Dracula lvs command file的編寫相對于其他幾項(xiàng)來說較為容易點(diǎn)，重點(diǎn)部分就是節(jié)點(diǎn)信息的傳輸與器件的識別上。本篇前一部分講解常用的LVS命令，后一部分是實(shí)例分析與具體的編寫的技術(shù)文檔。

定義器件及器件：

ELEMENT MOS {[type]} layer-a layer-b layer-c {layer-d};;device layer+g+s/d+sub

ELEMENT CAP {[type]} layer-a layer-b layer-c {layer-s}

ELEMENT RES {[type]} layer-a layer-b {layer-d}

ELEMENT BJT {[type]} layer-a layer-b layer-c layer-d {layer-s}

ELEMENT DIO {[type]} layer-a layer-b layer-c {layer-s}

ELEMENT LDD {[type]} layer-a layer-b layer-c layer-d {layer-e}

ELEMENT PAD {[type]} layer-a layer-b

ELEMENT device layer-a layer-b {layer-c} {layer-d} {layer-e}

這些命令用來組合不同類型的器件，以device layer開始，接著說明器件的terminals，為了識別特殊的器件，還會常用到select 命令，比如lab[r] dio?, cut res等用法。

設(shè)定參數(shù)：

Parameter res /cap {[type]} value1 {value2}

該命令類似lpe的attribute ，其中cap有value1, value2 以說明面積及邊長對電容值的影響。

節(jié)點(diǎn)信息傳輸命令：

Lvs對比主要是節(jié)點(diǎn)信息傳輸?shù)倪^程，在connect-layer中從下到上說明可用于傳導(dǎo)的層次，并且在使用and, not命令時(shí)會自動傳遞信息。使用connect命令來說明層次間的傳遞。使用stamp命令使用在沒有在connect/ connect-layer中說明的層的信息傳遞。

Connect layer-a layer-b BY cont-layer

Stamp stamped-layer by stamping-layer {output {[option]} c-name l-num {d-num}}

Connect-layer = layer1 layer2 …

實(shí)例操作：

延續(xù)上次LPE中的實(shí)例，增加了電阻與電容以增加器件的比對，其中l(wèi)vs_test.cir為spice netlist，lvs_test為layout cell, lvs.com為這次實(shí)例所編寫的命令文件 。編寫的文件中，使用的*.resval, *.capval 及l(fā)vschk 選項(xiàng)resval, capval對比電阻、電容的值，增加lvschk[p] 增加電容端點(diǎn)順序的對比。版圖中電阻為nwell電阻加res層進(jìn)行識別，電容為gate電容加dummy層進(jìn)行識別。

Lvs_test.cir

*** SPICE file subckt lvs_test ****

.param

.global vss vdd

*.bipolar

*.resval

*.capval