電源控制芯片中的過流保護(hù)設(shè)計(jì)
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圖2 是實(shí)現(xiàn)上述功能的電路框架圖，由過流比較模塊、控制邏輯等組成。
圖2 過流保護(hù)電路框架
2 電路設(shè)計(jì)
圖9 控制邏輯電路的仿真
閉環(huán)控制電路的整體仿真
如圖10 所示，圖3 電路和外接LDMOS 形成一個(gè)閉環(huán)控制系統(tǒng)。仿真結(jié)果如圖11 所示：在沒有發(fā)生過流時(shí)，柵極電壓的占空比最大；有過流發(fā)生時(shí)，過流信號(hào)OverCurrent 將柵極電壓強(qiáng)制設(shè)置為低電平，關(guān)斷LDMOS，從而達(dá)到了過流保護(hù)效果。
圖10 閉環(huán)總體仿真原理圖
評(píng)論