英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術已在兩個工廠進入大批量生產，并提供了有關新生產節(jié)點的一些額外細節(jié)。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應用。該節(jié)點針對的是英特爾自己的產品以及代工客戶。它還將在未來幾年內發(fā)展。

英特爾代工技術開發(fā)副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進行大批量生產，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器。

英特爾 3 制程技術（圖片來源：英特爾）
英特爾一直將其英特爾 3 制造工藝定位為針對數據中心應用，這些應用需要通過改進的晶體管（與英特爾 4 相比）、降低晶體管通孔電阻的供電電路以及設計協(xié)同優(yōu)化來實現(xiàn)領先的性能。生產節(jié)點支持 <0.6V 低壓和 >1.3V 高壓，以實現(xiàn)最大負載。在性能方面，英特爾承諾，與英特爾 18 相比，新節(jié)點將在相同的功率和晶體管密度下實現(xiàn) 3% 的性能提升。


英特爾 3 制程技術（圖片來源：英特爾）
為了獲得性能和密度優(yōu)勢的最佳組合，芯片設計人員將不得不使用 240nm 高性能和 210nm 高密度庫的組合。此外，英特爾客戶可以在三種金屬堆棧之間進行選擇：14 層用于成本，18 層用于性能和成本之間的最佳平衡，以及 21 層金屬層用于提高性能。

英特爾 3 制程技術（圖片來源：英特爾）
目前，英特爾將使用其 3nm 級工藝技術使其至強 6 處理器成為數據中心。最終，英特爾晶圓代工廠將使用生產節(jié)點為其客戶制造數據中心級處理器。

英特爾 3 制程技術（圖片來源：英特爾）
除了基礎英特爾 3 之外，該公司還將提供英特爾 3T，它支持硅通孔，可用作基礎芯片。未來，英特爾將為芯片組和存儲應用提供功能增強的英特爾 3-E，以及性能增強的英特爾 3-PT，可用于各種工作負載，如 AI/HPC 和通用 PC。