近年來，新能源汽車、光伏、風電等產(chǎn)業(yè)持續(xù)擴張，疊加寬禁帶半導體材料等新技術(shù)逐步落地，推動功率半導體成為市場關(guān)注的重點領(lǐng)域。

富士經(jīng)濟曾在今年 4 月的報告中寫道：功率半導體市場在 2024 年受到庫存積壓的打擊。需求預計將從 2024 年下半年開始復蘇，庫存預計將在 2025 年下半年恢復正常。

那么如今的功率半導體復蘇情況如何了？隨著國產(chǎn)功率半導體頭部公司業(yè)績的相繼披露，該市場的走向逐漸明晰。

功率半導體公司，誰是優(yōu)等生？

上述十家功率半導體公司中，表現(xiàn)最為亮眼的莫過于士蘭微。

該公司上半年營業(yè)收入為 63.36 億元，同比增長 20.14%；歸母凈利潤為 2.65 億元，同比暴增 1162.42%。這一業(yè)績的取得，得益于公司在大型白電、汽車、新能源等高門檻市場的持續(xù)拓展，以及子公司士蘭集成、士蘭集昕等生產(chǎn)線的滿負荷生產(chǎn)。

十家公司中營收同比下滑的只有一家—蘇州固锝，但該公司上半年凈利潤同比增長超 300%，華微電子上半年歸母凈利潤同比下滑，但營收同比增長。

功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。功率半導體分立器件中，以 MOSFET 和 IGBT 為代表的晶體管占比最大，近 30%。從目前市場需求來看，硅基 MOSFET、硅基 IGBT 以及 SiC 為功率半導體分立器件的主力產(chǎn)品。

如今，中國功率半導體企業(yè)仍處于起步階段，市場集中度雖相對較低，但正處于快速成長之中。

細細解讀上述十家功率半導體公司的財報，筆者發(fā)現(xiàn)有兩大高頻詞匯，分別為「汽車」與「SiC」。

士蘭微：SiC 業(yè)務(wù)營收暴增 80%

士蘭微功率半導體和分立器件產(chǎn)品的營業(yè)收入達到 30.08 億元，同比增長約 25%，其中應(yīng)用于汽車、光伏的 IGBT 和 SiC（模塊、器件）的營收同比增長 80% 以上。

2025 年上半年，士蘭微基于Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機驅(qū)動模塊出貨量累計達 2 萬顆，客戶端反饋良好，客戶數(shù)量持續(xù)增加。另外，該公司新一代產(chǎn)品即將上量，士蘭微第Ⅳ代 SiC 芯片與模塊已送客戶評測，基于第Ⅳ代 SiC 芯片的功率模塊將于 2025 年下半年上量。這將有助于提升公司在 SiC 領(lǐng)域的技術(shù)競爭力，滿足市場對高性能 SiC 產(chǎn)品的需求。

目前，士蘭明鎵已形成月產(chǎn) 1 萬片 6 英寸 SiC-MOSFET 芯片的生產(chǎn)能力，為滿足市場需求提供了有力的產(chǎn)能支持。

據(jù)悉，士蘭微正積極與國內(nèi)多家頭部新能源車企和 Tier 1 供應(yīng)商就下一代車型進行更深度的合作洽談。焦點主要集中在其即將量產(chǎn)的第四代 SiC 功率模塊以及車規(guī)級 MCU、高壓驅(qū)動芯片等產(chǎn)品。

斯達半導：上半年業(yè)績主要由新能源業(yè)務(wù)驅(qū)動，SiC進入量產(chǎn)爬坡階段

斯達半導財報顯示上半年新能源行業(yè)營收 12.13 億元，同比增長 52.82%。上半年，公司新能源汽車業(yè)務(wù)受益于國內(nèi)銷量同比增 40%，營收實現(xiàn) 25.80% 增長。

此外，公司 SiC 項目已完成建設(shè)并進入量產(chǎn)爬坡階段，伴隨多款車型定點，下半年或?qū)⒓铀俜帕俊?/p>

華潤微、揚杰科技：SiC產(chǎn)品銷售增長

華潤微表示，報告期內(nèi)，SiC 和 GaN 功率器件銷售收入同比實現(xiàn)高速增長。從業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)看，泛新能源領(lǐng)域（車類及新能源）占比已提升至 44%，成為第一大應(yīng)用支柱，消費電子占 38%，工業(yè)與通信設(shè)備各占 9%。公司緊抓汽車電動化與智能化、光伏儲能及消費電子復蘇機遇，實現(xiàn)核心客戶訂單快速增長。

揚杰科技也表示報告期內(nèi)，公司不斷加大 MOSFET、IGBT、SiC 等產(chǎn)品在汽車電子、人工智能、工業(yè)、清潔能源等市場的推廣力度，整體訂單和出貨量較去年同期快速提升。

從全球功率半導體市場來看，國際功率半導體龍頭的復蘇情況似乎要相對晚一些。

全球功率半導體，體感不同

曾幾何時，日本廠商在功率半導體領(lǐng)域保持較強的競爭力。根據(jù)市場研究機構(gòu) Omdia 數(shù)據(jù)顯示，2021 年全球功率半導體市場占有率排名前十的席位中，三菱電機、富士電機、東芝、瑞薩、羅姆等日本廠商曾一度占據(jù)五席。

其中三菱電機位列第四，富士電機緊隨其后排名第五，東芝位居第六，瑞薩和羅姆則分別排在第九和第十，并且這五家公司的市占超過 20%。

然而短短三年，日本巨頭們的這一優(yōu)勢已明顯縮減。2024 年全球功率半導體市場 TOP10 榜單上，日本廠商僅剩三席，且每家的全球市占率均不足 5%。

這些芯片巨頭的布局策略也發(fā)生了明顯變化，比如羅姆縮減 SiC 投資，放緩部分工廠的 SiC 量產(chǎn)計劃；瑞薩正式宣布放棄進入 SiC 市場。日本的功率龍頭，似乎并沒有跟上這波潮流。

在如今的功率半導體領(lǐng)域，英飛凌的市場地位堪稱「標桿」。其功率半導體出貨量常年占據(jù)全球近 40% 的市場份額，連續(xù)多年穩(wěn)居全球第一。

但進入 2025 年，這家德國巨頭的態(tài)度卻透露出明顯的保守。早在去年年底，英飛凌首席執(zhí)行官約亨-哈內(nèi)貝克（Jochen Hanebeck）表示，「除人工智能外，我們的終端市場目前幾乎沒有任何增長動力，周期性復蘇被推遲。因此，我們準備在 2025 年實現(xiàn)低迷的經(jīng)營業(yè)績」。

從英飛凌公布的業(yè)績數(shù)據(jù)來看，這一保守預期也有所體現(xiàn)。

在 2025 財年第二財季（截至 2025 年 3 月 31 日），其營收同比微降 1% 至 35.91 億歐元，雖符合分析師預期，但營業(yè)利潤為 3.18 億歐元，低于 2024 財年同期（2024 年 1 月 1 日至 2024 年 3 月 31 日）的 4.96 億歐元。

而在第三財季（截至 2025 年 6 月 30 日），營收為 37.04 億歐元，同比增長 3%；利潤為 6.68 億歐元，同比增長 11%，利潤率 18.0%。此外，英飛凌還預計本財年營收約為 146 億歐元，較上一年將略有下降。

綜合來看，無論是國內(nèi)功率半導體企業(yè)的快速成長，還是國際巨頭的戰(zhàn)略調(diào)整與業(yè)績波動，都折射出功率半導體市場正處于深刻的變革階段。在需求復蘇、技術(shù)迭代與競爭格局重塑的多重因素交織下，該市場的發(fā)展路徑逐漸清晰，呈現(xiàn)出以下五大趨勢。

功率半導體，五大趨勢

第一點，AI 正在推動功率半導體快速發(fā)展。

數(shù)據(jù)中心，是功率半導體應(yīng)用的一大潛在領(lǐng)域。在數(shù)據(jù)中心內(nèi)部，服務(wù)器機架功率正攀升至 100kW 以上，推動功率密度需求突破 100W/立方英寸。5.5kW 至 12kW 高功率電源（PSU）和電池備份單元（BBU）需求暴漲，催生對 GaN 和 SiC 等寬禁帶半導體材料的迫切需求。

第二點，SiC 應(yīng)用向非汽車領(lǐng)域擴張。

電動汽車市場的爆發(fā)加速了 SiC 的應(yīng)用，但是這遠遠不是終點。

在大功率賽道，隨著系統(tǒng)功率越來越高，配電電壓也隨之提升，SiC 有望帶來更多的驚喜。

比如直流快充網(wǎng)絡(luò)的鋪開、可再生能源的發(fā)電與儲能系統(tǒng)，還有工業(yè)電源的革新，都成了新的發(fā)力點。

第三點，GaN蓄勢待發(fā)。

步入 2025 年，GaN 展現(xiàn)出更大的商用前景。

其在電流處理能力、擊穿電壓和導通電阻方面與 SiC 不相上下，同時電容較低。這使得開關(guān)速度大大提高，進而實現(xiàn)了更小的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。工藝成本低、芯片尺寸小，最終 GaN 的成本有望與硅持平。

除了低功率 AC-DC 轉(zhuǎn)換應(yīng)用外，業(yè)界還將 GaN 的功率能力擴展到 10-15 千瓦。這為人工智能服務(wù)器、電信、衛(wèi)星電源和電動汽車的車載充電器帶來了機遇。要進一步拓展工業(yè)應(yīng)用并最終解決電動汽車逆變器問題，就需要更高的額定電壓，如 1200V 或 1700V。

未來留給 GaN 的機會，還有很多。

第四點，中國持續(xù)投資功率半導體。

中國正在持續(xù)投資功率半導體，推動產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)同步推進。芯片設(shè)計企業(yè)由此擴大研發(fā)團隊，晶圓制造產(chǎn)能隨之穩(wěn)步提升，封裝測試技術(shù)也不斷優(yōu)化。在這樣的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)上，應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)拓展，新能源汽車電控系統(tǒng)、光伏逆變器、儲能變流器等場景對功率半導體的需求逐年增長，進而推動產(chǎn)品迭代速度加快。

有業(yè)內(nèi)人士向筆者表示，在功率半導體器件的國產(chǎn)化進程中，普通二三極管的國產(chǎn)化已基本步入尾聲，國內(nèi)公司在這一領(lǐng)域的布局和落地已接近完成。

功率 MOS 方面，中低端應(yīng)用領(lǐng)域（即對 MOS 性能要求不高的場景）的國產(chǎn)化也已基本完成，目前國內(nèi)廠家已進入價格競爭階段。不過，在服務(wù)器、AI 等高端應(yīng)用領(lǐng)域，國產(chǎn)料件在性能上仍無法完全匹配國外產(chǎn)品，這部分將成為明年乃至后年國產(chǎn)化推進的重點方向。

IGBT 及 IGBT 模塊的情況有所不同。IGBT 單管的國產(chǎn)化趨勢已十分明顯，在工業(yè)類要求不苛刻的應(yīng)用場景中，國產(chǎn)化布局已基本完成；但對于那些對利潤或性能有較高考量的廠家而言，單管的國產(chǎn)化尚未落地。而IGBT 模塊目前的國產(chǎn)化率還相對較低，因此，IGBT 模塊將成為未來 3-5 年國產(chǎn)化推進的重點領(lǐng)域，屬于一片藍海。

第五點，功率半導體晶圓尺寸升級。

功率半導體行業(yè)正在經(jīng)歷晶圓尺寸的重大轉(zhuǎn)變，以提高性能、成本和可擴展性。值得注意的是，大多數(shù)晶圓代工廠都在 12 英寸晶圓上進行先進的 BCD 開發(fā)，并已將其成熟的 BCD 工藝過渡到 12 英寸，從而避免了在成本更高的 8 英寸晶圓上升級。集成器件制造商 (IDM) 也已將其部分硅產(chǎn)能，包括 BCD、HCMOS、IGBT 和 MOSFET 技術(shù)，過渡到 12 英寸晶圓。

由于電動汽車和可再生能源系統(tǒng)等應(yīng)用需要更高的效率和功率密度，SiC 技術(shù)正從 6 英寸晶圓轉(zhuǎn)向 8 英寸晶圓。這一轉(zhuǎn)變使每個晶圓可生產(chǎn)更多器件，從而降低成本并提高生產(chǎn)量。預計到 2025 年，8 英寸 SiC 晶圓將占產(chǎn)量的 13% 以上，到 2030 年將占 59%。

隨著電氣化的不斷推進和可持續(xù)發(fā)展議題日益受到重視，功率半導體行業(yè)正面臨著巨大的機遇。