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          英偉達 RTX 50 系列顯卡被曝推遲,需重新流片以提升良率

          作者: 時間:2024-09-03 來源:IT之家 收藏

          IT之家 9 月 3 日消息,中國臺灣《工商時報》今天報道稱, CoW-SoW 預計 2027 年量產。為提升良率,需要重新設計 頂部金屬層和凸點。

          不只是 AI 芯片需要 RTO(重新流片)修改設計,@手機晶片達人 表示正準備發(fā)布的 RTX 50 系列消費級顯卡 也需要 RTO,故上市時間有所推遲。

          Blackwell 被黃仁勛稱為「非常非常大的 」,當然它確實也是目前業(yè)界面積最大的 GPU,由兩顆 Blackwell 芯片拼接而成,采用 4nm 制程,擁有 2080 億個晶體管。也正因此,這類芯片難免會遇到封裝方式過于復雜的問題。

          的 CoWoS-L 封裝技術需使用 LSI(本地互連)橋接 RDL(硅中介層)連接芯粒,傳輸速度可達 10TB/s 左右,不過由于封裝步驟中橋接精度要求極高,稍有缺陷便有可能導致這顆價值 4 萬美元(IT之家備注:當前約 28.4 萬元人民幣)的芯片報廢,從而影響良率及成本。

          法人透露,由于 GPU 芯粒、LSI 橋接、RDL 中介層和主基板之間的熱膨脹系數(CTE)相異,導致芯片翹曲、系統(tǒng)故障,故英偉達需重新設計 GPU 頂部金屬層和凸點,以提高封裝良率。

          當然,這類問題不只是英偉達存在,只是英偉達出貨量較高,所以更敏感。供應鏈透露,這類問題只會越來越多,而這種為了消除缺陷或為提高良率而變更芯片設計的方式在業(yè)內相當常見。AMD CEO 蘇姿豐也曾透露,隨著芯片尺寸不斷擴大,制造復雜度將不可避免地增加,次世代芯片需要在效能和功耗方面取得突破,才能滿足 AI 數據中心對算力的巨大需求。

          為應對此類大芯片趨勢、及 AI 負載需要更多 HBM,臺積電計劃結合 InFO-SoW 和 SoIC 為 CoW-SoW,將存儲芯片或邏輯芯片堆疊于晶圓上,并預計于 2027 年實現量產。



          關鍵詞: 臺積電 英偉達 GPU

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