2024年全球半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為281.5億美元，預(yù)計(jì)將從2025年的301.6億美元增至2034年的約561億美元，2025年至2034年復(fù)合年增長(zhǎng)率為7.14%。2024 年北美市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò) 197.1 億美元，并在預(yù)測(cè)期內(nèi)以 7.21% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率擴(kuò)張。由于人工智能、5G 和汽車(chē)電子推動(dòng)的對(duì)先進(jìn)芯片的需求不斷增長(zhǎng)，市場(chǎng)正在增長(zhǎng)。

半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)要點(diǎn)

• 按收入計(jì)算，2024年全球半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)價(jià)值281.5億美元。

• 預(yù)計(jì)到 2034 年將達(dá)到 561 億美元。

• 預(yù)計(jì) 2025 年至 2034 年該市場(chǎng)將以 7.14% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。

• 到 2024 年，亞太地區(qū)將以 70% 的最大份額主導(dǎo)半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)。

• 預(yù)計(jì)北美將在 2025 年至 2034 年間以最快的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。

• 按蝕刻類(lèi)型劃分，干法蝕刻領(lǐng)域在 2024 年占據(jù)最大的市場(chǎng)份額，達(dá)到 85%。

• 按蝕刻類(lèi)型劃分，觀(guān)察到濕法蝕刻細(xì)分市場(chǎng)在預(yù)測(cè)期內(nèi)復(fù)合年增長(zhǎng)率最快。

• 按工藝類(lèi)型劃分，介電蝕刻領(lǐng)域在 2024 年占據(jù)最大的市場(chǎng)份額，達(dá)到 50%。

• 按工藝類(lèi)型劃分，導(dǎo)體蝕刻領(lǐng)域預(yù)計(jì)在預(yù)測(cè)期內(nèi)將以最快的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。

• 按晶圓尺寸兼容性劃分，300 毫米細(xì)分市場(chǎng)在 2024 年貢獻(xiàn)了最高的市場(chǎng)份額，達(dá)到 75%。

• 從晶圓尺寸兼容性來(lái)看，≥450 毫米細(xì)分市場(chǎng)正在成為預(yù)測(cè)期內(nèi)增長(zhǎng)最快的細(xì)分市場(chǎng)。

• 按設(shè)備類(lèi)型劃分，到 2024 年，單晶圓蝕刻系統(tǒng)細(xì)分市場(chǎng)將占據(jù) 60% 的重要市場(chǎng)份額。

• 按技術(shù)節(jié)點(diǎn)劃分，≤7 納米細(xì)分市場(chǎng)在 2024 年占據(jù)最大份額，達(dá)到 40%

• 按技術(shù)節(jié)點(diǎn)劃分，觀(guān)察到 ≤7 納米細(xì)分市場(chǎng)在預(yù)測(cè)期內(nèi)復(fù)合年增長(zhǎng)率最快。

• 按最終用途設(shè)備類(lèi)型劃分，邏輯 IC 細(xì)分市場(chǎng)到 2024 年將產(chǎn)生 35% 的主要市場(chǎng)份額。

• 按最終用途設(shè)備類(lèi)型劃分，存儲(chǔ)器 IC （NAND） 領(lǐng)域正在成為增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域。

• 按應(yīng)用劃分，到 2024 年，F(xiàn)EOL 細(xì)分市場(chǎng)將占據(jù) 60% 的最大市場(chǎng)份額。

• 按應(yīng)用劃分，據(jù)觀(guān)察，包裝蝕刻領(lǐng)域在預(yù)測(cè)期內(nèi)復(fù)合年增長(zhǎng)率最快。

• 按最終用戶(hù)劃分，到 2024 年，代工廠(chǎng)細(xì)分市場(chǎng)將占據(jù) 55% 的顯著市場(chǎng)份額。

• 按最終用戶(hù)劃分，據(jù)觀(guān)察，OSAT 細(xì)分市場(chǎng)在預(yù)測(cè)期內(nèi)復(fù)合年增長(zhǎng)率最快。

AI如何改變半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備行業(yè)？

人工智能通過(guò)實(shí)現(xiàn)更高的精度、更高的產(chǎn)量和增強(qiáng)的過(guò)程控制，正在改變半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備行業(yè)。人工智能系統(tǒng)支持的預(yù)測(cè)分析和實(shí)時(shí)監(jiān)控有助于在蝕刻過(guò)程的早期識(shí)別違規(guī)行為，從而最大限度地減少缺陷和設(shè)備停機(jī)時(shí)間。為了調(diào)整蝕刻參數(shù)并確保納米級(jí)的一致性，機(jī)器學(xué)習(xí)算法分析了先前運(yùn)行的大量數(shù)據(jù)集。

此外，人工智能驅(qū)動(dòng)的自動(dòng)化可以實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)流程調(diào)整，優(yōu)化周期時(shí)間并最大限度地減少人為干預(yù)。隨著人工智能、5G 和汽車(chē)應(yīng)用中使用的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的興起，芯片架構(gòu)變得越來(lái)越復(fù)雜，這一點(diǎn)尤為重要。通過(guò)提高效率、準(zhǔn)確性和設(shè)備利用率，人工智能使設(shè)備制造商能夠滿(mǎn)足對(duì)高性能、經(jīng)濟(jì)高效的半導(dǎo)體解決方案日益增長(zhǎng)的需求。

亞太地區(qū)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模及2025年至2034年增長(zhǎng)

2024年亞太地區(qū)半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為197.1億美元，預(yù)計(jì)到2034年價(jià)值將達(dá)到395.5億美元左右，2025年至2034年復(fù)合年增長(zhǎng)率為7.21%。

是什么讓亞太地區(qū)成為市場(chǎng)主導(dǎo)地區(qū)？

亞太地區(qū)在 2024 年占據(jù)最大的收入份額，主導(dǎo)了半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)。這主要?dú)w功于該地區(qū)強(qiáng)大的制造業(yè)基礎(chǔ)和領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠(chǎng)的存在。該領(lǐng)域受益于先進(jìn)芯片制造的大量資本投資、強(qiáng)大的供應(yīng)鏈和廣泛的研發(fā)活動(dòng)。下一代節(jié)點(diǎn)的持續(xù)創(chuàng)新以及對(duì)消費(fèi)電子和人工智能芯片的強(qiáng)勁需求進(jìn)一步增強(qiáng)了其主導(dǎo)地位。強(qiáng)大的制造生態(tài)系統(tǒng)和政府支持進(jìn)一步鞏固了亞太地區(qū)在半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

是什么讓北美成為增長(zhǎng)最快的半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)？

在技術(shù)主權(quán)計(jì)劃和國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造投資增加的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)北美將在未來(lái)幾年經(jīng)歷最快的增長(zhǎng)。激勵(lì)計(jì)劃的實(shí)施和強(qiáng)大的研發(fā)能力推動(dòng)了先進(jìn)蝕刻系統(tǒng)的發(fā)展。這些地區(qū)的企業(yè)正在擴(kuò)大生產(chǎn)能力，以支持人工智能、高性能計(jì)算和汽車(chē)應(yīng)用，從而推動(dòng)對(duì)設(shè)備的需求。對(duì)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈本地化的關(guān)注確保了該地區(qū)的持續(xù)增長(zhǎng)。

市場(chǎng)概況

半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)是指以制造和銷(xiāo)售機(jī)械和工具為中心的全球行業(yè)，這些機(jī)械和工具用于在集成電路 （IC） 制造過(guò)程中選擇性地從半導(dǎo)體晶圓上去除材料層（金屬、氧化物、多晶硅等）。蝕刻可以是干式（基于等離子體）或濕式（基于化學(xué)）的，對(duì)于定義 10nm 以下 IC 生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的圖案至關(guān)重要。

半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)增長(zhǎng)因素

• 半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)小型化：7nm、5nm 和 3nm 等節(jié)點(diǎn)的縮小增加了對(duì)高精度蝕刻系統(tǒng)的需求，這些系統(tǒng)能夠以原子級(jí)精度處理 FinFET 和 GAA 架構(gòu)。

• 汽車(chē)半導(dǎo)體需求不斷增長(zhǎng)： 電動(dòng)汽車(chē)和ADAS系統(tǒng)正在推動(dòng)對(duì)多層安全關(guān)鍵芯片的需求，這些芯片需要先進(jìn)的蝕刻技術(shù)來(lái)確?？煽啃院秃弦?guī)性。

• 采用 EUV 光刻技術(shù)：EUV 工藝需要支持更嚴(yán)格圖案公差和新型光刻材料的蝕刻工具，從而增加了復(fù)雜性和設(shè)備要求。

• 3D IC 和先進(jìn)封裝的增長(zhǎng)：小芯片、TSV 和扇出封裝等技術(shù)在晶圓減薄、中介層圖案化和 RDL 形成過(guò)程中需要高度選擇性的蝕刻。

• 增加人工智能和 HPC 芯片產(chǎn)量：高性能計(jì)算和人工智能工作負(fù)載正在推動(dòng)代工廠(chǎng)投資先進(jìn)的蝕刻工具，以支持先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的邏輯、GPU 和內(nèi)存生產(chǎn)。

市場(chǎng)范圍

市場(chǎng)動(dòng)態(tài)

驅(qū)動(dòng)力

對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)的需求不斷增長(zhǎng)

隨著晶體管尺寸不斷縮小到 7nm、5nm 甚至 3nm 節(jié)點(diǎn)，蝕刻過(guò)程變得更加復(fù)雜和關(guān)鍵。高級(jí)節(jié)點(diǎn)，特別是 FinFET 和全環(huán)柵 （GAA） 結(jié)構(gòu)中的節(jié)點(diǎn)，需要精確和選擇性的蝕刻，以防止對(duì)相鄰層造成損壞。因此，高精度等離子體蝕刻系統(tǒng)的需求越來(lái)越大。制造商正在投資可以在原子水平上進(jìn)行控制以滿(mǎn)足性能標(biāo)準(zhǔn)的新機(jī)械。隨著越來(lái)越多的晶圓廠(chǎng)過(guò)渡到亞 5 納米制造，對(duì)復(fù)雜蝕刻工具的需求只會(huì)增加。

增加汽車(chē)電子芯片產(chǎn)量

汽車(chē)電子芯片產(chǎn)量的增加推動(dòng)了半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)的增長(zhǎng)。如今，半導(dǎo)體構(gòu)成了當(dāng)代汽車(chē)的核心，支持從連接和信息娛樂(lè)到 ADAS 和電池管理系統(tǒng)的一切。隨著汽車(chē)行業(yè)向電動(dòng)汽車(chē)和自動(dòng)駕駛系統(tǒng)過(guò)渡，需要精確制造程序的強(qiáng)大、高度可靠的芯片的需求越來(lái)越大。由于必須遵守嚴(yán)格的安全和環(huán)境法規(guī)，汽車(chē)芯片的制造更加復(fù)雜。為了功能安全合規(guī)性，先進(jìn)的蝕刻設(shè)備確保了精確的分層和缺陷最小化。隨著汽車(chē)制造商半導(dǎo)體采購(gòu)的增加，對(duì)蝕刻工具的需求也在增加。

限制

高資本投資和運(yùn)營(yíng)成本

用于半導(dǎo)體蝕刻的設(shè)備非常昂貴。建立或升級(jí)配備復(fù)雜蝕刻系統(tǒng)的晶圓廠(chǎng)需要大量資本支出，這對(duì)于中小型芯片制造商來(lái)說(shuō)可能是令人望而卻步的。維護(hù)、熟練勞動(dòng)力和能源成本進(jìn)一步增加了運(yùn)營(yíng)成本。在成本問(wèn)題所在的領(lǐng)域，這些財(cái)務(wù)負(fù)擔(dān)可能會(huì)限制市場(chǎng)滲透并推遲采購(gòu)決策。只有大型代工廠(chǎng)和 IDM 才能負(fù)擔(dān)得起頻繁的升級(jí)，這一事實(shí)阻礙了廣泛采用。

環(huán)境和監(jiān)管挑戰(zhàn)

在蝕刻過(guò)程中使用有害氣體和化學(xué)品（例如碳氟化合物）會(huì)引發(fā)環(huán)境和安全問(wèn)題，特別是在基于干等離子體的蝕刻中。所有地區(qū)關(guān)于半導(dǎo)體制造中能源使用、排放和危險(xiǎn)廢物的法規(guī)都變得越來(lái)越嚴(yán)格。企業(yè)目前面臨著采取更環(huán)保做法的壓力，這需要在環(huán)保材料、回收設(shè)備和廢氣處理方面投入更高的費(fèi)用。遵守這些不斷變化的標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)使蝕刻設(shè)備的部署更加昂貴和復(fù)雜，特別是在新地區(qū)。

機(jī)會(huì)

3D IC、先進(jìn)封裝和異構(gòu)集成的增長(zhǎng)

隨著芯片制造商超越摩爾定律，小芯片和扇出晶圓級(jí)封裝以及 3D 集成電路等先進(jìn)封裝方法越來(lái)越受歡迎。這些方法需要在多個(gè)點(diǎn)進(jìn)行精確蝕刻，包括互連圖樣、TSV形成和晶圓減薄。蝕刻設(shè)備制造商可以創(chuàng)建定制儀器來(lái)滿(mǎn)足這些包裝需求。定制蝕刻解決方案是通過(guò)復(fù)雜的相互通信和垂直集成實(shí)現(xiàn)的。對(duì)于設(shè)備制造商來(lái)說(shuō)，這個(gè)市場(chǎng)提供了一個(gè)高利潤(rùn)的機(jī)會(huì)，因?yàn)榕_(tái)積電和英特爾等公司正在擁抱異構(gòu)集成。

采用EUV光刻技術(shù)推動(dòng)新的蝕刻要求

如今，尖端芯片制造（5nm及以下）使用極紫外（EUV）光刻技術(shù)，這帶來(lái)了新的蝕刻挑戰(zhàn)。EUV 需要蝕刻工具以更高的精度和選擇性發(fā)揮作用，因?yàn)樗肓诵碌墓饪棠z化學(xué)成分和更嚴(yán)格的圖案公差。這一變化為蝕刻設(shè)備供應(yīng)商提供了與光刻開(kāi)發(fā)合作解決解決方案的機(jī)會(huì)。領(lǐng)先的生產(chǎn)線(xiàn)將為能夠提供針對(duì) EUV 生產(chǎn)的模式量身定制的工具的供應(yīng)商提供先發(fā)優(yōu)勢(shì)。

蝕刻類(lèi)型洞察

為什么干法蝕刻領(lǐng)域在 2024 年主導(dǎo)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場(chǎng)？

干法蝕刻領(lǐng)域因其高精度、各向異性能力以及與 10 納米以下節(jié)點(diǎn)的兼容性而在 2024 年以最大的份額主導(dǎo)市場(chǎng)，所有這些對(duì)于現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)都至關(guān)重要。干蝕刻是高級(jí)邏輯和內(nèi)存應(yīng)用的首選，因?yàn)樗軌蛭g刻復(fù)雜的圖樣而不損壞相鄰層。隨著芯片制造商越來(lái)越依賴(lài) FinFET 和 3D NAND 架構(gòu)，干法蝕刻現(xiàn)在至關(guān)重要。由于它與基于反應(yīng)離子和等離子體的系統(tǒng)集成，支持高通量和可重復(fù)性，因此它是晶圓廠(chǎng)中可靠的主力。

由于其成本效益、高材料選擇性以及在封裝、MEMS 和功率半導(dǎo)體應(yīng)用中的廣泛采用，濕法蝕刻領(lǐng)域預(yù)計(jì)將在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)快速增長(zhǎng)。隨著對(duì)先進(jìn)封裝解決方案的需求不斷增加，濕法蝕刻對(duì)于背面加工和晶圓減薄至關(guān)重要。此外，它受到某些特殊應(yīng)用的青睞，這些應(yīng)用需要在大晶圓區(qū)域上進(jìn)行一致的蝕刻。得益于新的濕法蝕刻化學(xué)和精密的控制系統(tǒng)，其精度正在提高，使其能夠在使用干法蝕刻工具的市場(chǎng)中競(jìng)爭(zhēng)。

• 2025 年 5 月 13 日，杜邦在表面處理與清潔大會(huì)上推出了其最新的半導(dǎo)體濕法蝕刻創(chuàng)新技術(shù)，重點(diǎn)關(guān)注提高先進(jìn)存儲(chǔ)芯片的選擇性和精度。（來(lái)源：https://www.dupont.com)

流程類(lèi)型洞察

2024 年介電蝕刻領(lǐng)域?qū)⑷绾沃鲗?dǎo)市場(chǎng)？

介電蝕刻領(lǐng)域在定義先進(jìn)半導(dǎo)體器件的絕緣層方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，引領(lǐng) 2024 年半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)。隨著器件復(fù)雜性的增加，在金屬線(xiàn)之間精確蝕刻介電材料（例如二氧化硅和低介電電介質(zhì)）的需求變得越來(lái)越重要。多圖樣和高縱橫比結(jié)構(gòu)的日益普及進(jìn)一步擴(kuò)大了對(duì)先進(jìn)介電蝕刻工藝的需求。該細(xì)分市場(chǎng)的增長(zhǎng)還受到邏輯和存儲(chǔ)器制造中對(duì)介電蝕刻的強(qiáng)勁需求的推動(dòng)。

由于互連間距的減少和復(fù)雜金屬柵極堆棧的出現(xiàn)，導(dǎo)體蝕刻領(lǐng)域在預(yù)測(cè)期內(nèi)可能會(huì)快速增長(zhǎng)。隨著復(fù)雜的邏輯器件和存儲(chǔ)器集成電路向更小的節(jié)點(diǎn)移動(dòng)，精確的導(dǎo)體圖案化變得越來(lái)越重要。由于 EUV 光刻和 GAA（四周柵極）FET 的使用越來(lái)越多，對(duì)能夠處理鈷、釕和鎢等尖端材料的蝕刻儀器的需求有所增加。這一趨勢(shì)推動(dòng)了導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)的市場(chǎng)擴(kuò)張，這也鼓勵(lì)了這些系統(tǒng)的創(chuàng)新。

晶圓尺寸兼容性洞察

是什么讓 300 毫米晶圓成為市場(chǎng)上的主導(dǎo)細(xì)分市場(chǎng)？

300 毫米晶圓細(xì)分市場(chǎng)在 2024 年主導(dǎo)半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)，因?yàn)樗鼈兲岣吡嗣啃酒杀窘?jīng)濟(jì)性并廣泛用于大批量半導(dǎo)體制造。大多數(shù)復(fù)雜的晶圓廠(chǎng)都設(shè)計(jì)用于處理 300 毫米晶圓，特別是用于創(chuàng)建邏輯 DRAM 和 3D NAND。合適的工具、成熟的基礎(chǔ)設(shè)施和開(kāi)發(fā)的工藝配方的存在進(jìn)一步鞏固了它的主導(dǎo)地位。此外，這種尺寸為大眾市場(chǎng)芯片制造提供了最佳的產(chǎn)量吞吐量比。

預(yù)計(jì) ≥450 毫米細(xì)分市場(chǎng)在預(yù)測(cè)期內(nèi)將以最高的復(fù)合年增長(zhǎng)率擴(kuò)張。隨著芯片制造商探索下一代晶圓尺寸以提高產(chǎn)量并降低單位制造成本，≥450 毫米晶圓越來(lái)越受到關(guān)注。晶圓蝕刻系統(tǒng)在 2024 年主導(dǎo)市場(chǎng)，預(yù)計(jì)在預(yù)測(cè)期內(nèi)將保持這種增長(zhǎng)。主要參與者正在投資 450 毫米和研發(fā)，盡管它仍處于早期開(kāi)發(fā)階段，以滿(mǎn)足長(zhǎng)期產(chǎn)能目標(biāo)。人們的興趣正在增長(zhǎng)，特別是對(duì)人工智能高性能計(jì)算和超大規(guī)模應(yīng)用，因?yàn)楦蟮木A有可能推動(dòng)規(guī)模經(jīng)濟(jì)。隨著工具制造商開(kāi)始制作適用于這種尺寸的蝕刻系統(tǒng)原型，該細(xì)分市場(chǎng)正在增長(zhǎng)。

設(shè)備類(lèi)型洞察

為什么單晶圓蝕刻系統(tǒng)領(lǐng)域在 2024 年占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位？

單晶圓蝕刻系統(tǒng)領(lǐng)域?qū)⒃?2024 年主導(dǎo)市場(chǎng)，因?yàn)榕c批量系統(tǒng)相比，它們提供更高的精度、改進(jìn)的工藝控制并減少晶圓間的可變性。對(duì)于即使是最小的偏差也會(huì)影響性能的高級(jí)節(jié)點(diǎn)，這些工具特別適合。此外，單晶圓工具可實(shí)現(xiàn)更快的工藝轉(zhuǎn)換和個(gè)性化配方調(diào)整。要求高良率、低良率、低良率和低污染的邏輯和存儲(chǔ)器晶圓廠(chǎng)因其靈活性和清潔度而非常適合它們。

2024 年 11 月 6 日，NexGen Wafer Systems 推出了 SERENO，這是一款高通量單晶圓濕法蝕刻和清潔平臺(tái)，具有針對(duì)多晶圓尺寸和先進(jìn)封裝優(yōu)化的集成計(jì)量。（來(lái)源：https://www.nasdaq.com)

由于先進(jìn)封裝和異構(gòu)集成的日益普及，該細(xì)分市場(chǎng)在未來(lái)幾年將繼續(xù)保持其地位，這需要微調(diào)的、特定層的蝕刻。隨著芯片制造商遷移到更小的幾何形狀和 3D 架構(gòu)，單晶圓系統(tǒng)提供了復(fù)雜多層構(gòu)建所需的可重復(fù)性和準(zhǔn)確性。尖端晶圓廠(chǎng)對(duì)多品種、小批量生產(chǎn)的日益關(guān)注也促進(jìn)了它們的采用。

技術(shù)節(jié)點(diǎn)洞察

2024 年≤7 納米細(xì)分市場(chǎng)將如何主導(dǎo)市場(chǎng)？

≤7 納米細(xì)分市場(chǎng)在 2024 年主導(dǎo)半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)，預(yù)計(jì)在整個(gè)預(yù)測(cè)期內(nèi)將保持其增長(zhǎng)軌跡。這是因?yàn)?≤7 納米節(jié)點(diǎn)對(duì)于復(fù)雜的芯片生產(chǎn)至關(guān)重要，包括旗艦智能手機(jī)、SoC、高端 GPU 和 AI 處理器。特別是FinFET和GAA結(jié)構(gòu)，需要高精度的蝕刻步驟。EUV光刻技術(shù)的使用不斷增加，對(duì)超薄柵極電介質(zhì)的需求不斷提高，對(duì)適用于≤7納米尺寸工藝的高性能蝕刻系統(tǒng)的需求越來(lái)越大。主要代工廠(chǎng)和 IDM 進(jìn)一步鞏固了這一領(lǐng)域的主導(dǎo)地位，這些代工廠(chǎng)和 IDM 已經(jīng)擴(kuò)大了 5nm 的規(guī)模，現(xiàn)在正在向 3nm 發(fā)展。

最終使用設(shè)備類(lèi)型洞察

為什么邏輯IC細(xì)分市場(chǎng)在2024年主導(dǎo)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場(chǎng)？

邏輯 IC 領(lǐng)域?qū)⒃?2024 年占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位，占據(jù)主要份額，因?yàn)樗跒閺臄?shù)據(jù)中心到智能手機(jī)等一切提供動(dòng)力的 CPU、GPU 和 SoC 中發(fā)揮著根本性作用。這些設(shè)備需要先進(jìn)的光刻和精密節(jié)點(diǎn)的精確蝕刻，這增加了對(duì)昂貴的蝕刻系統(tǒng)的需求。優(yōu)質(zhì)蝕刻工具供應(yīng)商受益于邏輯芯片設(shè)計(jì)快速發(fā)展所需的頻繁工藝變化和提高工具靈活性。盡管人工智能和邊緣計(jì)算的發(fā)展，但邏輯芯片仍然是最有利可圖且技術(shù)上最具挑戰(zhàn)性的蝕刻市場(chǎng)。

隨著對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和傳輸速度的需求不斷增加，內(nèi)存 IC 領(lǐng)域預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年迅速擴(kuò)張。存儲(chǔ)器 IC，尤其是 DRAM 和 3D NAND，需要高縱橫比蝕刻和深溝處理任務(wù)，這依賴(lài)于專(zhuān)門(mén)的蝕刻工具。內(nèi)存架構(gòu)中 3D 堆疊和垂直擴(kuò)展的創(chuàng)新正在推動(dòng)更高的設(shè)備需求。隨著云計(jì)算、移動(dòng)存儲(chǔ)和生成式人工智能的擴(kuò)展，對(duì)以?xún)?nèi)存為中心的蝕刻的需求持續(xù)激增。

應(yīng)用程序見(jiàn)解

是什么讓前端線(xiàn) （FEOL） 成為 2024 年市場(chǎng)的主導(dǎo)細(xì)分市場(chǎng)？

到 2024 年，F(xiàn)EOL 細(xì)分市場(chǎng)將占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位，份額最大。這是因?yàn)樗w了半導(dǎo)體制造中最敏感和最關(guān)鍵的工藝，包括晶體管圖案化和柵極堆棧形成。此階段的蝕刻精度直接影響設(shè)備的可靠性、電源效率和性能。隨著節(jié)點(diǎn)的縮小，F(xiàn)EOL的蝕刻強(qiáng)度越來(lái)越高，促使制造商大力投資先進(jìn)的蝕刻工具，從而鞏固了其在設(shè)備需求中的主導(dǎo)地位。

在小芯片、FOWLP 和 2.5D/3D IC 等先進(jìn)封裝技術(shù)的日益采用的推動(dòng)下，封裝蝕刻領(lǐng)域預(yù)計(jì)將在預(yù)測(cè)期內(nèi)快速增長(zhǎng)。這些技術(shù)需要對(duì)再分布層 （RDL）、過(guò)孔和中介層進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的蝕刻。隨著性能提升在打包中越來(lái)越優(yōu)先于節(jié)點(diǎn)擴(kuò)展，對(duì)與該應(yīng)用兼容的蝕刻工具的需求正在顯著增加。從單片芯片設(shè)計(jì)到模塊化芯片設(shè)計(jì)的過(guò)渡需要使用封裝蝕刻。

最終用戶(hù)/制造設(shè)施類(lèi)型洞察

為什么代工廠(chǎng)部門(mén)在 2024 年主導(dǎo)半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)？

代工廠(chǎng)部門(mén)主導(dǎo)市場(chǎng)，同時(shí)在 2024 年占據(jù)最大的收入份額，因?yàn)樗鼈兪羌舛斯に囋O(shè)備的主要用戶(hù)，為人工智能、移動(dòng)、汽車(chē)和高性能計(jì)算領(lǐng)域的不同客戶(hù)提供服務(wù)。這些代工廠(chǎng)技術(shù)先進(jìn)，不斷更新設(shè)備以滿(mǎn)足不斷變化的客戶(hù)需求。臺(tái)積電、GlobalFoundries 和三星代工廠(chǎng)等代工廠(chǎng)大規(guī)模處理內(nèi)存和邏輯的能力確保了對(duì)蝕刻系統(tǒng)的持續(xù)需求。它們的資本密集型性質(zhì)支持先進(jìn)工具的廣泛采用。

由于隨著越來(lái)越多的企業(yè)轉(zhuǎn)向模塊化芯片設(shè)計(jì)，對(duì)先進(jìn)封裝的需求不斷增加，預(yù)計(jì) OSAT 細(xì)分市場(chǎng)在預(yù)測(cè)期內(nèi)將經(jīng)歷快速增長(zhǎng)。OSAT 越來(lái)越多地使用半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備來(lái)提供需要精確蝕刻的高密度封裝。對(duì)復(fù)雜且價(jià)格合理的蝕刻工具日益融入半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的需求正在推動(dòng)，特別是對(duì)于消費(fèi)電子產(chǎn)品和汽車(chē)芯片。