3 芯片應(yīng)用

3.1 硬件接口電路

在一個(gè)8051單片機(jī)系統(tǒng)中可按照?qǐng)D2的連接方式使用該芯片。

3.2 軟件接口設(shè)計(jì)

根據(jù)圖2的連接方式，筆者編寫了七個(gè)實(shí)用的應(yīng)用接口程序，供大家參考。

a.串行輸出了程序

將累加器A中的數(shù)據(jù)按照高位在前的順序（MSB）串行輸出至X25165芯片中。
WD-OUTB：MOV R7，#08H；有8位數(shù)據(jù)要傳輸
WD-OUTB1：CLR P1.2；使SCK為低電平
RLC A ；將輸出位移入C
MOV P1.1，C；進(jìn)位位移入SI
SEIB P1.2；使SCK位為高電平
DJNZ R7，WD-OUTB1；判斷循環(huán)是否結(jié)束
CLR P1.1；清SI
RET

b.串行輸入子程序

將1字節(jié)的數(shù)據(jù)按照高位在前的順序（MSB）從X25165中串行讀入累加器A中。
WD-INB：MOV R7，#08H；有8位數(shù)據(jù)要接收
WD-INB1：SETB P1.2；產(chǎn)生SCK脈沖
CLR P1.2 ；
MOV C， P1.0 ；S0移入進(jìn)位位C
RLC A ；累加器A帶進(jìn)位位去移
DJNZ R7， WD-INB1；判斷循環(huán)是否結(jié)束
RET

c.讀狀態(tài)寄存器子程序

用于從X25165中讀狀態(tài)寄存器內(nèi)容，讀出的內(nèi)容存放在A中。
WD-RD-SR：CLR P1.2 ；使SCK為低電平
CLR P1.3 ；芯片選擇CS有效
MOV A，#05H ；RDSR指令送累加器A
LCALL WD-OUTB ；輸出RDSR指令
LCALL WD-INB ；讀取狀態(tài)寄存器內(nèi)容
CLR P1.2 ；使SCK為低電平
SETB P1.3 ；芯片選擇CS無效
RET

d.寫狀態(tài)寄存子程序

該子程序可以設(shè)置塊保護(hù)地址范圍和可編程看門狗定時(shí)器超時(shí)周期。子程序中需要先使片選信號(hào)有效，然后用WREN指令設(shè)置寫使能鎖存器，8位指令輸出后必須將片選信號(hào)拉高，這樣才能使命令生效。同樣，數(shù)據(jù)輸出完成后也必須將片選信號(hào)拉高。

WD-WR-SR：CLR P1.2 ；使SCK為低電平
CLR P1.3 ；芯片選擇CS有效
MOV A， #06H ；WREN指令送累加器A
LCALL WD-OUTB ；輸出WREN指令
SETB P1.3 ；使CS為高電平
CLR P1.3 ；芯片選擇CS有效
MOV A，#01H ；WRSR指令送累加器A
LCALL WD-OUTB ；輸出WRSR指令，置狀態(tài)寄存器
MOV A，#10H；無塊保護(hù)，超時(shí)周期；800ms
LCALL WD-OUTB ；輸出狀態(tài)寄存器內(nèi)容
CLR P1.2 ；使SCK為低電平
SETB P1.3 ；使CS為高電平
RET ；