0.75 NA 突破芯片設(shè)計極限！Hyper-NA EUV 首現(xiàn) ASML 路線圖：2030 年推出，每小時產(chǎn) 400-500 片晶圓
加入技術(shù)交流群
IT之家 6 月 14 日消息，全球研發(fā)機構(gòu) imec 表示阿斯麥（ASML）計劃 2030 年推出 Hyper-NA EUV 光刻機，目前仍處于開發(fā)的“早期階段”。
本文引用地址：http://yuyingmama.com.cn/article/202406/459913.htm阿斯麥前總裁馬丁?凡?登?布林克（Martin van den Brink）于今年 5 月，在比利時安特衛(wèi)普（Antwerp）召開、由 imec 舉辦 ITF World 活動中，表示：“從長遠來看，我們需要改進光刻系統(tǒng)，因此必須要升級 Hyper-NA。與此同時，我們必須將所有系統(tǒng)的生產(chǎn)率提高到每小時 400 到 500 片晶圓”。
High-NA 將數(shù)值孔徑 (NA) 從早期 EUV 工具的 0.33 NA 提高到 0.55 NA。而根據(jù) van den Brink 在 imec 活動上展示的圖片，該公司將在 2030 年左右提供 Hyper-NA，達到 0.75 NA。
Imec 高級圖案設(shè)計項目總監(jiān) Kurt Ronse 表示，這是 ASML 首次將 Hyper-NA EUV 加入其路線圖，他與 ASML 合作開發(fā)光刻技術(shù)已有 30 多年。IT之家附上相關(guān)圖片如下：
Ronse 表示現(xiàn)階段想要突破 0.55 NA 面臨諸多挑戰(zhàn)，其中問題之一是光偏振。
Ronse 表示：“NA 一旦超過 0.55，由于偏振方向基本上會抵消光線，因此會破壞對比度”。
解決方案之一就是在光刻設(shè)備中加入偏振片，而這又會帶來新的問題，偏振片會阻擋光線，降低能效，增加生產(chǎn)成本。
Hyper-NA 的另一個挑戰(zhàn)是電阻。
Ronse 表示：“在 0.55 NA 的情況下，我們就必須降低電阻。有了 Hyper-NA，情況會更糟。這將給蝕刻選擇性帶來更多挑戰(zhàn)”。
評論