半導(dǎo)體封裝技術(shù)在過去 20 年里取得了長足的進(jìn)步，特別是在集成了功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的直流/直流轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域。Single-outline No-lead 和 Quad Flat No-lead (QFN) 封裝已取代穿孔和引線式封裝，能夠以極小的外形處理高輸出電流。新的封裝技術(shù)有助于解決更小型的半導(dǎo)體封裝通常會面臨的設(shè)計(jì)和布局方面的挑戰(zhàn)，并且新的 QFN 封裝技術(shù)可用于直流/直流轉(zhuǎn)換器，與傳統(tǒng)的引線鍵合和倒裝芯片 QFN 封裝相比有所改進(jìn)。遺憾的是，直流/直流轉(zhuǎn)換器會產(chǎn)生并散發(fā)大量熱量，而且會受封裝和電路板寄生效應(yīng)的影響，并且由于芯片不同，封裝技術(shù)的比較通常并無定論。

增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝包含更加靈活的布局。借助此封裝，您能夠?qū)⑼獠吭胖迷诟拷呻娐?(IC) 的地方，并通過改進(jìn)芯片和引線框之間的互連來減少寄生效應(yīng)。半導(dǎo)體制造商越來越多地為更小型的電路設(shè)計(jì)直流/直流轉(zhuǎn)換器，而且直流/直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)部的間距更小，同時采用更小型的封裝。這樣一來，與單層引線框相比，多層引線框可為 IC 內(nèi)部設(shè)計(jì)帶來優(yōu)勢和靈活性。為方便比較，我們使用了引腳間距為 0.5mm 的增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝直流/直流轉(zhuǎn)換器，可更輕松地滿足焊接制造偏好和板級可靠性要求。

為了展示每種封裝類型的性能，我們設(shè)計(jì)并構(gòu)建了兩個不同的電源，同時使每個電源的設(shè)計(jì)和工作條件盡可能相同。我們選擇對 16V、20A TPS548B27和 TPS548B28 同步降壓轉(zhuǎn)換器進(jìn)行比較。二者都采用 3mm x 4mm QFN 封裝。兩款器件的唯一差異是每個封裝的機(jī)械結(jié)構(gòu)。

圖 2-1 所示為 TPS548B27 19 引腳增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝，引腳間距為 0.5mm。圖 2-2 所示為 TPS548B28 21 引腳 HotRod 封裝，引腳間距為 0.4mm。仔細(xì)檢查引腳排列后發(fā)現(xiàn)，每種封裝中集成了相同的電路。我們將數(shù)個引腳轉(zhuǎn)移到了增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝的較小側(cè)，以適應(yīng) 0.5mm 引腳間距，并減少了 PGND 引腳的數(shù)量。得益于增強(qiáng)型 HotRod QFN，這一更改得以實(shí)現(xiàn)，而且無需重新設(shè)計(jì)芯片金屬，這也很好地展示了這種新型封裝技術(shù)的靈活性。

圖 2-1 增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝示例（頂視圖）

圖 2-2 HotRod 封裝示例（頂視圖）

圖 3-1 顯示了增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝的電路板布局。圖 3-2 顯示了 HotRod 封裝的布局。評估模塊按照典型的用戶應(yīng)用方式進(jìn)行布局，頂層、底層和內(nèi)層各使用 2 盎司銅。頂部接地布線連接到底部和內(nèi)部接地層，并在電路板周圍放置多個過孔組。在每種設(shè)計(jì)中，輸入去耦電容器和自舉電容器全部放置在盡可能靠近 IC 的地方。為了限制噪聲從輸入電源進(jìn)入轉(zhuǎn)換器，使用了一個傳統(tǒng)輸入降壓電容器，此外還將關(guān)鍵噪聲敏感型模擬電路端接至頂層上的安靜模擬接地島。每種設(shè)計(jì)的布局非常相似，有助于更輕松地檢測兩種封裝之間的性能差異。

圖 3-1 增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝布局

每個電路板均在 15A 電流下運(yùn)行，當(dāng)每種設(shè)計(jì)在同樣的條件下運(yùn)行時，測量了各自的 IC 溫度。增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝的 IC 溫度為 70.3°C，如圖 4-1 中所示。HotRod 封裝的溫度也是 70.3°C，如圖 4-2 中所示。未觀察到其他明顯的差異。可以有把握地得出結(jié)論，兩個封裝示例之間的溫度差異可能是由 IC 的批次間工藝變化引起的，如漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 或開關(guān)頻率。增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝與 HotRod 封裝相比，在熱性能上未帶來任何改進(jìn)或降級。

圖 4-1 增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝熱性能圖像

表 5-1 比較了兩種封裝的效率和功率耗散情況。我們對每個器件的 VCC 施加了 3.3V 偏置電壓，以便消除內(nèi)部線性穩(wěn)壓器所產(chǎn)生的任何損耗，該穩(wěn)壓器負(fù)責(zé)為 IC 供電。線性穩(wěn)壓器損耗可能因批次間的工藝變化而異；您可以施加外部 3.3V 偏置電壓并獲得最接近的效率比較結(jié)果，從而消除這些損耗。每種封裝的效率和功率耗散結(jié)果非常類似，但 HotRod 封裝設(shè)計(jì)的功率耗散低 50mW，或效率高 0.2%，這僅適用于 15A 電流情形，可以忽略不計(jì)。增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝未帶來任何改進(jìn)，相比 HotRod 封裝僅出現(xiàn)輕微的效率下降。

在 20A 滿負(fù)載條件下，或者從 0A 到 12A，然后從 12A 到 0A，以 0% 至 60% 負(fù)載階躍執(zhí)行了負(fù)載瞬態(tài)測試。上升負(fù)載階躍具有 8A/μs 壓擺率。在比較圖 6-1 和圖 6-2 中的瞬態(tài)響應(yīng)波形時，增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝設(shè)計(jì)與 HotRod 封裝設(shè)計(jì)非常相似，由于負(fù)載瞬態(tài)，僅在總輸出電壓過沖和下沖之間存在 1mV 的差異。與 HotRod 封裝相比，增強(qiáng)型 HotRod QFN 設(shè)計(jì)在負(fù)載瞬態(tài)性能方面的改進(jìn)非常小，幾乎難以察覺。表 6-1 顯示了結(jié)果。

表 6-1 負(fù)載瞬態(tài)條件和結(jié)果

圖 6-1 增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝瞬態(tài)響應(yīng)

在觀察電源高側(cè) MOSFET 的開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴時，可以看見寄生電感效應(yīng)。仔細(xì)檢查圖 7-1 和圖 7-2 后發(fā)現(xiàn)，增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝設(shè)計(jì)的電壓過沖比表 7-1 中顯示的 HotRod 封裝設(shè)計(jì)低 0.1V，這是顯而易見的。很難確定電壓振鈴差異的來源，但可以放心地假設(shè)增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝不會降低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴性能。不過，有可能是增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝的機(jī)械結(jié)構(gòu)減小了 IC 的內(nèi)部寄生電感，從而使得高側(cè) MOSFET 的開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴略有改進(jìn)。

表 7-1 開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴條件和結(jié)果

圖 7-1 增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝高側(cè) FET 振鈴

在既定的工作條件下，與 HotRod 封裝相比，增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝的性能未出現(xiàn)明顯下降。經(jīng)過非常仔細(xì)的檢查后發(fā)現(xiàn)，功率耗散會顯示出 50mW 的差異，但僅在 15A 負(fù)載電流下如此。另一方面，增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝可將開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴減少 0.1V 并將負(fù)載瞬態(tài)輸出電壓過沖和下沖減少 1mV，相對來說可忽略不計(jì)。表 8-1 匯總了結(jié)果。

表 8-1 結(jié)果摘要

鑒于變量過多，比較結(jié)果通常并無定論，因此新的封裝技術(shù)往往會遭到質(zhì)疑。不過，在此示例中，電路差異很小，測量結(jié)果也很相似。采用增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝實(shí)現(xiàn)新型直流/直流轉(zhuǎn)換器后，采用此封裝進(jìn)行設(shè)計(jì)便可作為一種低風(fēng)險的替代方案，幫助供應(yīng)商解決封裝內(nèi)部產(chǎn)生的寄生效應(yīng)問題。