yīng)用在5納米的制程上,以加速在5LPE上的芯片開發(fā)。不過,如果要想發(fā)揮其全部潛力,其新的優(yōu)化工具和IP依舊必不可少。因此,三星宣布與Arm與的合作,由向三星的5納米制程提供物理IP和POP IP,以進(jìn)一步幫助客戶快速開發(fā)新品。

          而根據(jù)三星所公布的資料顯示,三星預(yù)計(jì)2019年下半年完成5納米制程進(jìn)行流片,2020年上半年投入量產(chǎn)。而屆時臺積電的新一代6納米制程也進(jìn)入量產(chǎn),更新5納米制程則將緊隨而來,這使得兩者間的競爭還將會進(jìn)一步地延續(xù)下去。



          關(guān)鍵詞: 三星 ARM 新思科技 5納米

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