研究機構(gòu) TECHCET 日前預(yù)測，盡管全球經(jīng)濟普遍放緩，但 2023 年 SiC 襯底市場將持續(xù)強勁增長。

根據(jù) TECHCET 數(shù)據(jù)顯示，2022 年，SiC N 型襯底市場比 2021 年增長了約 15%，出貨量達(dá)到總計 88.4 萬片（等效 6 英寸），預(yù)計該市場將在 2023 年進一步增長，達(dá)到 107.2 萬片晶圓（等效 6 英寸），比 2022 年進一步增長約 22%，2022-2027 年的整體復(fù)合年增長率估計約 17%。

對 SiC 晶圓的高需求是由于硅基功率器件接近其物理極限，特別是對于高速或大功率應(yīng)用。寬帶隙半導(dǎo)體代表了當(dāng)前替代品中最有前途的，而 SiC 在材料特性和供應(yīng)鏈成熟度方面都處于最前沿。此外，電動汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、綠色能源生產(chǎn)和更高效的功率器件的需求總體上推動了對 SiC 的更高需求。

雖然 SiC 越來越受歡迎，但該材料的化學(xué)特性使其難以將晶錠加工成實際晶圓。這導(dǎo)致 SiC 晶圓市場供不應(yīng)求。為了在過去幾年增加晶錠供應(yīng)，大量公司進入或宣布了 SiC 晶錠增長能力的重大擴張，但很少有公司真正進入芯片服務(wù)市場。

Wolfspeed、安森美和意法半導(dǎo)體等垂直整合的 SiC 器件公司正在彌補這一差距，這些公司能夠在內(nèi)部平衡自己的生產(chǎn)能力。其他公司正試圖通過提供流程服務(wù)來彌補這一差距，例如 X-trinsic 和 Halo Industries。

面對如此快速成長的需求，積極擴產(chǎn)成為當(dāng)年頭部廠商的關(guān)鍵詞之一。

目前在 SiC 襯底方面，Wolfspeed 以 60% 的市場份額占據(jù)絕對主導(dǎo)地位，但隨著后來者積極參與競爭，這種格局或許存在變化空間。諸如 ST 對 8 英寸晶圓的積極推進，其在 2022 年底還宣布與 SiC 晶圓頭部公司 Soitec 合作引進晶圓制造技術(shù)；Ⅱ-Ⅵ（已更名 Coherent）、羅姆等也在積極擴充產(chǎn)能。器件領(lǐng)域，英飛凌、安森美等頭部廠商也在年初即提出大幅度擴產(chǎn)計劃。

安森美高層曾公開表示，預(yù)計 5-10 年 SiC 市場依然將比較緊缺，這也是公司持續(xù)擴充產(chǎn)能的動力所在。Wolfspeed 也認(rèn)為，需求顯然超過了供應(yīng)，當(dāng)前硅基半導(dǎo)體行業(yè)處在周期性衰退，SiC 則有長期發(fā)展前景。

不只是廠商自身的產(chǎn)能擴張，放眼這幾年間，SiC 產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)也在積極向外擴充能力。安森美是其中對 SiC 尤為重視的廠商之一。2021 年末，其收購 SiC 生產(chǎn)商 GTAT 后，已經(jīng)實現(xiàn)從 SiC 襯底到封裝的全產(chǎn)業(yè)鏈能力覆蓋。

國產(chǎn) SiC 公司迎來業(yè)績大爆發(fā)

根據(jù)證券時報數(shù)據(jù)顯示，作為 A 股 IGBT 龍頭，斯達(dá)半導(dǎo)連續(xù)兩年保持翻倍增長，去年公司實現(xiàn)凈利潤約 8 億元，今年一季度凈利潤實現(xiàn)約 2 億元，同比增長約 36%，并且公司持續(xù)布局 SiC 賽道：2020 年公司投資約 2 億元建設(shè)全 SiC 功率模組產(chǎn)業(yè)化項目，投資建設(shè)年產(chǎn) 8 萬顆車規(guī)級全 SiC 功率模組生產(chǎn)線和研發(fā)測試中心；2022 年公司完成定增募資 35 億元，用于投資 IGBT 和 SiC 芯片項目等。最新進展顯示，公司車規(guī)級 SiC 模塊開始在海外市場小批量供貨，另外，使用公司自主芯片的車規(guī)級 SiC MOSFET 模塊預(yù)計 2023 年開始在主電機控制器客戶批量供貨。

宏微科技業(yè)績也迎來大爆發(fā)，今年一季度凈利潤同比增長 1.53 倍。據(jù)介紹，公司訂單飽滿，SiC 二極管研發(fā)成功并實現(xiàn)小批量供貨。公司高管在接受機構(gòu)調(diào)研中介紹，2022~2023 年公司推出了第一代平面 SiC MOS，預(yù)計 2024~2025 年開發(fā)出溝槽產(chǎn)品；應(yīng)用場景來看，SiC MOS 產(chǎn)品主要應(yīng)用于電動汽車，SiC 二極管產(chǎn)品應(yīng)用于光伏領(lǐng)域。

4 月 20 日，揚杰科技公告計劃投資 10 億元在江蘇揚州建設(shè) 6 英寸 SiC 晶圓產(chǎn)線，規(guī)劃產(chǎn)能 5000 片/月，后續(xù)擬進一步布局 6~8 英寸 SiC 芯片生產(chǎn)線建設(shè)。目前揚杰科技已經(jīng)向市場推出 SiC 模塊及 650V SiC SBD、1200V 系列 SiC SBD 全系列產(chǎn)品，SiC MOSFET 已取得關(guān)鍵性進展。揚杰科技還通過投資控股湖南楚微半導(dǎo)體，進一步完善了公司在晶圓制造上的核心能力，形成了比較完備的晶圓產(chǎn)品制造能力。根據(jù)規(guī)劃，楚微半導(dǎo)體二期建設(shè)規(guī)劃為新增 3 萬片/月的 8 英寸硅基芯片生產(chǎn)線項目和 5000 片/月的 6 英寸 SiC 基芯片生產(chǎn)線項目。

此外，東微半導(dǎo)去年凈利潤接近翻倍達(dá)到 2.84 億元，今年一季度凈利潤同比增長近五成。其中，公司在 SiC 器件首次實現(xiàn)營業(yè)收入；燕東微披 6 英寸 SiC SBD（肖特基二極管）產(chǎn)品處于小批量量產(chǎn)，1200V SiC MOSFET 首款樣品在性能評測中。