碳化硅！ 文章 最新資訊
Wolfspeed順利完成財務重組，增強財務實力
- 全球碳化硅技術引領者 Wolfspeed, Inc. 公司近日宣布已成功完成其財務重整流程，并已退出美國《破產(chǎn)法》第 11 章的保護。通過此次重整，Wolfspeed 將其總債務削減了約 70%，債務到期日延長至 2030 年，年度現(xiàn)金利息支出也隨之降低了約 60%。此外，公司認為其保持有充足的流動性，可繼續(xù)為客戶提供領先的碳化硅解決方案。憑借由自由現(xiàn)金流生成能力支撐的自籌資金商業(yè)計劃，Wolfspeed 已蓄勢待發(fā)，將充分利用其垂直整合的 200 mm 制造基地，并以安全、可擴展的本土供應鏈為后盾，來推
- 關鍵字： Wolfspeed 碳化硅
韓國在釜山啟動首個8英寸碳化硅工廠，年產(chǎn)量預計達3萬片晶圓
- 碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，全球領導者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭先。現(xiàn)在，韓國也加大了力度——Maeil 商業(yè)報紙報道，釜山已開啟了韓國首個 8 英寸碳化硅功率半導體工廠。據(jù)報道，釜山廣域市政府于 17 日宣布，EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的總部和生產(chǎn)設施。該工廠投資了 1000 億韓元，使韓國首次能夠完全本土化生產(chǎn) 8 英寸碳化硅功率半導體。如《韓國先驅(qū)報》所強調(diào)，釜山廣域市政府將項目的完成視為一個關鍵里程碑，旨在提升國內(nèi)8英寸碳化硅功率半導體的生產(chǎn)并
- 關鍵字： 碳化硅 MOSFET 電源 功率半導體
三安宣布 8 英寸 SiC 芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)完成
- 8 月 27 日，三安在投資者關系平臺上宣布，其湖南三安半導體基地的 8 英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。湖南三安的 8 英寸 SiC 芯片線從建設到投產(chǎn)不到一年，進展比預期更快。截至 2025 年 8 月，湖南三安已建立起相對完整的 SiC 產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能：6 英寸 SiC 產(chǎn)能為每月 16000 片，8 英寸襯底和外延產(chǎn)能分別為每月 1000 片和 2000 片。此外，該公司還有氮化鎵-on-Silicon 產(chǎn)能為每月 2000 片。湖南三安碳化硅項目的總投資額為160億元人民幣，目標是建立一個兼
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Microchip與臺達電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來
- 隨著人工智能（AI）快速發(fā)展與萬物電氣化進程加速，市場對更高的電源效率與可靠性的需求持續(xù)增長。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領導者臺達電子工業(yè)股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡稱“臺達電子”）簽署全新合作協(xié)議。雙方將攜手在臺達設計中應用Microchip的mSiC?產(chǎn)品與技術，通過雙方合作加速創(chuàng)新型碳化硅（SiC）解決方案、節(jié)能產(chǎn)品及系統(tǒng)的開發(fā)，助力構建更可持續(xù)的未來。Microchip負責高功
- 關鍵字： Microchip 臺達 碳化硅 SiC 電源管理
基本半導體子公司注冊資本增至2.1億元
- 7月9日，深圳基本半導體股份有限公司子公司——基本封裝測試（深圳）有限公司完成工商變更登記，公司注冊資本從1000萬元大幅增至2.1億元人民幣，由母公司基本半導體和深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)私募股權投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）共同注資。此舉標志著基本半導體在車規(guī)級碳化硅領域的戰(zhàn)略布局又邁出重要一步，為后續(xù)研發(fā)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴充奠定堅實基礎。戰(zhàn)略資本加持 助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展本次增資得到了深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)基金的戰(zhàn)略支持，是對基本半導體在新能源汽車功率器件領域技術積累和市場優(yōu)勢的充分認可。該基金是
- 關鍵字： 基本半導體 碳化硅 車規(guī)級
基本半導體完成1.5億元D輪融資，加速碳化硅領域布局
- 近日，深圳基本半導體股份有限公司（簡稱“基本半導體”）宣布完成D輪融資，融資金額達1.5億元人民幣。本輪融資由中山火炬開發(fā)區(qū)科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)母基金與中山金控聯(lián)合投資，資金將主要用于碳化硅功率器件的技術研發(fā)、產(chǎn)能擴張以及市場拓展?；景雽w成立于2016年，是一家專注于碳化硅功率器件研發(fā)與制造的高新技術企業(yè)。其核心產(chǎn)品包括1200V/20A JBS碳化硅二極管、1200V平面柵碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二極管等。這些產(chǎn)品以低損耗、高頻率等優(yōu)勢，廣泛應用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器和航空航天等領
- 關鍵字： 基本半導體 碳化硅
據(jù)報道，Wolfspeed 將被 Apollo 領導的債權人接管，同時競爭對手將迎來機遇
- 據(jù)路透社援引彭博社報道，在關于即將破產(chǎn)的傳聞出現(xiàn)近一個月后，Wolfspeed 現(xiàn)在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領導的債權人正準備根據(jù)破產(chǎn)計劃接管公司。報道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預計將在幾天內(nèi)公布一項預包裝破產(chǎn)計劃——旨在迅速削減數(shù)十億美元的債務。在鎖定重組協(xié)議后，Wolfspeed 將要求債權人就計劃進行投票，然后正式申請第 11 章保護，報道補充道。由意法半導體領導的對頭將受益根據(jù) TrendForce 的觀察，由于破產(chǎn)程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
- 關鍵字： 碳化硅 意法半導體 功率器件
中國最大碳化硅工廠點火，可供應本地30%需求，Wolfspeed壓力很大
- 據(jù)當?shù)孛襟w《一財全球》和IT之家報道，據(jù)報道，美國碳化硅 （SiC） 巨頭 Wolfspeed 在與快速崛起的中國競爭對手的激烈競爭中徘徊在破產(chǎn)邊緣，中國最大的碳化硅晶圓廠已在武漢正式投產(chǎn)，旨在供應該國國內(nèi)產(chǎn)量的 30%。YiCai 報告稱，一個 SiC 晶圓模型的車載測試最快將于下個月開始，而另外近 10 個模型已經(jīng)在驗證中。不久之后將進行大規(guī)模生產(chǎn)和交付。IT Home 表示，該工廠的一期重點是功率器件，計劃年產(chǎn) 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圓。另一方面，益財國際補充說，這足以支持超過 1
- 關鍵字： 碳化硅 Wolfspeed
利用 SMFA 系列非對稱 TVS 二極管實現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護
- 引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發(fā)展，開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高，設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅(qū)動電路，確保對MOSFET的安全控制，防止寄生導通，避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結構免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案，有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅(qū)動器設計措施關于SiC-MOSFET驅(qū)動器電路的穩(wěn)健性，有幾個問題值得考慮。除了驅(qū)動器安全切換半導
- 關鍵字： 碳化硅 MOSFET 電源 功率半導體
碳化硅急需開辟電動汽車之外的第二條戰(zhàn)線
- 電能與智能是現(xiàn)代社會發(fā)展的兩大主題，電能如同工業(yè)文明的血液系統(tǒng)，提供物理世界運行的能量基礎，智能恰似數(shù)字文明的神經(jīng)網(wǎng)絡，構建數(shù)字空間的決策中樞。作為電能轉換的智能開關，功率半導體在構建現(xiàn)代社會能源體系中發(fā)揮著關鍵性的樞紐作用，通過對電壓、電流和頻率的精準調(diào)控，功率半導體可以有效地提升電能轉換效率。經(jīng)過七十年的發(fā)展，功率半導體經(jīng)歷了兩次大的技術升級，第一次是以硅基IGBT 和CoolMOS為代表的第二代功率器件替代以可控硅晶閘管和MOSFET為代表的第一代功率器件，由于同屬硅基材料體系，第二代功率器件兼具成
- 關鍵字： 202504 碳化硅 電動汽車
碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結構詳解
- 安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現(xiàn)出顯著技術優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓撲架構，更對關鍵電參數(shù)、獨特性能優(yōu)勢及設計支持體系進行全方位解讀，為功率半導體開發(fā)者提供從基礎理論到實踐應用的完整技術指引。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其
- 關鍵字： 安森美 碳化硅 共源共柵 cascode
為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？
- 簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。圖 1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術替代傳統(tǒng)硅技術，基于雙極結型晶體
- 關鍵字： 碳化硅 Cascode
為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？
- 簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量（eV）1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
- 關鍵字： 碳化硅 Cascode JFET 碳化硅 安森美
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