近日，印度政府宣布批準了印度半導體計劃（ISM）下的四個新半導體項目，將 ISM 項目總數(shù)從六個增加到十個。這四個項目總投資約 460 億印度盧比。值得注意的是，其中之一是印度首個商業(yè)化合物半導體晶圓廠。

該晶圓廠位于奧里薩邦首府布瓦尼薩爾爾的“信息谷”，由印度的 SiCSem 與英國 Clas-SiC 合作建設(shè)。該工廠將專注于碳化硅（SiC）晶圓和器件的生產(chǎn)，年產(chǎn)能為 60,000 晶圓和 96,000,000 器件。其產(chǎn)品將應用于電動汽車、國防設(shè)備、鐵路、快速充電站和光伏逆變器。

此外，這次還批準了先進的封裝和玻璃基板設(shè)施，這些設(shè)施也位于奧里薩的 3D 玻璃解決方案工廠，投資額為 194.3 億盧比。該項目將引入世界領(lǐng)先的 3D 異構(gòu)集成（3DHI）技術(shù)和玻璃中介層工藝。計劃年產(chǎn)能包括 69,600 塊玻璃基板、13,200 個 3DHI 模塊和 5000 萬個組裝單元，服務于國防、人工智能、射頻通信和光子集成等高端領(lǐng)域。

隨著這一批準，ISM 框架下的項目總數(shù)增加到 10 個，累計投資超過 1.6 萬億盧比（約合 192 億美元），涵蓋半導體制造、封裝和測試以及化合物半導體。印度政府通過生產(chǎn)關(guān)聯(lián)激勵（PLI）計劃提供資金支持，旨在吸引國際技術(shù)合作伙伴并培育國內(nèi)供應鏈。

在寬禁帶半導體領(lǐng)域，印度目前對其芯片的進口依賴度為 90%。這些新批準的項目，專注于碳化硅和先進封裝，旨在減少對海外來源的依賴并增強供應鏈的韌性。印度首個碳化硅晶圓廠的建設(shè)也預計將加速該國在寬禁帶半導體制造領(lǐng)域的步伐，提升其在人工智能和 5G 通信等新興市場中的競爭力。