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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導體

          功率半導體 文章 最新資訊

          英飛凌PCIM Asia 2025展會:創(chuàng)新引領功率半導體新紀元

          • 全球功率半導體技術的領軍者英飛凌科技重磅亮相上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia 2025),現(xiàn)場展示了一系列創(chuàng)新產品和技術解決方案,特別是在最受關注的AI服務器電源新架構和汽車功率器件領域的先進產品和解決方案成為全場矚目的焦點。此次展會,英飛凌不僅展示了其在綠色能源、電動化出行、AI算力電源等關鍵領域的最新突破,更以實際行動詮釋了其在推動能源轉型與智能化發(fā)展方面的技術引領作用。PCIM Asia 2025英飛凌展臺800V SiC主驅逆變器系統(tǒng):系統(tǒng)級解決方案驅動未來電動出行首先,
          • 關鍵字: 英飛凌  PCIM Asia  功率半導體  

          瑞薩電子采用下一代功率半導體 為800伏直流AI數(shù)據(jù)中心架構供電

          • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布,支持NVIDIA宣布的800伏直流電源架構的高效電源轉換和分配,推動下一代更智能、更快速的人工智能(AI)基礎設施發(fā)展。隨著GPU驅動的AI工作負載日益密集,數(shù)據(jù)中心功耗攀升至數(shù)百兆瓦級別,現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心亟需兼具能效優(yōu)化與可擴展性的電源架構。GaN FET開關為代表的寬禁帶半導體,憑借其更快的開關速度、更低的能量損耗,及卓越的熱管理性能,正迅速成為關鍵解決方案。此外,GaN功率器件將推動機架內800V直流母線的發(fā)展,在通過DC/DC降壓轉換器支持48V組件復用的同時
          • 關鍵字: 瑞薩  功率半導體  AI數(shù)據(jù)中心  

          韓國在釜山啟動首個8英寸碳化硅工廠,年產量預計達3萬片晶圓

          • 碳化硅(SiC)在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅,全球領導者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭先?,F(xiàn)在,韓國也加大了力度——Maeil 商業(yè)報紙報道,釜山已開啟了韓國首個 8 英寸碳化硅功率半導體工廠。據(jù)報道,釜山廣域市政府于 17 日宣布,EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的總部和生產設施。該工廠投資了 1000 億韓元,使韓國首次能夠完全本土化生產 8 英寸碳化硅功率半導體。如《韓國先驅報》所強調,釜山廣域市政府將項目的完成視為一個關鍵里程碑,旨在提升國內8英寸碳化硅功率半導體的生產并
          • 關鍵字: 碳化硅  MOSFET  電源  功率半導體  

          功率半導體,「優(yōu)等生」出列

          • 近年來,新能源汽車、光伏、風電等產業(yè)持續(xù)擴張,疊加寬禁帶半導體材料等新技術逐步落地,推動功率半導體成為市場關注的重點領域。富士經濟曾在今年 4 月的報告中寫道:功率半導體市場在 2024 年受到庫存積壓的打擊。需求預計將從 2024 年下半年開始復蘇,庫存預計將在 2025 年下半年恢復正常。那么如今的功率半導體復蘇情況如何了?隨著國產功率半導體頭部公司業(yè)績的相繼披露,該市場的走向逐漸明晰。功率半導體公司,誰是優(yōu)等生?上述十家功率半導體公司中,表現(xiàn)最為亮眼的莫過于士蘭微。該公司上半年營業(yè)收入為 63.36
          • 關鍵字: 功率半導體  

          中國挑戰(zhàn)日功率半導體主導權 日媒:技術差距僅剩不到3年

          • 日本在功率半導體領域長期占據(jù)一定優(yōu)勢,但面對中國企業(yè)的快速追趕和價格競爭,行業(yè)競爭力面臨嚴峻挑戰(zhàn)。 《日經亞洲》20日報導,中國企業(yè)在硅和碳化硅基板制造方面逐漸建立完整生產能力,利用低廉能源成本和龐大市場快速成長,其垂直整合模式也對日本企業(yè)構成挑戰(zhàn)。 盡管形勢艱難,東芝、羅姆、三菱電機等日本廠商卻遲遲未能形成統(tǒng)一戰(zhàn)線。業(yè)內專家指出,日本與中國企業(yè)在硅芯片上的技術差距可能只有一到兩年,在碳化硅上也不超過三年。 日本企業(yè)高估了本土電動汽車市場的發(fā)展以及自身的全球競爭力,必須加速整合以提高成本競爭力。功率器件是
          • 關鍵字: 功率半導體  

          車載電驅“芯”引擎:RIGOL功率半導體動態(tài)性能測試解決方案解析

          • 功率變換器是電能利用的重要裝置,其性能主要取決于其核心—功率半導體器件,常見類型有 MOSFET、IGBT和二極管。傳統(tǒng)Si器件已逼近材料極限,成為進一步提升效率和功率密度的瓶頸。SiC器件憑借更高開關速度、高結溫下同時承受高壓大電流等特性,可顯著提升轉換效率、功率密度并降低系統(tǒng)成本,特別適用于車載逆變器、電動汽車充電樁、光伏、UPS、儲能及工業(yè)電源等場景。當前國內外 SiC產業(yè)鏈加速成熟,主流廠商已推出多款 SiC產品,成本持續(xù)下降,應用正呈爆發(fā)式增長。圖1 雙脈沖測試電路功率半導體測試需求與挑戰(zhàn)功率半
          • 關鍵字: 車載電驅  RIGOL  功率半導體測試  功率半導體  

          BelGaN 破產將使比利時損失 100 萬歐元;氮化鎵工廠可能被改用于光子芯片

          • BelGaN 在比利時的氮化鎵功率半導體工廠去年關閉。據(jù) eeNews Europe 的報道,有報道稱三個財團有興趣收購該設施,主要用于光子應用。報道還指出該工廠之前專注于汽車功率器件。報告稱,關閉預計將使地方當局花費超過110萬歐元,并補充說,歐洲全球化和調整基金將為2024年7月裁員的417名員工提供支持。報道中提到的競標者包括 Silex Microsystems,它是世界上最大的純 MEMS 晶圓廠。如 evertiq 所述,Silex Microsyste
          • 關鍵字: 氮化鎵  功率半導體  晶圓代工  

          利用 SMFA 系列非對稱 TVS 二極管實現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護

          • 引言碳化硅( SiC)MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發(fā)展,開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高,設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅動電路,確保對MOSFET的安全控制,防止寄生導通,避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結構免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案,有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅動器設計措施關于SiC-MOSFET驅動器電路的穩(wěn)健性,有幾個問題值得考慮。除了驅動器安全切換半導
          • 關鍵字: 碳化硅  MOSFET  電源  功率半導體  

          詳解IGBT工作原理

          • 大家好,我是蝸牛兄,今天給大家分享的是:IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在實際應用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結型晶體管 BJT 和 MOS管。IGBT實物圖+電路符號圖你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體,IGBT具有 BJT 的輸入特性和 MOS 管的輸出特性。與 BJT 或 MOS管相比,絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優(yōu)勢在于它提供了比標準雙極型晶體管更大的功率增益,以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。一、什么是IGBT?IGBT 是絕緣柵雙
          • 關鍵字: IGBT  功率半導體  

          動態(tài)測試WBG功率半導體裸片

          • 雙脈沖測試將在電力電子的未來中發(fā)揮關鍵作用。電源設計人員和系統(tǒng)工程師依靠它來評估 MOSFET 和 IGBT 等功率半導體在動態(tài)條件下的開關特性。通過評估開關期間的功率損耗和其他指標,這些測試使工程師能夠優(yōu)化最新電源轉換器、逆變器和其他電源電路的效率和可靠性。推動采用雙脈沖測試的是它能夠在設計過程的早期評估最壞情況下工作條件下的電力電子設備。這有助于降低將來出現(xiàn)不可預見問題的風險。然而,由于 SiC MOSFET 的開關速度更快,GaN 功率 FET 的頻率更高,因此基于氮化
          • 關鍵字: 動態(tài)測試  WBG  功率半導體  

          Kulicke & Soffa推出用于功率半導體應用的Asterion-PW

          • Kulicke and Soffa Industries Inc.(“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我們”或“公司”)宣布推出Asterion-PW超聲波針焊接機,通過快速精確的超聲波針焊接解決方案擴大其在功率元件應用領域的領先地位。這種先進的解決方案為Pin互連能力設定了新的標準,重新定義了效率、精度和可靠性。在可再生能源、汽車和鐵路等應用中,越來越多的常用功率模塊元件使用超聲波焊接來實現(xiàn)Pin針和DBC的互連以滿足信號傳輸和機械固定的要求。功率模塊市場是增長最快的半導
          • 關鍵字: Kulicke & Soffa  功率半導體  Asterion-PW  

          SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘,這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”!

          • 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內容包括Cascode(共源共柵)關鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析,以及設計指南。本文為第一篇,聚焦Cascode產品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設計。簡介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導體器件。出于成本或布局的考慮,并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊,但這些模塊實際上也是通過并聯(lián)芯片實現(xiàn)的。本文總結了適用于所
          • 關鍵字: JFET  Cascode  功率半導體  

          CGD 獲得3,200萬美元融資,以推動在全球功率半導體領域的增長

          • 2025年2月19日 英國劍橋- 氮化鎵(GaN)功率器件的領先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與,并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國企業(yè)發(fā)展基金(BGF)、劍橋創(chuàng)新資本公司(CIC)、英國展望集團(Foresight Group)和 IQ Capital 的支持。             &nbs
          • 關鍵字: CGD  功率半導體  

          驅動電路設計(二)——驅動器的輸入側探究

          • 驅動電路設計是功率半導體應用的難點,涉及到功率半導體的動態(tài)過程控制及器件的保護,實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅動設計,英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能,本系列文章以閱讀雜談的方式講詳細講解如何正確理解和應用這些功能,也建議讀者閱讀和收藏文章中推薦的資料以作參考。驅動器的輸入側一個可靠的功率半導體驅動電路設計要從輸入側開始,輸入端可能會受到干擾,控制電路也會發(fā)生邏輯錯誤,可能的誤觸發(fā)會造成系統(tǒng)輸出混亂,甚至損壞器件。一個典型的無磁芯變壓器耦合的隔離型驅動器輸入測如框圖所示,本文重點講講不起眼的IN
          • 關鍵字: 驅動電路  功率半導體  驅動器  

          功率半導體驅動電源設計(一)綜述

          • 工業(yè)應用中,功率半導體的驅動電源功率不大,設計看似簡單,但要設計出簡單低成本的電路并不容易,主要難點有幾點:1 電路要求簡潔,占用線路板面積要小一個EasyPACK? 2B 1200V 100A六單元IGBT模塊,周長20cm,占板面積27cm2,很小,在四周要安排布置6路驅動和4-6路隔離電源并不容易,如果需要正負電源就更復雜。2 電力電子系統(tǒng)需要滿足相應的安規(guī)和絕緣配合標準,保證合規(guī)的爬電距離和電氣間隙,這使得PCB面積更捉襟見肘。3 對于中大功率的功率模塊,驅動板會放在模塊上方,會受熱和直面較強的電
          • 關鍵字: 功率半導體  驅動電源  電路設計  
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          功率半導體介紹

            《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎,詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件,包括pin二極管、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細 ]

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