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          EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > Vishay Gen 3 650V和1200V SiC肖特基二極管在提高效率的同時(shí)增強(qiáng)電絕緣性

          Vishay Gen 3 650V和1200V SiC肖特基二極管在提高效率的同時(shí)增強(qiáng)電絕緣性

          —— 這些1A和2A器件采用小尺寸SlimSMA HV (DO-221AC)封裝,提供了低電容電荷和3.2mm的較大最小爬電距離
          作者: 時(shí)間:2025-07-30 來(lái)源:EEPW 收藏

          日前,威世科技 Intertechnology, Inc.宣布,推出三款采用超小尺寸薄型SlimSMA HV(DO-221AC)封裝的全新第三代 650 V和1200 V碳化硅(SiC)肖特基二極管---2 A的 VS-3C02EJ07-M3和1 A 的VS-3C01EJ12-M3以及2 A的VS-3C02EJ12-M3。這些器件采用合并PIN肖特基(MPS)設(shè)計(jì),最小爬電距離為3.2 mm,融合低電容電荷與溫度不變的開(kāi)關(guān)特性等優(yōu)點(diǎn),可提高高速硬開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的效率。

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          對(duì)于高壓應(yīng)用,日前發(fā)布的器件的高爬電距離增強(qiáng)了電絕緣性能,而其SlimSMA HV封裝采用CTI ≥ 600的模制化合物,以確保出色的電絕緣性。對(duì)于空間受限的設(shè)計(jì),這些二極管厚度僅為0.95 mm,而具有類似封裝尺寸的SMA和SMB封裝競(jìng)品的厚度為2.3 mm。

          與硅二極管不同,VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3在任何溫度下都能保持低至7.2 nC的低容性電荷,從而加快開(kāi)關(guān)速度,降低功率損耗,提高高頻應(yīng)用的效率。此外,這些器件幾乎沒(méi)有恢復(fù)尾電流,從而進(jìn)一步提高了效率,而其MPS結(jié)構(gòu)可降低正向壓降至1.30 V。

          VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3的工作溫度高達(dá)+175 °C,其典型應(yīng)用包括服務(wù)器電源中使用的DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換器的自舉二極管、防并聯(lián)二極管和PFC二極管;發(fā)電和存儲(chǔ)系統(tǒng);工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和工具;以及X射線發(fā)生器。這些器件具有正溫度系數(shù),便于在這些應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)并聯(lián)。

          這些二極管符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵素,濕度靈敏度等級(jí)為1,符合J-STD-020標(biāo)準(zhǔn),并滿足JESD 201第二類whisker 測(cè)試要求。

          器件規(guī)格表:

          產(chǎn)品編號(hào)

          VS-3C01EJ12-M3

          VS-3C02EJ07-M3

          VS-3C02EJ12-M3

          IF(A)

          1

          2

          2

          VR(V)

          1200

          650

          1200

          (VF at IF (V))

          1.35

          1.30

          1.35

          IR at VR at 175 ℃(μA)

          4.5

          2.0

          5.0

          QC(nC)

          7.5

          7.2

          13

          配置

          SlimSMA HV  (DO-221AC)

          封裝

          單個(gè)

          新款SiC二極管現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為14周。


          關(guān)鍵詞: Vishay SiC肖特基二極管

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