在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產品，并對其進行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數字，但外界認為他們很可能會于明年初公布有關的細節(jié)信 息。這樣，鎂光及其NAND技術的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術，甩開對手三星和東芝，重新回到領先全球NAND制作技術的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專門負責NAND業(yè)務的IM閃存技術公司。

　　除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基于NAND閃存芯片的SSD硬盤產品，其中Intel的SSD硬盤業(yè)務狀況可謂相當不錯，而鎂光則在這方面進行得不太順利。

　　Intel-鎂光聯(lián)盟曾一度在NAND制程競賽中占據領先地位，他們搶先推出了基于34nm制程的NAND閃存芯片產品。不過今年4月份，東芝公司憑借自己的32nm制程產品超越了Intel-鎂光聯(lián)盟。

　　今年八月份，NAND業(yè)界則又開始了新一輪的3位元NAND技術競賽，Intel-鎂光聯(lián)盟搶先宣布其34nm制程三位元NAND芯片。不過本月早些時候，韓國三星電子公司則宣布開始量產30nm制程三位元MLC NAND芯片產品，這種芯片產品的存儲密度可達32Gb(內部存儲單元共4G個，每個存儲單元可存放3位數據).

　　現在Intel-鎂光聯(lián)盟開始推進NAND閃存的2xnm制程，不過根據iSuppli的統(tǒng)計數字表明：三星在NAND市場上的市占率仍為最高，而東芝則正在威脅其位置，至于Intel則仍然在市占率方面排在兩者的后面。