ColTemp=(unsigned char)(ColAdd>>8)；
RowTemp=(unsigned char)(RowAdd>>16)；
ColTemp =0x0F；
RowTemp =0x01；

pK9F=0x8002；
* pK9F=0x80；
pK9F=0x8001；
* pK9F=(unsigned char)(ColAdd)；
* pK9F=ColTemp；
* pK9F=(unsigned char)(RowAdd)；
* pK9F=(unsigned char)(RowAdd>>8)；
* pK9F=RowTemp；
pK9F=0x8000；
for(i=0；i2112；i++)
* pK9F=InputData[i]；
pK9F=0x8002；
* pK9F=0x10；

while(RdyorBsy)；
while(!RdyorBsy)；

pK9F=0x8002；
* pK9F=0x70；
pK9F=0x8000；
Status=* pK9F；
Status =0x01；
return (Status)；
}
3.3 塊擦除
擦除操作以塊為單位進(jìn)行，由于器件分為2 048塊，因此輸入的地址碼中只有A18~A2的11位有效，其余位將被忽略。通過輸入確認(rèn)命令碼來啟動(dòng)擦除以防止誤操作。塊擦除流程如圖7所示。同頁編程操作類似，擦除完畢后也應(yīng)該讀狀態(tài)寄存器并處理返回結(jié)果。

3.4 頁復(fù)制
頁復(fù)制操作用來快速有效地實(shí)現(xiàn)頁間數(shù)據(jù)移動(dòng)，這是由于省去了比較費(fèi)時(shí)的與片外設(shè)備之間的讀寫操作。這一特性的優(yōu)勢(shì)在塊替換操作用于頁間數(shù)據(jù)復(fù)制時(shí)體現(xiàn)尤為明顯。其實(shí)該操作是按頁讀與頁編程操作的復(fù)合，頁復(fù)制讀命令35H將頁中數(shù)據(jù)移至數(shù)據(jù)寄存器中，而頁復(fù)制寫命令85H將數(shù)據(jù)復(fù)制到目標(biāo)頁中。頁復(fù)制流程圖如圖8所示。

該操作也可以將原始頁中的數(shù)據(jù)修改后寫入目標(biāo)頁，如流程圖8中虛線框內(nèi)部分。
需要注意的是，頁復(fù)制操作只能在奇數(shù)頁之間或偶數(shù)頁之間進(jìn)行，奇偶頁之間的數(shù)據(jù)移動(dòng)將被禁止。
3.5 緩存區(qū)編程
芯片中除1頁大小的數(shù)據(jù)寄存器外，還有一個(gè)1頁大小的緩沖寄存器。該緩沖寄存器可以在數(shù)據(jù)寄存器參與頁編程的同時(shí)接收外部數(shù)據(jù)，等待數(shù)據(jù)寄存器空閑時(shí)將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移其中，然后繼續(xù)接收數(shù)據(jù)。因此，采用緩存區(qū)編程操作在連續(xù)寫入多頁數(shù)據(jù)時(shí)將會(huì)大大提高效率。
緩存區(qū)編程流程如圖9所示。當(dāng)?shù)谝唤M數(shù)據(jù)寫入緩沖寄存器時(shí)，寫入緩存命令15H，將數(shù)據(jù)傳遞給數(shù)據(jù)寄存器并啟動(dòng)頁編程，然后使緩沖寄存器空閑，準(zhǔn)備接收下一組數(shù)據(jù)。在這個(gè)過程中芯片將處于忙狀態(tài)，若內(nèi)部編程操作未完成，忙狀態(tài)持續(xù)的時(shí)間將被延長(zhǎng)。

需要注意的是，該操作只能在同一塊內(nèi)進(jìn)行，因此在多塊數(shù)據(jù)寫入時(shí)需要注意每塊的最后一頁。若系統(tǒng)僅僅通過芯片的Ready/Busy引腳監(jiān)測(cè)編程進(jìn)度，則最后一頁的寫入操作應(yīng)該由頁編程命令10H啟動(dòng)。另外也可以通過讀狀態(tài)寄存器中的I/O 5位來判斷。
K9F2G08U0M 是一種新型的超大容量Flash存儲(chǔ)器，以其非易失、功耗低、操作簡(jiǎn)單而在單片嵌入式系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。本文在管道通徑儀的開發(fā)過程中，根據(jù)對(duì)外部存儲(chǔ)器接口的深入理解，將存儲(chǔ)器芯片的兩個(gè)控制線ALE和CLE用作地址線，使得對(duì)存儲(chǔ)器的操作更簡(jiǎn)捷高效。文中的程序已經(jīng)過實(shí)際驗(yàn)證，限于篇幅，只給出按頁讀和頁編程部分的代碼。