Vishay為其第七代1200 V FRED Pt超快恢復(fù)整流器平臺(tái)推出新品
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出四款采用eSMP?系列SlimSMA HV(DO-221AC)封裝的新型器件---VS-E7JX0112-M3和VS-E7JX0212-M3,以及通過AEC-Q101認(rèn)證的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3,進(jìn)一步擴(kuò)充其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復(fù)整流器平臺(tái)陣容。1 A和2 A整流器針對(duì)工業(yè)和汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,在同類器件中,不僅反向恢復(fù)電荷(Qrr)和正向壓降之間實(shí)現(xiàn)了權(quán)衡,而且結(jié)電容更低,恢復(fù)時(shí)間更短。

日前發(fā)布的Vishay Semiconductors整流器包括VS-E7JX0112-M3和VS-E7JX0212-M3,以及通過AEC-Q101認(rèn)證的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3。為了降低開關(guān)損耗并提高效率,器件融合了低至 45 ns 的快速恢復(fù)時(shí)間,低至 105 nC 的Qrr(典型值),低至 1.45 V 的正向壓降和低至2.5 pF的結(jié)電容等特點(diǎn)。性能可靠的整流器采用2.6 mm x 5.2 mm小型封裝,非重復(fù)峰值浪涌電流高達(dá) 21 A,厚度低至0.95 mm,而類似封裝尺寸的SMA封裝器件為2.3 mm。器件最小爬電距離僅3.2 mm,模塑料相對(duì)漏電起痕指數(shù)(CTI)≥ 600(材料組別 I),在滿足IEC 60664-1高壓應(yīng)用要求的基礎(chǔ)上,有助于減少元件數(shù)量,降低物料清單(BOM)成本。
VS-E7JX0112-M3、VS-E7JX0112HM3、VS-E7JX0212-M3和VS-E7JX0212HM3可用作反激輔助電源的鉗位、緩沖和續(xù)流二極管,也可用作自舉驅(qū)動(dòng)器功能的高頻整流器,同時(shí)可為最新快速開關(guān)IGBT和高壓Si / SiC MOSFET提供去飽和保護(hù)。器件的典型應(yīng)用包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和工具、電動(dòng)汽車(EV)車載充電器和電機(jī)、發(fā)電和儲(chǔ)能系統(tǒng),以及?uk轉(zhuǎn)換器和工業(yè)LED SEPIC電路。
整流器采用平面結(jié)構(gòu),通過鉑摻雜壽命控制,在不影響性能的情況下確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性,同時(shí)經(jīng)過優(yōu)化的存儲(chǔ)電荷和低恢復(fù)電流可最大限度減少開關(guān)損耗并降低功耗。器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無鹵素,潮濕敏感度達(dá)到 J-STD-020 標(biāo)準(zhǔn) 1 級(jí),可在 +175 °C 高溫下工作。
器件規(guī)格表:
產(chǎn)品編號(hào) | VS-E7JX0112-M3 | VS-E7JX0112HM3 | VS-E7JX0212-M3 | VS-E7FX0212HM3 |
IF(AV) | 1 A | 1 A | 2 A | 2 A |
VR | 1200 V | |||
IF下的VF | 1.45 V | 1.45 V | 1.60 V | 1.60 V |
trr | 50 ns | 50 ns | 45 ns | 45 ns |
Qrr | 105 nC | 105 nC | 165 nC | 165 nC |
CT | 2.5 pF | 2.5 pF | 3.0 pF | 3.0 pF |
IFSM | 14 A | 14 A | 21 A | 21 A |
封裝 | SlimSMA HV (DO-221AC) | |||
AEC-Q101 | 否 | 是 | 否 | 是 |
新型第七代整流器現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為8周。





評(píng)論