刻蝕即通過物理或化學(xué)的方法去除非光刻膠或硬掩膜覆蓋區(qū)域的材料。通常有兩種方法，分別為干法刻蝕和濕法刻蝕，它們各有優(yōu)缺點。但對于工藝靈活性、刻蝕精確度和可重復(fù)性等方面來說，干法刻蝕居主導(dǎo)地位。

對于SOl波導(dǎo)(尤其是矩形單模波導(dǎo))或者光子晶體的制作來說，由于其波導(dǎo)尺寸極小(波長量級)，在波導(dǎo)壁也具有較多光場分布，這時刻蝕工藝對波導(dǎo)傳輸損耗的影響就相當(dāng)大了，所以這種小尺寸波導(dǎo)的刻蝕工藝需要嚴(yán)格控制其側(cè)壁粗糙度，使其盡量光滑，以使其光損耗盡量減小。減小波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度的具體方法可參考波導(dǎo)損耗一節(jié)。

濕法刻蝕雖然能保證波導(dǎo)側(cè)壁比較光滑，但其條寬控制較難，尤其是在波長量級的尺寸上。所以這種方法很少采用。

另外，刻蝕工藝對波導(dǎo)寬度的影響也很重要，理由同光刻。