隨著云的快速采用，以及物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和高性能邊緣計(jì)算等技術(shù)趨勢(shì)的出現(xiàn)，人們需要更快速、更靈活的企業(yè)系統(tǒng)來(lái)高效地管理工作負(fù)載。數(shù)據(jù)中心更高的數(shù)據(jù)吞吐量需要耗電量大的高速處理器，這將依靠典型 12V 電源軌的每臺(tái)服務(wù)器的電流電平提高至 250A 以上，還需要 20 至 30mF 的負(fù)載電容，以滿足系統(tǒng)的瞬態(tài)負(fù)載分布要求。

位于每臺(tái)服務(wù)器前端的熱插拔電路（結(jié)合使用熱插拔控制器和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 [MOSFET]）可針對(duì)過(guò)載、輸出短路等系統(tǒng)故障提供浪涌電流限制和保護(hù)。在系統(tǒng)故障期間，熱插拔控制器可將 MOSFET 保持在飽和區(qū)域中，從而將故障電流限制在安全水平。但是，在設(shè)計(jì)可靠的熱插拔電路時(shí)，這些與較大輸出電容相關(guān)聯(lián)的不斷上升的系統(tǒng)電流卻帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn)，因?yàn)?nbsp;MOSFET 處理功率應(yīng)力的能力有限。

本文討論了設(shè)計(jì)高電流輸入電路保護(hù)具有哪些挑戰(zhàn)，以及將電子保險(xiǎn)絲與常規(guī)熱插拔控制器并聯(lián)使用的混合熱插拔電路如何在任何故障情況下保護(hù) MOSFET。

簡(jiǎn)化的熱插拔電路包含一個(gè)熱插拔控制器、一個(gè)外部電流檢測(cè)電阻器和一個(gè)功率 MOSFET。在系統(tǒng)故障期間，熱插拔控制器會(huì)推動(dòng) MOSFET 在飽和區(qū)域中工作，以限制故障電流，導(dǎo)致 MOSFET 承受較大的漏源壓降和很高的功率應(yīng)力。

熱插拔控制器通過(guò)可編程故障計(jì)時(shí)器 (T_TIMER) 實(shí)現(xiàn)功率限制方案 (P_LIM)，以提供 FET 安全工作區(qū)域 (SOA) 保護(hù)。選擇適當(dāng)?shù)?P_LIM 和 T_TIMER 值非常重要，可用于確保所選的 MOSFET 在發(fā)生應(yīng)力事件的最大工作溫度下在其 SOA 限制內(nèi)工作。如果所選的 FET 在設(shè)計(jì)中不可行，則您必須選擇具有更高 SOA 的 FET，這讓熱插拔電路設(shè)計(jì)變得高度迭代且復(fù)雜。

電子保險(xiǎn)絲具有集成的過(guò)熱保護(hù)電路，可監(jiān)測(cè)內(nèi)部 FET 溫度，并在 FET 承受較長(zhǎng)時(shí)間應(yīng)力時(shí)將其關(guān)斷，從而確保 FET 在 SOA 限制內(nèi)工作。目前電子保險(xiǎn)絲器件只能在低電流下工作，因此，若要實(shí)現(xiàn)高電流電路保護(hù)，唯一的選擇便是使用基于 FET 的外部熱插拔解決方案。

為了確保 FET 一直處于其 SOA 范圍內(nèi)，熱插拔控制器會(huì)實(shí)現(xiàn)一個(gè)功率限制方案，在 FET 的功率損耗達(dá)到 P_LIM 時(shí)觸發(fā)故障計(jì)時(shí)器；如果功率損耗未降至 P_LIM 以下，則將在 T_TIMER 之后關(guān)斷 FET。

熱插拔控制器的功率限制控制環(huán)路（如圖 1 所示）包含一個(gè)電流檢測(cè)放大器，用于監(jiān)測(cè)檢測(cè)電阻的電壓 (V_SNS)，以獲得電流信息，此外還包含一個(gè)電壓檢測(cè)電路，用于測(cè)量 FET 的電壓。將電流檢測(cè)放大器和電壓檢測(cè)電路的輸出相乘，可以得到 FET 中的功率損耗。將該損耗值與和 P_LIM 成比例的電壓進(jìn)行比較后，您可以使用它來(lái)調(diào)節(jié)柵極電壓。熱插拔控制器可調(diào)節(jié)柵極電壓，確保 MOSFET 中的功率損耗始終低于 P_LIM。

雖然較低的功率限制設(shè)置可降低 FET 上的應(yīng)力，但它也會(huì)減少熱插拔控制器需要限制的電流量，因此電流檢測(cè)放大器可以檢測(cè)的 V_SNS 也會(huì)降低。V_SNS 較低會(huì)導(dǎo)致誤差較大，因?yàn)槔碚撋希娏鳈z測(cè)放大器的失調(diào)電壓會(huì)限制最小可能功率限制的設(shè)置。方程式 1 針對(duì)大多數(shù)熱插拔控制器提供了建議最低檢測(cè)電壓 (V_SNS-MIN)：

其中，V_{SNS_CL} 是電流限制檢測(cè)電壓，V_{IN_MAX} 是最高輸入電壓，I_{LIM_CL} 是電流限制設(shè)置閾值。

高電流應(yīng)用需要較高的電流限制閾值，因此必須設(shè)置更高的 P_LIM，才能滿足方程式 1 定義的 V_{SNS_MIN} 標(biāo)準(zhǔn)。P_LIM 升高后，需要更高的 MOSFET SOA，最終導(dǎo)致難以找到合適的 MOSFET 來(lái)實(shí)現(xiàn)大功率設(shè)計(jì)。例如，12V、250A 的設(shè)計(jì)要求 FET 能夠在 100°C 處理 560W 的功率應(yīng)力，持續(xù)時(shí)間為 1ms，而現(xiàn)有的商用 FET 無(wú)法實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。

對(duì)于具有較大輸出電容的設(shè)計(jì)，輸出 (dv/dt) 控制電路可在啟動(dòng)期間處理 FET 功率應(yīng)力。放置在柵極-GND 之間的電容器 C_dv/dt 可限制柵極和輸出電壓的壓擺率，從而限制浪涌電流。

下圖顯示了帶有輸出 dv/dt 控制的典型啟動(dòng)波形。您必須設(shè)置足夠低的壓擺率和適當(dāng)?shù)?nbsp;C_dv/dt 值，確保 MOSFET 保持在其 SOA 范圍內(nèi)。當(dāng) MOSFET 中的功率損耗降低且分布在較長(zhǎng)的時(shí)間段內(nèi)時(shí)，它們可以處理更多能量。因此，隨著輸出電容增加，您需要更高的 C_dv/dt 來(lái)降低 FET 在啟動(dòng)期間的浪涌電流和功率損耗。例如，要在 SOA 范圍內(nèi)運(yùn)行特定 FET，10mF 的輸出電容可能需要 47nF 的 C_dv/dt，而 30mF 的輸出電容需要 330nF 的 C_dv/dt。

啟動(dòng)至短路期間，熱插拔控制器要求路徑中流過(guò)一定量的電流（方程式 2 中的 I_DS-INS），才能檢測(cè)并觸發(fā)功率限制故障。

較大的 C_dv/dt 會(huì)減慢柵極電壓斜升速率，導(dǎo)致延遲達(dá)到建立 ID_S-INS 所需的柵極電壓，從而增加故障檢測(cè)時(shí)間，并致使 MOSFET 承受很大的 SOA 應(yīng)力，尤其是當(dāng)短路阻抗 (R_short) 升高時(shí)，該阻抗由方程式 3 所定義，如圖 3 所示：

考慮一個(gè)包含兩種不同阻抗的輸出短路：5m? 和 50m?。如果在啟動(dòng)期間發(fā)生 5m? 短路，隨著柵極電壓逐漸升高，短路電流會(huì)以更快的速度上升，短短 6ms 便會(huì)達(dá)到功率限制閾值 (300W)。達(dá)到閾值后，將觸發(fā) T_TIMER 并關(guān)斷 FET。另一方面，50m? 短路阻抗會(huì)減慢短路電流的上升速度，熱插拔控制器需要花費(fèi)大約 50ms 來(lái)檢測(cè) 300W 的功率限制閾值。該瓦數(shù)對(duì)應(yīng) 15J 能量，這個(gè)巨大的能量可能會(huì)損壞 FET，如圖 5 所示。

混合熱插拔解決方案包含一個(gè)與傳統(tǒng)熱插拔電路并聯(lián)的電子保險(xiǎn)絲，如圖 6 所示。在該電路中，電子保險(xiǎn)絲將利用其集成的過(guò)熱保護(hù)功能來(lái)應(yīng)對(duì)高應(yīng)力事件。

電子保險(xiǎn)絲的 PGOOD 信號(hào)連接到熱插拔控制器的使能引腳，熱插拔控制器的 PGOOD 信號(hào)則連接到下游負(fù)載的使能引腳。這些連接可確保：

? 熱插拔 FET 僅在電子保險(xiǎn)絲將大型輸出電容器充電到接近輸入電壓后導(dǎo)通。FET 啟動(dòng)時(shí)兩端電壓幾乎為零，從而在啟動(dòng)期間消除功率應(yīng)力。

? 下游負(fù)載僅在熱插拔 FET 得到完全增強(qiáng)后啟用，以便 FET 提供低阻抗路徑（與電子保險(xiǎn)絲相比）并共享大部分負(fù)載電流。 

? 電子保險(xiǎn)絲在所有故障情況下均承受功率應(yīng)力，而熱插拔 FET 在任何情況下均不受應(yīng)力影響。

圖 7 說(shuō)明了啟動(dòng)期間和不同故障情況下的電路功能。狀態(tài) 1 至 5 描述了啟動(dòng)期間的事件順序，狀態(tài) 6 至 9 則是不同故障情況的中間狀態(tài)。

混合熱插拔方案的主要優(yōu)勢(shì)是，熱插拔 FET SOA 不再那么關(guān)鍵；您可以選擇超低漏源導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON)) FET，它們通常更便宜，并且能大幅減少 FET 的數(shù)量。

第一個(gè)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)是熱插拔路徑中并聯(lián) FET 的數(shù)量。我們建議讓 FET 在穩(wěn)定狀態(tài)下運(yùn)行，以便使結(jié)溫低于 100°C。方程式 4 計(jì)算了給定負(fù)載電流下所需的并聯(lián) FET 數(shù)量：

其中，T_J 是 FET 結(jié)溫，I_LOAD(MAX) 是最大負(fù)載電流，R_ds(on) 是所選 FET 的最大 R_ds(on)，R_QJA 是 FET 的結(jié)至環(huán)境熱阻。

接下來(lái)，選擇電子保險(xiǎn)絲。TPS1663 電子保險(xiǎn)絲有集成的熱調(diào)節(jié)環(huán)路，可在大容性負(fù)載下實(shí)現(xiàn)零噪聲啟動(dòng)。

在穩(wěn)定狀態(tài)下，熱插拔路徑提供比電子保險(xiǎn)絲路徑更低的阻抗，因此能共享大部分負(fù)載電流。熱插拔控制器還決定過(guò)流保護(hù)閾值，這與傳統(tǒng)熱插拔設(shè)計(jì)一樣。應(yīng)將此閾值設(shè)置為剛好超過(guò)最大負(fù)載電流。

對(duì)于電子保險(xiǎn)絲，將電流限制設(shè)置為其最大值（TPS1663 為 6A），以便在系統(tǒng)啟動(dòng)期間實(shí)現(xiàn)最快的輸出電容器充電速度。

T_TIMER 對(duì) FET SOA 來(lái)說(shuō)不再關(guān)鍵，因?yàn)樵诨旌?a class="contentlabel" href="http://yuyingmama.com.cn/news/listbylabel/label/熱插拔架構(gòu)">熱插拔架構(gòu)中，熱插拔 FET 不受任何應(yīng)力影響。您可以僅根據(jù)負(fù)載瞬態(tài)要求選擇故障計(jì)時(shí)器持續(xù)時(shí)間設(shè)置。

大功率設(shè)計(jì)使用多個(gè)并聯(lián) FET，但熱插拔控制器的柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度有限，這增加了 FET 的開(kāi)通延遲時(shí)間。建議在開(kāi)啟下游負(fù)載時(shí)添加額外的延遲（5ms 范圍內(nèi)），以便為熱插拔控制器提供足夠的時(shí)間來(lái)完全增強(qiáng) FET。

圖 8 顯示了一個(gè)使用 LM25066 熱插拔控制器和 TPS1663 電子保險(xiǎn)絲的示例混合熱插拔電路，具有 12V 輸入、250A 負(fù)載電流和 30mF 輸出電容。

面向應(yīng)力事件的混合熱插拔解決方案使用 LM25066 評(píng)估板和用于 TPS26633 和 TPS16630的評(píng)估模塊，具有 30mF 輸出電容器和 10A 熱插拔電流限制，而且已經(jīng)過(guò)驗(yàn)證。

圖 9 顯示了該電路的啟動(dòng)和穩(wěn)定狀態(tài)行為。在啟動(dòng)期間，為輸出電容器充電所需的整個(gè)電流會(huì)流經(jīng)電子保險(xiǎn)絲，此時(shí)熱插拔路徑尚未啟用。啟動(dòng)階段過(guò)后，幾乎整個(gè)負(fù)載電流都會(huì)流經(jīng)熱插拔路徑，因?yàn)樗堑妥杩孤窂健?/span>

圖 10 顯示了輸出端短路的電路的啟動(dòng)行為。電子保險(xiǎn)絲在啟動(dòng)時(shí)進(jìn)入熱調(diào)節(jié)模式，并在熱調(diào)節(jié)超時(shí)后關(guān)閉；每隔 650ms 持續(xù)不斷地定期重試，直到輸出故障消除。由于熱插拔 FET 保持關(guān)閉，因此 FET 上沒(méi)有應(yīng)力。

發(fā)生過(guò)載故障時(shí)，熱插拔電路在關(guān)斷 FET 前會(huì)產(chǎn)生過(guò)載電流，并持續(xù)計(jì)時(shí)器時(shí)間。圖 11 顯示了熱插拔 FET 關(guān)斷后，整個(gè)負(fù)載電流傳輸至電子保險(xiǎn)絲路徑，從而觸發(fā)電流限制并最終觸發(fā)熱關(guān)斷。

圖 12 顯示了在穩(wěn)定狀態(tài)下發(fā)生輸出短路故障時(shí)的電路行為。熱插拔和電子保險(xiǎn)絲都立即關(guān)閉，以保護(hù)輸入電源免受損壞。電子保險(xiǎn)絲會(huì)持續(xù)不斷地定期重試，熱插拔 FET 則保持關(guān)斷，直到電子保險(xiǎn)絲成功啟動(dòng)。

由于服務(wù)器系統(tǒng)的功率級(jí)別持續(xù)增長(zhǎng)，促使輸入大容量電容提升到 20 至 30mF，以及 12V 電壓軌下的滿負(fù)載電流超過(guò) 200A。混合熱插拔解決方案使用一個(gè)額外的并聯(lián)電子保險(xiǎn)絲，不僅解決了傳統(tǒng)保護(hù)電路在較高功率級(jí)別下的難題，還消除了熱插拔 FET SOA 方面的疑慮，從而簡(jiǎn)化了熱插拔設(shè)計(jì)，并大幅降低了解決方案成本?；旌蠠岵灏谓鉀Q方案針對(duì)不同的故障情況進(jìn)行了測(cè)試，證明該電路可消除熱插拔 FET 上的應(yīng)力。