據(jù)日本共同社日前報道， 日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導體，以碳化硅（SiC）為原材料。

據(jù)悉，羅姆花費約20年推進研發(fā)碳化硅半導體。新一代半導體可讓可提高機器運轉(zhuǎn)的用電效率， 若裝在純電動汽車上，續(xù)航里程可提升一成，電池體積也可更小。

據(jù)悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設(shè)的碳化硅功率半導體專用廠房實施量產(chǎn)，還計劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。

公開資料顯示， 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。